飛兆半導體開發出功率級非對稱雙MOSFET模塊FDMS36xxS

　　為了幫助設計人員應對這些挑戰，飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)開發出FDMS36xxS系列功率級非對稱雙 MOSFET模塊。

　　FDMS36xxS系列器件在PQFN封裝中結合了控制和同步MOSFET，以及一個肖特基體二極管。這些器件的開關節點已獲內部連接，能夠輕易進行同步降壓轉換器的布局和走線。控制MOSFET(Q1)和同步MOSFET(SyncFET)(Q2)經專門設計，為高達30A的輸出電流實現最佳功效。FDMS36xxS系列將上述器件集成在一個模塊中，可替代兩個或更多的5mm x 6mm PQFN、S08和DPAK封裝，有效減少線路板空間。

　　FDMS36XXS系列產品采用飛兆半導體先進的電荷平衡架構(屏蔽柵極技術)和先進封裝技術，可在高性能計算的額定擊穿電壓下，獲得低于2mΩ的業界領先低端RDS(ON) 。該系列產品經過優化，以便最大限度地減小300kHz至600KHz范圍的綜合傳導損耗和開關損耗，為負載點和多相同步降壓DC-DC應用帶來可靠的最高功效。

　　FDMS36xxS系列功率級非對稱雙MOSFET使用獨特的屏蔽電壓調制架構和超低源極電感封裝設計，具有低開關噪聲、低設計變化敏感度和較高的設計可靠性。低開關噪聲可以省去需要外部緩沖器或柵極電阻的緩減設計，從而降低設計BOM成本并且節省額外的線路板空間。

　　FDMS36xxS系列器件目前包括：FDMS3602S和FDMS3604AS PowerTrench功率級非對稱N溝道雙MOSFET。飛兆半導體將會根據研究和客戶需求增添更多的器件。兩款FDMS36xxS系列器件均滿足RoHS標準要求。

　　這些非對稱結構功率級雙MOSFET模塊是飛兆半導體全面廣泛的先進MOSFET產品系列的組成部分，為電源設計人員提供了適用于關鍵任務的高效信息處理設計的全面解決方案。

　　價格(訂購1,000個):

　　FDMS3602S的單價為1.86美元

　　FDMS3604AS的單價為1.62美元

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功率半導體概述功率半導體是一種特殊的半導體器件，它們在電力系統中扮演著至關重要的角色。這些器件能夠高效地控制和調節電力的流動，包括電壓和頻率的轉換，以及交流電（AC）和直流電（DC）之間的轉換。這種

2025-08-25 15:30:17

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如何在 MA35 系列微處理器（MPU）上開發 AMP（非對稱多處理）應用程序？

如何在 MA35 系列微處理器（MPU）上開發 AMP（非對稱多處理）應用程序，并通過建立多個端點的過程促進與其他內核的多通道數據傳輸。

2025-08-19 06:11:45

森國科推出SOT227封裝碳化硅功率模塊

碳化硅（SiC）功率半導體技術引領者森國科，推出了采用SOT227封裝的SiC MOSFET及JBS功率模塊系列。這一突破性封裝方案結合了高功率密度與系統級可靠性，為新能源發電、工業電源及電動汽車等領域提供高效能解決方案。

2025-08-16 13:50:09

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基本半導體推出34mm封裝的全碳化硅MOSFET半橋模塊

基本半導體推出34mm封裝的全碳化硅MOSFET半橋模塊，該系列產品采用第三代碳化硅MOSFET芯片技術，在比導通電阻、開關損耗、可靠性等方面表現更出色。

2025-08-01 10:25:14

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RIGOL功率半導體動態性能測試解決方案

功率變換器是電能利用的重要裝置，其性能主要取決于其核心—功率半導體器件，常見類型有 MOSFET、IGBT 和二極管。傳統 Si 器件已逼近材料極限，成為進一步提升效率和功率密度的瓶頸。

2025-07-29 11:15:20

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深愛半導體代理 SIC213XBER / SIC214XBER 高性能單相IPM模塊

深愛半導體推出新品IPM模塊 IPM（Intelligent Power Module，智能功率模塊）是集成了功率器件、驅動電路、保護功能的“系統級”功率半導體方案。其高度集成方案可縮減 PCB

2025-07-23 14:36:03

國內最大！長飛先進武漢基地投產，明治傳感助力半導體智造升級

近日，總投資超200億元的長飛先進半導體基地項目正式運營投產。該項目是目前國內規模最大的碳化硅半導體基地，年產36萬片6英寸碳化硅晶圓，可滿足144萬輛新能源汽車制造需求，推動我國第三代半導體實現

2025-07-22 07:33:22

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現代集成電路半導體器件

目錄第1章?半導體中的電子和空穴第2章?電子和空穴的運動與復合第3章?器件制造技術第4章?PN結和金屬半導體結第5章?MOS電容第6章?MOSFET晶體管第7章?IC中的MOSFET

2025-07-12 16:18:42

功率半導體器件——理論及應用

本書較全面地講述了現有各類重要功率半導體器件的結構、基本原理、設計原則和應用特性，有機地將功率器件的設計、器件中的物理過程和器件的應用特性聯系起來。書中內容由淺入深，從半導體的性質、基本的半導體

