德州儀器正在將GaN半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝向8英寸過渡
德州儀器，作為全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商，近日宣布正在積極推進(jìn)其氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝從當(dāng)前的6英寸向8英寸過渡。這一重大舉措旨在進(jìn)一步提高生產(chǎn)效率、降低成本，并鞏固公司在GaN半導(dǎo)體市場的領(lǐng)先地位。
據(jù)德州儀器韓國總監(jiān)Ju-Yong Shin透露，公司傳統(tǒng)上采用6英寸工藝生產(chǎn)氮化鎵半導(dǎo)體，但隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步和市場需求的日益增長，6英寸工藝已逐漸難以滿足高效、大規(guī)模的生產(chǎn)需求。因此，德州儀器決定對生產(chǎn)工藝進(jìn)行升級，以適應(yīng)市場發(fā)展的新趨勢。
德州儀器計劃在其位于達(dá)拉斯的工廠率先實現(xiàn)這一過渡，預(yù)計將在2025年之前完成8英寸工藝的量產(chǎn)。同時，位于日本會津的工廠也正在緊鑼密鼓地將現(xiàn)有的硅基8英寸產(chǎn)線轉(zhuǎn)換為GaN半導(dǎo)體產(chǎn)線，以進(jìn)一步提升公司的整體產(chǎn)能和效率。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
半導(dǎo)體
+關(guān)注
關(guān)注
339文章
30737瀏覽量
264093 -
德州儀器
+關(guān)注
關(guān)注
123文章
1974瀏覽量
145128 -
GaN
+關(guān)注
關(guān)注
21文章
2366瀏覽量
82301
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點推薦
德州儀器 TPSM8D6B24 電源模塊：特性、應(yīng)用與設(shè)計指南
德州儀器 TPSM8D6B24 電源模塊：特性、應(yīng)用與設(shè)計指南 在電子設(shè)計領(lǐng)域，電源模塊的性能和可靠性對整個系統(tǒng)的穩(wěn)定性起著至關(guān)重要的作用。德州儀器（Texas Instruments
德州儀器LMG2610：650V GaN半橋的卓越性能與應(yīng)用解析
德州儀器LMG2610：650V GaN半橋的卓越性能與應(yīng)用解析 在當(dāng)今的電源設(shè)計領(lǐng)域，高效、緊湊且可靠的電源解決方案需求日益增長。德州儀器（TI）的LMG2610作為一款集成650 - V
德州儀器半導(dǎo)體技術(shù)助力儲能系統(tǒng)革新
在能源變革的新紀(jì)元，挑戰(zhàn)與機(jī)遇并存。德州儀器始終站在技術(shù)創(chuàng)新前沿，以先進(jìn)的半導(dǎo)體解決方案推動能源基礎(chǔ)設(shè)施的智能化升級。
德州儀器：銅鍵合線在半導(dǎo)體封裝中的應(yīng)用變革
德州儀器：銅鍵合線在半導(dǎo)體封裝中的應(yīng)用變革 在半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域，鍵合線的選擇對產(chǎn)品的性能、成本和供應(yīng)穩(wěn)定性有著至關(guān)重要的影響。德州儀器（TI）發(fā)布的PCN#20160608001通知，宣
德州儀器解讀未來能源中的半導(dǎo)體創(chuàng)新
能源變革催生并激發(fā)更智能高效的電網(wǎng)和能源系統(tǒng)，并將電力架構(gòu)推向下一個階段。德州儀器始終站在技術(shù)創(chuàng)新前沿，以先進(jìn)的半導(dǎo)體解決方案推動能源基礎(chǔ)設(shè)施的智能化升級。通過“能源深度場”專欄，我們將聚焦可持續(xù)能源發(fā)展中
