引領高效能新紀元：傾佳力推基本半導體 SiC MOSFET 模塊，賦能尖端工業應用

在電力電子技術飛速發展的今天，對高效、高功率密度、高可靠性電源解決方案的需求日益迫切。基本半導體（BASiC Semiconductor）深耕第三代半導體領域，隆重推出新一代1200V SiC MOSFET模塊系列，包含BMF60R12RB3、BMF80R12RA3、BMF120R12RB3和BMF160R12RA3。這些模塊憑借卓越的性能，成為逆變焊機、感應加熱、電鍍電源、高頻直流電源以及儲能變流器和DC/DC等尖端應用的理想選擇。

傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務于中國工業電源、電力電子設備和新能源汽車產業鏈。傾佳電子聚焦于新能源、交通電動化和數字化轉型三大方向，并提供包括IGBT、SiC MOSFET、GaN等功率半導體器件以及新能源汽車連接器。?

傾佳電子楊茜致力于推動國產SiC碳化硅模塊在電力電子應用中全面取代進口IGBT模塊，助力電力電子行業自主可控和產業升級！

傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個必然，勇立功率半導體器件變革潮頭：

傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET模塊全面取代IGBT模塊和IPM模塊的必然趨勢！

傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET單管全面取代IGBT單管和大于650V的高壓硅MOSFET的必然趨勢！

傾佳電子楊茜咬住650V SiC碳化硅MOSFET單管全面取代SJ超結MOSFET和高壓GaN 器件的必然趨勢！

核心技術優勢：為嚴苛應用而生

此系列SiC MOSFET模塊采用先進的半橋封裝（34mm），專為高頻、高效應用而設計。它們的核心優勢包括：

極低的導通電阻（RDS(on)?）: 顯著降低模塊在導通狀態下的功耗，提升系統整體效率。例如，BMF60R12RB3的典型導通電阻為21.2mΩ ，而BMF160R12RA3更是低至7.5mΩ 。

低開關損耗與低電感設計: 模塊具備優異的開關特性，通過低電感封裝設計，有效抑制開關瞬態過壓，降低開關損耗 。

高電流密度: 模塊芯片采用高電流密度設計，確保在緊湊的封裝內實現更高的功率輸出 。

銅基板: 采用銅基板設計，提供卓越的散熱性能，保證模塊在高溫環境下依然穩定可靠 。

模塊型號概覽與應用亮點

該系列產品覆蓋不同電流等級，為工程師提供靈活的選型空間，以匹配不同功率等級的應用需求：

BMF60R12RB3 (1200V, 60A)：

憑借其低導通電阻（典型值21.2mΩ）和低開關損耗，是逆變焊機和高頻DC/DC轉換器的理想選擇 。其優異的散熱設計確保在持續大電流工作下仍能穩定運行。

BMF80R12RA3 (1200V, 80A)：

該模塊具備更高的額定電流能力，典型導通電阻為15mΩ 。適用于需要更高功率輸出的感應加熱和儲能DC/DC應用，能有效提高系統功率密度和效率。

BMF120R12RB3 (1200V, 120A)：

在75°C外殼溫度下，額定電流高達120A，典型導通電阻為10.6mΩ 。其出色的性能使其特別適合大功率的電鍍電源和儲能變流器，能顯著減少系統體積和重量。

BMF160R12RA3 (1200V, 160A)：

作為該系列中的旗艦產品，BMF160R12RA3在75°C外殼溫度下可承載160A的連續電流，典型導通電阻僅為7.5mΩ 。這使其成為最高功率等級應用的首選，如大型逆變焊機、高頻直流電源以及高功率密度的儲能變流器。

結語

基本半導體1200V SiC MOSFET模塊系列，通過將SiC材料的固有優勢與優化的封裝設計相結合，有效解決了傳統半導體在高頻、大功率應用中的瓶頸。無論是需要高效、緊湊的逆變焊機，還是追求穩定、可靠的儲能系統，該系列模塊都能提供卓越的解決方案，助力您的產品在激烈的市場競爭中脫穎而出。

深圳市傾佳電子有限公司（簡稱“傾佳電子”）是聚焦新能源與電力電子變革的核心推動者：

傾佳電子成立于2018年，總部位于深圳福田區，定位于功率半導體與新能源汽車連接器的專業分銷商，業務聚焦三大方向：

新能源：覆蓋光伏、儲能、充電基礎設施；

交通電動化：服務新能源汽車三電系統（電控、電池、電機）及高壓平臺升級；

數字化轉型：支持AI算力電源、數據中心等新型電力電子應用。

公司以“推動國產SiC替代進口、加速能源低碳轉型”為使命，響應國家“雙碳”政策（碳達峰、碳中和），致力于降低電力電子系統能耗。

需求SiC碳化硅MOSFET單管及功率模塊，配套驅動板及驅動IC，請搜索傾佳電子楊茜

審核編輯 黃宇