最近,三星舉辦了題為“加快創(chuàng)新速度”的“三星先進(jìn)代工生態(tài)系統(tǒng)論壇”,公布了在芯片代工制造領(lǐng)域的一系列重要技術(shù)創(chuàng)新和業(yè)務(wù)發(fā)展計(jì)劃。
在論壇上,三星詳細(xì)介紹了他們的2納米制造工藝量產(chǎn)計(jì)劃和性能水平,并宣布從2025年開始提供8英寸氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體代工服務(wù),以滿足人工智能技術(shù)的需求。這種半導(dǎo)體具有高性能低功耗的特點(diǎn),在消費(fèi)類電子、數(shù)據(jù)中心和汽車等領(lǐng)域?qū)⒌玫綇V泛應(yīng)用。
早在今年3月,就有報(bào)道指出三星計(jì)劃投資約2,000億韓元(約1.54億美元)用于生產(chǎn)碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體,主要用于電源管理IC。現(xiàn)在的消息顯示,三星將采用8英寸晶圓來生產(chǎn)碳化硅和氮化鎵芯片,而不是像大多數(shù)廠商使用的6英寸晶圓。
此外,三星還計(jì)劃使用8英寸晶圓制造MicroLED。他們的先進(jìn)技術(shù)研究院已經(jīng)擁有相關(guān)的氮化鎵技術(shù)。
三星選擇使用8英寸晶圓進(jìn)行功率半導(dǎo)體生產(chǎn)具有引人注目的意義,因?yàn)榇蠖鄶?shù)廠商在碳化硅芯片方面使用的是4英寸和6英寸晶圓。而對(duì)于氮化鎵芯片來說,8英寸晶圓正變得越來越普遍。
碳化硅和氮化鎵相較于硅具有更高的耐用性和能源效率,因此被廣泛應(yīng)用于最新的電源管理IC。汽車行業(yè)普遍青睞碳化硅,而氮化鎵則在無線通信領(lǐng)域獲得更多應(yīng)用機(jī)會(huì),主要因?yàn)槠淇焖偾袚Q的特點(diǎn)。
編輯:黃飛
-
制造工藝
+關(guān)注
關(guān)注
2文章
213瀏覽量
21287 -
氮化鎵
+關(guān)注
關(guān)注
67文章
1893瀏覽量
119776 -
人工智能
+關(guān)注
關(guān)注
1817文章
50098瀏覽量
265394 -
功率半導(dǎo)體
+關(guān)注
關(guān)注
23文章
1463瀏覽量
45195 -
三星
+關(guān)注
關(guān)注
1文章
1766瀏覽量
34194
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
產(chǎn)能告急!2026年8英寸芯片價(jià)格最高暴漲20%
兩大半導(dǎo)體巨頭,關(guān)廠!
安森美推出垂直氮化鎵功率半導(dǎo)體
重慶首個(gè)8英寸MEMS特色芯片全產(chǎn)業(yè)鏈項(xiàng)目“奧松半導(dǎo)體項(xiàng)目”迎來重大進(jìn)展
納微半導(dǎo)體攜手力積電,啟動(dòng)8英寸氮化鎵晶圓量產(chǎn)計(jì)劃
從清華大學(xué)到鎵未來科技,張大江先生在半導(dǎo)體功率器件十八年的堅(jiān)守!
三星在4nm邏輯芯片上實(shí)現(xiàn)40%以上的測(cè)試良率
納微半導(dǎo)體GaNSafe?氮化鎵功率芯片正式通過車規(guī)認(rèn)證
三星辟謠晶圓廠暫停中國(guó)業(yè)務(wù)
意法半導(dǎo)體:推進(jìn)8英寸SiC戰(zhàn)略,引領(lǐng)行業(yè)規(guī)模化發(fā)展
意法半導(dǎo)體與英諾賽科簽署氮化鎵技術(shù)開發(fā)與制造協(xié)議 借力雙方制造產(chǎn)能
GaN驅(qū)動(dòng)技術(shù)手冊(cè)免費(fèi)下載 氮化鎵半導(dǎo)體功率器件門極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)方案
納微半導(dǎo)體發(fā)布雙向GaNFast氮化鎵功率芯片
我國(guó)首發(fā)8英寸氧化鎵單晶,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)迎新突破!
三星計(jì)劃入局8英寸氮化鎵功率半導(dǎo)體代工服務(wù)
評(píng)論