Neway第三代GaN系列模塊的生產(chǎn)成本
Neway第三代GaN系列模塊的生產(chǎn)成本Neway第三代GaN系列模塊的生產(chǎn)成本受材料、工藝、規(guī)模、封裝設(shè)計及市場定位等多重因素影響，整體呈
發(fā)表于 12-25 09:12
50.6億！中國首條8英寸MEMS晶圓全自動生產(chǎn)線，正式投產(chǎn)
線、全國首條工藝設(shè)備配套齊全的壓電MEMS量產(chǎn)線正式投產(chǎn)，在半導(dǎo)體領(lǐng)域引發(fā)廣泛關(guān)注。 據(jù)悉，華鑫微納8英寸MEMS晶圓生產(chǎn)線項目由安徽華鑫微
MOCVD技術(shù)丨實現(xiàn)6英寸藍(lán)寶石基板GaN基LED關(guān)鍵突破
在半導(dǎo)體照明與光電子領(lǐng)域，氮化鎵（GaN）基發(fā)光二極管（LED）憑借其卓越性能，長期占據(jù)研究焦點位置。它廣泛應(yīng)用于照明、顯示、通信等諸多關(guān)鍵領(lǐng)域。在6英寸藍(lán)寶石基板上，基于六方氮化硼（h-BN）模板
奧松半導(dǎo)體8英寸MEMS項目迎重大進(jìn)展 首臺光刻機(jī)入駐
奧松傳感傳來好消息，在7月14日11時38分，重慶奧松半導(dǎo)體特色芯片產(chǎn)業(yè)基地（下稱“奧松半導(dǎo)體項目”）迎來具有里程碑意義的時刻——8英寸生產(chǎn)
重慶首個8英寸MEMS特色芯片全產(chǎn)業(yè)鏈項目“奧松半導(dǎo)體項目”迎來重大進(jìn)展
7月14日中午，隨著首臺8英寸生產(chǎn)線光刻機(jī)設(shè)備被吊車移進(jìn)位于高新區(qū)的重慶奧松半導(dǎo)體特色芯片產(chǎn)業(yè)基地（下稱“奧松半導(dǎo)體項目”），標(biāo)志著這一項目
納微半導(dǎo)體攜手力積電，啟動8英寸氮化鎵晶圓量產(chǎn)計劃
關(guān)系 ，正式啟動并持續(xù)推進(jìn)業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的 8英寸硅基氮化鎵技術(shù)生產(chǎn)。 納微半導(dǎo)體預(yù)計將使用位于臺灣苗栗竹南科學(xué)園區(qū)的力積電8B廠的
發(fā)表于 07-02 17:21
?1748次閱讀
微電機(jī)軸心的研磨生產(chǎn)工藝及調(diào)試技術(shù)
純分享帖，需要者可點擊附件免費獲取完整資料~~~*附件：微電機(jī)軸心的研磨生產(chǎn)工藝及調(diào)試技術(shù).pdf【免責(zé)聲明】本文系網(wǎng)絡(luò)轉(zhuǎn)載，版權(quán)歸原作者所有。本文所用視頻、圖片、文字如涉及作品版權(quán)問題，請第一時間告知，刪除內(nèi)容！
發(fā)表于 06-24 14:10
600億美元重大投資！模擬芯片巨頭德州儀器突傳重磅
電子發(fā)燒友原創(chuàng) 章鷹 據(jù)外媒報道，6月18日，美國芯片大廠德州儀器表示，將斥資600億美元擴(kuò)大在美國的制造業(yè)務(wù)。這是在特朗普政府要求重建半導(dǎo)體供應(yīng)鏈的壓力下，最新一家宣布提高美國國內(nèi)芯片產(chǎn)量的公司
Leadway電源模塊和TI（德州儀器）、Murata（村田）相比有哪些優(yōu)勢？
Leadway電源模塊和TI（德州儀器）、Murata（村田）相比有哪些優(yōu)勢？Leadway電源模塊提供高性能、高可靠性的國產(chǎn)電源解決方案，以其高效率、寬輸入電壓范圍和緊湊封裝為特點。擅長替代TI
發(fā)表于 04-14 10:17
我國首發(fā)8英寸氧化鎵單晶，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)迎新突破！
2025年3月5日，杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司（以下簡稱“鎵仁半導(dǎo)體”）宣布，成功發(fā)布全球首顆第四代半導(dǎo)體氧化鎵8英寸單晶。這一重大突破不僅標(biāo)志
工商網(wǎng)監(jiān)
評論