完善資料讓更多小伙伴認識你，還能領取20積分哦，立即完善>
標簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。
金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。 碳化硅又稱碳硅石。在當代C、N、B等非氧化物高技術耐火原料中，碳化硅為應用最廣泛、最經濟的一種，可以稱為金鋼砂或耐火砂。 目前中國工業生產的碳化硅分為黑色碳化硅和綠色碳化硅兩種，均為六方晶體，比重為3.20～3.25，顯微硬度為2840～3320kg/mm2。
金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。 碳化硅又稱碳硅石。在當代C、N、B等非氧化物高技術耐火原料中，碳化硅為應用最廣泛、最經濟的一種，可以稱為金鋼砂或耐火砂。 目前中國工業生產的碳化硅分為黑色碳化硅和綠色碳化硅兩種，均為六方晶體，比重為3.20～3.25，顯微硬度為2840～3320kg/mm2。
理化性質
物質特性
碳化硅由于化學性能穩定、導熱系數高、熱膨脹系數小、耐磨性能好，除作磨料用外，還有很多其他用途，例如：以特殊工藝把碳化硅粉末涂布于水輪機葉輪或汽缸體的內壁，可提高其耐磨性而延長使用壽命1～2倍；用以制成的高級耐火材料，耐熱震、體積小、重量輕而強度高，節能效果好。低品級碳化硅（含SiC約85%）是極好的脫氧劑，用它可加快煉鋼速度，并便于控制化學成分，提高鋼的質量。此外，碳化硅還大量用于制作電熱元件硅碳棒。
碳化硅的硬度很大，莫氏硬度為9.5級，僅次于世界上最硬的金剛石（10級），具有優良的導熱性能，是一種半導體，高溫時能抗氧化。
碳化硅至少有70種結晶型態。α-碳化硅為最常見的一種同質異晶物，在高于2000 °C高溫下形成，具有六角晶系結晶構造（似纖維鋅礦）。β-碳化硅，立方晶系結構，與鉆石相似，則在低于2000 °C生成，結構如頁面附圖所示。雖然在異相觸媒擔體的應用上，因其具有比α型態更高之單位表面積而引人注目，而另一種碳化硅，μ-碳化硅最為穩定，且碰撞時有較為悅耳的聲音，但直至今日，這兩種型態尚未有商業上之應用。
因其3.2g/cm3的比重及較高的升華溫度（約2700 °C），碳化硅很適合做為軸承或高溫爐之原料物件。在任何已能達到的壓力下，它都不會熔化，且具有相當低的化學活性。由于其高熱導性、高崩潰電場強度及高最大電流密度，在半導體高功率元件的應用上，不少人試著用它來取代硅［1］。此外，它與微波輻射有很強的耦合作用，并其所有之高升華點，使其可實際應用于加熱金屬。
純碳化硅為無色，而工業生產之棕至黑色系由于含鐵之不純物。晶體上彩虹般的光澤則是因為其表面產生之二氧化硅保護層所致。
物質結構
純碳化硅是無色透明的晶體。工業碳化硅因所含雜質的種類和含量不同，而呈淺黃、綠、藍乃至黑色，透明度隨其純度不同而異。［1］ 碳化硅晶體結構分為六方或菱面體的 α-SiC和立方體的β-SiC（稱立方碳化硅）。α-SiC由于其晶體結構中碳和硅原子的堆垛序列不同而構成許多不同變體，已發現70余種。β-SiC于2100℃以上時轉變為α-SiC。碳化硅的工業制法是用優質石英砂和石油焦在電阻爐內煉制。煉得的碳化硅塊，經破碎、酸堿洗、磁選和篩分或水選而制成各種粒度的產品。
電子發燒友綜合報道，SiC MOSFET能顯著降低導通電阻、提升開關速度、減少能量損失，并支持更高的功率密度，直接推動逆變器小型化與整車效率提升，已經成...
在有源電力濾波器（APF）系統中，功率器件的選擇直接影響整機的濾波性能、效率與可靠性。隨著電網電能質量要求日益提高，APF需要具備更高的開關頻率、更低的...
