科友半導體8英寸碳化硅(SiC)中試線在2023年4月正式貫通后,同步推進晶體生長厚度、良率提升和襯底加工產線建設,加快襯底加工設備調試與工藝參數優化。
工作人員夜以繼日、分秒必爭,SiC襯底加工良率和面型參數上不斷取得新的進展。
2023年9月,科友首批自產8英寸SiC襯底于科友產學研聚集區襯底加工車間成功下線,這標志著科友在8英寸SiC襯底加工,以及大尺寸襯底產業化方面邁出了堅實一步。
審核編輯:劉清
聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。
舉報投訴
-
半導體
+關注
關注
339文章
30737瀏覽量
264186 -
SiC
+關注
關注
32文章
3721瀏覽量
69415 -
碳化硅
+關注
關注
26文章
3464瀏覽量
52353
原文標題:恭喜!科友半導體官宣,首批8吋碳化硅襯底下線
文章出處:【微信號:today_semicon,微信公眾號:今日半導體】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。
發布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
碳化硅襯底 TTV 厚度不均勻性測量的特殊采樣策略
質量評估提供更可靠的數據支持。
引言
在碳化硅半導體制造領域,晶圓總厚度變化(TTV)不均勻性是影響器件性能和良率的關鍵因素。精確測量 TTV 厚度不均勻性有助于及時發
碳化硅襯底 TTV 厚度測量中邊緣效應的抑制方法研究
摘要
本文針對碳化硅襯底 TTV 厚度測量中存在的邊緣效應問題,深入分析其產生原因,從樣品處理、測量技術改進及數據處理等多維度研究抑制方法,旨在提高 TTV 測量準確性,為碳化硅半導體
探針式碳化硅襯底 TTV 厚度測量儀的操作規范與技巧
本文圍繞探針式碳化硅襯底 TTV 厚度測量儀,系統闡述其操作規范與實用技巧,通過規范測量流程、分享操作要點,旨在提高測量準確性與效率,為半導體制造過程中碳化硅
【新啟航】探針式碳化硅襯底 TTV 厚度測量儀的操作規范與技巧
摘要
本文圍繞探針式碳化硅襯底 TTV 厚度測量儀,系統闡述其操作規范與實用技巧,通過規范測量流程、分享操作要點,旨在提高測量準確性與效率,為半導體制造過程中碳化硅
【新啟航】碳化硅襯底 TTV 厚度測量中表面粗糙度對結果的影響研究
理論依據。
引言
在第三代半導體產業中,碳化硅襯底的質量對芯片性能和良率起著決定性作用,晶圓總厚度變化(TTV)作為衡量碳化硅襯底質量的關鍵
【新啟航】國產 VS 進口碳化硅襯底 TTV 厚度測量儀的性價比分析
本文通過對比國產與進口碳化硅襯底 TTV 厚度測量儀在性能、價格、維護成本等方面的差異,深入分析兩者的性價比,旨在為半導體制造企業及科研機構選購測量設備提供科學依據,助力優化資源配置。
引言
在
碳化硅襯底 TTV 厚度測量數據異常的快速診斷與處理流程
,為半導體制造工藝的穩定運行提供支持。
引言
在碳化硅半導體制造過程中,TTV 厚度測量數據是評估襯底質量的關鍵依據。然而,受測量設備性能波動、環境變化、樣品特性
激光干涉法在碳化硅襯底 TTV 厚度測量中的精度提升策略
提供理論與技術支持。
引言
隨著碳化硅半導體產業的蓬勃發展,對碳化硅襯底質量要求日益嚴苛,晶圓總厚度變化(TTV)作為關鍵質量指標,其精確測量至關重要。激光干涉法
【新啟航】碳化硅襯底 TTV 厚度測量設備的日常維護與故障排查
,為碳化硅襯底生產與研發提供可靠的測量保障。
引言
在碳化硅半導體產業中,精確測量襯底 TTV 厚度對把控產品質量、優化生產工藝至關重要。而
【新啟航】如何解決碳化硅襯底 TTV 厚度測量中的各向異性干擾問題
摘要
本文針對碳化硅襯底 TTV 厚度測量中各向異性帶來的干擾問題展開研究,深入分析干擾產生的機理,提出多種解決策略,旨在提高碳化硅襯底 TTV 厚度測量的準確性與可靠性,為
切割進給量與碳化硅襯底厚度均勻性的量化關系及工藝優化
引言
在碳化硅襯底加工過程中,切割進給量是影響其厚度均勻性的關鍵工藝參數。深入探究二者的量化關系,并進行工藝優化,對提升碳化硅襯底質量、滿足半導體
國產SiC碳化硅功率半導體企業引領全球市場格局重構
SiC碳化硅MOSFET國產化替代浪潮:國產SiC碳化硅功率半導體企業引領全球市場格局重構 1 國產SiC碳化硅功率半導體企業的崛起與技術突
全球產業重構:從Wolfspeed破產到中國SiC碳化硅功率半導體崛起
從Wolfspeed破產到中國碳化硅崛起:國產SiC碳化硅功率半導體的范式突破與全球產業重構 一、Wolfspeed的隕落:技術霸權崩塌的深層邏輯 作為碳化硅(SiC)領域的先驅,Wo
科友半導體官宣,首批8吋碳化硅襯底下線
評論