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電子發燒友網綜合報道，短短兩天內，中國第三代半導體產業接連迎來重磅突破。12月23日，廈門瀚天天成宣布成功開發全球首款12英寸高質量碳化硅（SiC）外延晶片；次日，晶盛機電便官宣其自主研發的12英寸單片式碳化硅外延生長設備順利交付瀚天天成。

相較于目前主流的6英寸碳化硅外延晶片及仍處于產業化推進階段的8英寸晶片，12英寸晶片憑借直徑的大幅增加，在相同生產流程下單片可承載的芯片數量顯著提升——分別為6英寸晶片的4.4倍和8英寸晶片的2.3倍。

目前，瀚天天成已啟動12英寸碳化硅外延晶片的批量供應準備工作。該產品關鍵性能指標表現突出：外延層厚度不均勻性控制在3%以內，摻雜濃度不均勻性≤8%，2mm×2mm芯片良率超過96%，能夠充分滿足下游功率器件對高可靠性的應用需求，已達到行業領先水平。

據悉，瀚天天成是中國首家實現3英寸、4英寸和6英寸碳化硅外延晶片商業化批量供應的企業。此次12英寸外延晶片的成功開發，背后離不開本土半導體設備廠商的支撐。晶盛機電交付的12英寸單片式碳化硅外延生長設備，可兼容8、12英寸SiC外延生產，其獨創的垂直分流進氣方案，實現了晶圓表面溫度高精度閉環控制、工藝氣體精確分區控制等核心技術突破；同時設備配備自動化上/下料模塊及一鍵自動PM（預防性維護）輔助功能，大幅提升顆粒控制能力和維護效率。

值得注意的是，該設備所配套的12英寸襯底由浙江晶瑞SuperSiC提供，實現了從襯底、外延設備到外延晶片的全面國產化協同。

高質量12英寸碳化硅外延片的突破，標志著我國距離碳化硅功率器件制造進入12英寸時代更近一步。目前，晶盛機電、天岳先進、爍科晶體、天成半導體等企業已實現12英寸碳化硅襯底制備，國內12英寸碳化硅產業鏈路正逐步構建成型。

當前，全球碳化硅市場正迎來爆發式增長，2025年市場規模已突破400億元，未來有望成長為萬億級賽道。此前，美國Wolfspeed、歐洲意法半導體、日本住友電工等海外企業在技術積累和渠道布局上占據優勢；如今，我國企業憑借技術突破速度、本土市場需求支撐和產業鏈協同優勢，正實現從跟跑到領跑的跨越。

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12英寸碳化硅外延片突破！外延設備同步交付

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