SiC碳化硅功率半導體時代的EMI建模實戰：如何利用示波器FFT結果反推PCB布線缺陷
SiC碳化硅功率半導體時代的EMI建模實戰：如何利用示波器FFT結果反推PCB布線缺陷 寬禁帶半導體技術演進與電磁兼容（EMC）的深刻變革 在全球能源結...
浮思特 | SiC功率模塊新標桿：至信微SMC300HB120E2A1如何重塑高壓功率設計
在新能源與高功率電子快速發展的背景下，功率器件正朝著更高效率、更高頻率與更高可靠性的方向不斷演進。尤其是在電動汽車快充、儲能系統及工業電源等場景中，傳統...
英偉達在 2025 年 Computex 上宣布的 800 V 高電壓直流架構 — 從根本上改變了人工智能工廠的電力傳輸方式，直接提升了 GPU 密度和...
浮思特 | 面向1500V系統，至信微2000V SiC二極管帶來哪些改變
在高壓電源系統持續向高效率、高可靠性演進的背景下，器件選型的重要性愈發凸顯。尤其是在1500V系統逐漸成為主流的今天，傳統器件在耐壓裕量、損耗控制以及高...
選型避坑提醒：切勿盲目追求高參數、高性能，適合自身系統場景才是最優解；所有參數務必預留安全余量，尤其電壓、電流和溫度指標，杜絕滿負荷運行導致的器件失效。
碳化硅 (SiC) MOSFET 功率器件熱設計基礎與工程實踐
在電力電子行業向高效化、高功率密度轉型的背景下，碳化硅（SiC）作為第三代寬禁帶半導體的核心代表，正憑借其優異的物理特性重塑功率器件市場格局。電子聚焦新...
氮化硼墊片在第三代半導體功率器件SiC碳化硅IGBT單管內外絕緣應用方案
摘要隨著電力電子技術的飛速發展，第三代半導體材料SiC碳化硅因其優異的物理和電學性能，在IGBT單管等高性能器件中得到了廣泛應用。絕緣方案作為影響SiC...
碳化硅（SiC）MOS管作為寬禁帶半導體的核心器件，憑借高耐壓、高頻化、低損耗及耐高溫特性，在新能源汽車、光伏逆變、工業電源等領域逐步替代傳統硅基IGB...
STPSC12C065-Y汽車650V功率肖特基碳化硅二極管規格書立即下載
類別：IC datasheet pdf 2024-09-05 標簽：二極管肖特基碳化硅
智融科技SW1192斬獲2026中國IC設計成就獎年度電源管理IC稱號
智融科技SW1192——可直驅碳化硅(SiC)高頻準諧振模式反激控制器，憑借領先的技術創新、成熟的量產能力與優異的系統表現獲選為2026年度中國IC設計...
碳化硅(SiC)模塊短路保護與多級自適應去飽和(DESAT)技術研究
在現代高頻、高功率密度電力電子轉換系統（如新能源汽車牽引逆變器、儲能系統、大功率直流快充以及光伏并網逆變器）中，碳化硅（SiC）MOSFET憑借其革命性...
電子發燒友綜合報道，SiC MOSFET能顯著降低導通電阻、提升開關速度、減少能量損失，并支持更高的功率密度，直接推動逆變器小型化與整車效率提升，已經成...
碳化硅 (SiC) MOSFET 雙脈沖實驗 (DPT) 數據處理與開關損耗精準提取
碳化硅 (SiC) MOSFET 雙脈沖實驗 (DPT) 數據處理與開關損耗精準提取技術研究報告 1. 碳化硅功率器件動態表征的工程背景與物理挑戰 在現...
在化工分離與反應設備中，填料環的性能直接影響著系統的效率、能耗與運行壽命。傳統金屬或普通陶瓷填料在強腐蝕、高溫及頻繁啟停的苛刻工況下，往往面臨腐蝕失效、...