2025-07-11 14:49:36

從原理到應用，一文讀懂半導體溫控技術的奧秘

無機械傳動部件可減少因機械磨損帶來的故障。行業內的半導體溫控產品擁有多樣化的產品線，能適配不同的溫控需求場景。其中，半導體 TEC 溫控驅動模塊是具有代表性的產品類型，部分單通道、大電流、多通道大功率

2025-06-25 14:44:54

Littelfuse非對稱TVS二極管在SiC MOSFET柵極驅動器中的應用

碳化硅（SiC）MOSFET在電源和電力電子領域的應用越來越廣泛。隨著功率半導體領域的發展，開關損耗也在不斷降低。隨著開關速度的不斷提高，設計人員應更加關注MOSFET的柵極驅動電路，確保

2025-06-24 09:20:47

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選擇基本半導體SiC碳化硅功率模塊，賦能盤式電機驅動新紀元

傳統硅基IGBT受限于開關損耗和頻率瓶頸，而碳化硅(SiC)功率模塊憑借材料優勢，成為理想選擇。基本半導體推出的BMF240R12E2G3與BMF008MR12E2G3兩款SiC MOSFET模塊，憑借其高性能與高可靠性，為盤式電機驅動器帶來革新突破。

2025-06-19 16:59:06

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熱泵與空調全面跨入SiC碳化硅功率半導體時代：能效革命與產業升級

傳統IGBT，成為高效節能解決方案的核心引擎。這場變革不僅意味著能效的躍升，更將重塑產業競爭格局。傾佳電子（Changer Tech）-專業汽車連接器及功率半導體(SiC碳化硅MOSFET單管，SiC碳化硅MOSFET模塊，碳化硅SiC-MOSFET驅動芯片，SiC功率模塊驅動

2025-06-09 07:07:17

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國產SiC碳化硅功率半導體企業引領全球市場格局重構

SiC碳化硅MOSFET國產化替代浪潮：國產SiC碳化硅功率半導體企業引領全球市場格局重構 1 國產SiC碳化硅功率半導體企業的崛起與技術突破 1.1 國產SiC碳化硅功率半導體企業從Fabless

2025-06-07 06:17:30

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初級元器件知識之功率MOSFET

氧化物半導體 FET)主要被用于線性或開關電源應用。他們為什么要發明功率MOSFET？當把雙極型三極管按照比例提高到功率應用的時候，它顯露出一些惱人的局限性。確實，你仍然可以在洗衣機、空調機

2025-06-03 15:39:43

國產SiC碳化硅功率模塊全面取代進口IGBT模塊的必然性

國產SiC模塊全面取代進口IGBT模塊的必然性 ——傾佳電子楊茜 BASiC基本半導體一級代理傾佳電子（Changer Tech）-專業汽車連接器及功率半導體(SiC碳化硅MOSFET單管，SiC

2025-05-18 14:52:08

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基本半導體攜碳化硅功率器件亮相PCIM Europe 2025

近日，全球電力電子領域的“頂流”盛會——PCIM Europe 2025在德國紐倫堡會展中心盛大開幕。基本半導體攜全系列碳化硅功率器件及門極驅動解決方案盛裝亮相，并隆重發布新一代碳化硅MOSFET

2025-05-09 09:19:10

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基本半導體碳化硅（SiC）MOSFET低關斷損耗（Eoff）特性的應用優勢

BASiC基本股份半導體的碳化硅（SiC）MOSFET憑借其低關斷損耗（Eoff）特性，在以下應用中展現出顯著優勢：傾佳電子（Changer Tech）-專業汽車連接器及功率半導體(SiC碳化硅

2025-05-04 09:42:31

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電力電子新未來：珠聯璧合，基本半導體SiC模塊及SiC驅動雙龍出擊

傾佳電子（Changer Tech）-專業汽車連接器及功率半導體(SiC碳化硅MOSFET單管，SiC碳化硅MOSFET模塊，碳化硅SiC-MOSFET驅動芯片，SiC功率模塊驅動板，驅動IC)分銷商

2025-05-03 15:29:13

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納微半導體推出全新SiCPAK功率模塊

納微半導體今日宣布推出最新SiCPAK功率模塊，該模塊采用環氧樹脂灌封技術及納微獨家的“溝槽輔助平面柵”碳化硅MOSFET技術，經過嚴格設計和驗證，適用于最嚴苛的高功率環境，重點確保可靠性與耐高溫

2025-04-22 17:06:39

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會展動態｜TMC2025車規級功率半導體論壇「初步日程+展覽」首發

將聚焦車規級功率半導體前沿技術，匯聚全球頂尖企業與行業領袖。兩天議程覆蓋四大核心板塊： >第三、四代車規級功率半導體全球發展趨勢 >主驅功率半導體應用需求 >SiC/GaN模塊封裝技術革命 >SiC器件創新設計與制造創新比亞迪、吉利、匯川、舍弗勒、采埃孚、

2025-04-17 13:50:46

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TLVM14404 36V 輸入，雙 2A 輸出功率模塊數據手冊