2026-04-01 標簽：碳化硅 45 0
碳化硅 (SiC) 功率模塊短路保護 (DESAT) 優化：檢測時間壓縮至 500ns 的新型電路
碳化硅 (SiC) 功率模塊短路保護 (DESAT) 優化：檢測時間壓縮至 500ns 的新型電路與系統級協同控制策略研究 引言 在全球能源結構向低碳化...
碳化硅（SiC）電力電子設備中的應用：阻抗特性的多維解析與智能化演進
碳化硅（SiC）電力電子設備中的應用：阻抗特性的多維解析與智能化演進 現代電力電子技術演進與碳化硅（SiC）時代的阻抗挑戰 在全球能源結構向可再生能源轉...
開源實戰！1KW 80Plus 金牌 ATX 電源設計全流程，基于芯茂微碳化硅方案，徹底解決炸機 / 認證 / 成本痛點
前言 各位電源圈的發燒友、工程師朋友們，大家好！ 深耕大功率 ATX 電源研發 1 年，踩過的坑能繞實驗室三圈。去年攻堅 1KW 80Plus 金牌電源...
從張雪機車的精神內核到傾佳楊茜死磕固變SST固態變壓器的產業啟示
全球先進制造的產業格局正處于一場深刻的范式轉移之中。以中國高端制造企業為代表的新興力量，正在系統性地瓦解由歐洲、日本和美國老牌工業巨頭所長期把持的產業壟斷。
2026年3月27日，2026（春季）亞洲充電展（Asia Charging Expo） 在深圳前海國際會議中心盛大開幕。作為全球能源電子技術領域最具影...
換一批
編輯推薦廠商產品技術軟件/工具OS/語言教程專題
| 電機控制 | DSP | 氮化鎵 | 功率放大器 | ChatGPT | 自動駕駛 | TI | 瑞薩電子 |
| BLDC | PLC | 碳化硅 | 二極管 | OpenAI | 元宇宙 | 安森美 | ADI |
| 無刷電機 | FOC | IGBT | 逆變器 | 文心一言 | 5G | 英飛凌 | 羅姆 |
| 直流電機 | PID | MOSFET | 傳感器 | 人工智能 | 物聯網 | NXP | 賽靈思 |
| 步進電機 | SPWM | 充電樁 | IPM | 機器視覺 | 無人機 | 三菱電機 | ST |
| 伺服電機 | SVPWM | 光伏發電 | UPS | AR | 智能電網 | 國民技術 | Microchip |
| 開關電源 | 步進電機 | 無線充電 | LabVIEW | EMC | PLC | OLED | 單片機 |
| 5G | m2m | DSP | MCU | ASIC | CPU | ROM | DRAM |
| NB-IoT | LoRa | Zigbee | NFC | 藍牙 | RFID | Wi-Fi | SIGFOX |
| Type-C | USB | 以太網 | 仿真器 | RISC | RAM | 寄存器 | GPU |
| 語音識別 | 萬用表 | CPLD | 耦合 | 電路仿真 | 電容濾波 | 保護電路 | 看門狗 |
| CAN | CSI | DSI | DVI | Ethernet | HDMI | I2C | RS-485 |
| SDI | nas | DMA | HomeKit | 閾值電壓 | UART | 機器學習 | TensorFlow |
| Arduino | BeagleBone | 樹莓派 | STM32 | MSP430 | EFM32 | ARM mbed | EDA |
| 示波器 | LPC | imx8 | PSoC | Altium Designer | Allegro | Mentor | Pads |
| OrCAD | Cadence | AutoCAD | 華秋DFM | Keil | MATLAB | MPLAB | Quartus |
| C++ | Java | Python | JavaScript | node.js | RISC-V | verilog | Tensorflow |
| Android | iOS | linux | RTOS | FreeRTOS | LiteOS | RT-THread | uCOS |
| DuerOS | Brillo | Windows11 | HarmonyOS |
關注我們的微信
下載發燒友APP
機器人發燒友
版權所有 ? 長沙勒克斯教育咨詢有限公司
湖南省長沙市開福區月湖街道匍園路20號聚恒科技園1棟2301-1房
電子發燒友 （電路圖） 湘公網安備43011202000918
工商網監
湘ICP備2023036445號-105-1