TLVM1440x 是一款高度集成的 36V 輸入型 DC/DC 設計，將功率 MOSFET、屏蔽式電感器和無源器件組合在增強型 HotRod? QFN 封裝中。該器件采用交錯式、可堆疊電流模式控制

2025-04-16 17:02:39

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功率半導體器件IGBT模塊:PPS注塑加工案例

IGBT模塊是一種重要的功率半導體器件，具有結構簡單、容量大、損耗低等優點，被廣泛應用于各種高功率電子設備中。絕緣柵極雙極晶體管（IGBT）功率模塊將MOSFET的高效和快速開關能力與雙極晶體管

2025-04-16 08:06:43

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先楫半導體MCU具有哪些優勢？

能變流器、充電樁功率模塊。AI與機器人：語音識別、視覺SLAM、機器人運動控制、協作機器人。生態與市場戰略開發工具鏈：提供兼容Segger、IAR的商用開發環境，支持FreeRTOS、Zephyr等

2025-04-14 10:04:58

強強聯合！兆易創新與納微半導體達成戰略合作，打造智能、高效、高功率密度的數字電源解決方案

，打造智能、高效、高功率密度的數字電源產品，并配合兆易創新的全產業鏈的管理能力與納微對系統應用的深刻理解，加速在AI數據中心、光伏逆變器、儲能、充電樁和電動汽車商業化布局。作為戰略合作的重要組成部分，兆易創新還將與納微半導體攜手共建聯合

2025-04-09 09:30:43

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兆易創新與納微半導體達成戰略合作高算力MCU+第三代功率半導體的數字電源解決方案

? ? ? 今日，兆易創新宣布與納微半導體正式達成戰略合作！雙方將強強聯合，通過將兆易創新先進的高算力MCU產品和納微半導體高頻、高速、高集成度的氮化鎵技術進行優勢整合，打造智能、高效、高功率

2025-04-08 18:12:44

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碳化硅VS硅基IGBT：誰才是功率半導體之王？

在半導體技術的不斷演進中，功率半導體器件作為電力電子系統的核心組件，其性能與成本直接影響著整個系統的效率與可靠性。碳化硅（SiC）功率模塊與硅基絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）功率模塊作為當前市場上

2025-04-02 10:59:41

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創新非對稱瞬態電壓抑制二極管在SiC MOSFET門保護中的應用

保護半導體設備和電子設備是任何穩健的電源管理和電路設計的關鍵。在本文中，我們將重點介紹非對稱瞬態電壓抑制(TVS)二極管系列，這些二極管非常適合用于硅碳化物(SiC)MOSFET的門保護。瞬態保護

2025-03-27 11:48:51

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MOSFET與IGBT的區別

飛兆半導體的IGBT器件FGP20N6S2 （屬于SMPS2系列）和MOSFET器件 FCP11N60（屬于SuperFET 產品族）。這些產品具有相近的芯片尺寸和相同的熱阻抗RθJC，代表了功率

2025-03-25 13:43:17

ROHM推出超低導通電阻和超寬SOA范圍的Nch功率MOSFET

全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向企業級高性能服務器和AI服務器電源，開發出實現了業界超低導通電阻*1和超寬SOA范圍*2的Nch功率MOSFET*3。

2025-03-13 15:08:04

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全球功率半導體變革：SiC碳化硅功率器件中國龍崛起

SiC碳化硅模塊在電力電子應用中全面取代進口IGBT模塊，助力電力電子行業自主可控和產業升級！傾佳電子楊茜跟住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個必然，勇立功率半導體器件變革潮頭：傾佳電子楊茜跟住SiC碳化硅MOSFET模塊全面取代IGBT模塊和IPM模塊的必

2025-03-13 00:27:37

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請問OpenVINO?工具套件是否支持使用非對稱卷積的支持模型？

無法確定使用非對稱卷積的模型是否受 OpenVINO? Toolkit 的支持

2025-03-06 07:58:52

LT3810FR 雙不對稱N溝道增強型功率MOSFET規格書

電子發燒友網站提供《LT3810FR 雙不對稱N溝道增強型功率MOSFET規格書.pdf》資料免費下載

2025-02-28 18:05:44

瑞芯微RK3568正式開放RISC-V核心啦，也支持非對稱AMP雙系統！

在嵌入式系統的發展進程中，多核異構架構的出現為滿足復雜應用場景的需求提供了新的可能。其中，瑞芯微RK3568J國產平臺的非對稱AMP（Asymmetric Multi-Processing）架構

2025-02-27 10:36:48

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功率半導體展聚焦 APSME 2025，共探功率半導體發展新征程

2025 亞洲國際功率半導體、材料及裝備技術展覽會將于2025年11月20-22日在廣州保利世貿博覽館舉辦；展會將匯聚全球優質品牌廠商齊聚現場，打造功率半導體全產業鏈創新展示、一站式采購及技術交流平臺，集中展示半導體器件、功率模塊、第三代半導體、材料、封裝技術、測試技術、生產設備、散熱管理等熱門產品

2025-02-13 11:49:01

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