IGBT模塊是一種重要的功率半導(dǎo)體器件,具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、容量大、損耗低等優(yōu)點(diǎn),被廣泛應(yīng)用于各種高功率電子設(shè)備中。絕緣柵極雙極晶體管(IGBT)功率模塊將MOSFET的高效和快速開關(guān)能力與雙極晶體管的高壓和電流處理能力相結(jié)合,是當(dāng)代電力電子學(xué)的重要組成部分。這些模塊用于控制和轉(zhuǎn)換各種應(yīng)用中的電力,包括工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)、可再生能源系統(tǒng)、電動(dòng)汽車和電網(wǎng)等。
PPS注塑加工IGBT模塊作為電子設(shè)備核心部件的優(yōu)勢(shì)
PPS注塑成型的IGBT模塊可承受200℃-220℃的高溫,在焊接時(shí)甚至能承受270℃的高溫而不會(huì)損壞,這一特性使其能夠適應(yīng)IGBT模塊在各種高溫環(huán)境下的工作需求,確保模塊在極端條件下依然穩(wěn)定運(yùn)行 。
PPS作為具有高CTI(相對(duì)漏電起痕指數(shù))值的非導(dǎo)體,它具備優(yōu)異的電氣絕緣性。經(jīng)過特殊改性后,PPS注塑件其CTI值可達(dá)600V - 800V,能滿足IGBT對(duì)防漏電的高要求,有效防止電氣故障的發(fā)生,為IGBT模塊提供了可靠的電氣安全保障 。
注塑PPS成型的IGBT模塊的耐腐蝕和高強(qiáng)度也同樣出色。能在各種復(fù)雜的物理環(huán)境下保持模塊的穩(wěn)定性,抵抗各種酸、堿和溶劑的侵蝕,確保模塊內(nèi)部的電子元件不受外界物理因素的干擾和損壞,提高IGBT模塊的工作效率和使用壽命。
PPS注塑成型加工高性能IGBT模塊的核心要點(diǎn)
選擇高流動(dòng)性的PPS材料加工,在注塑前對(duì)其進(jìn)行預(yù)干燥處理,確保PPS的穩(wěn)定性和注塑質(zhì)量。
模具設(shè)計(jì)階段應(yīng)采用DFM工程技術(shù),對(duì)注塑流道進(jìn)行模流分析,保證在注塑過程中PPS能夠均勻填充并快速固化,避免IGBT模塊產(chǎn)出缺陷。
注塑過程中,模溫需達(dá)到150℃,炮筒溫度需達(dá)到300℃,注射壓力控制在30~100MPa,以減少飛邊和內(nèi)應(yīng)力。

PPS注塑加工在IGBT模塊制造中的工藝優(yōu)勢(shì)
高生產(chǎn)效率:可實(shí)現(xiàn)大批量、自動(dòng)化生產(chǎn),顯著提高生產(chǎn)效率。
高精度成型:PPS的高流動(dòng)性使得成型后的IGBT模塊尺寸精度高,符合電子設(shè)備的嚴(yán)苛要求。
整體降本:通過優(yōu)化設(shè)計(jì)和工藝,減少浪費(fèi)和加工步驟,降低生產(chǎn)成本。
審核編輯 黃宇
-
模塊
+關(guān)注
關(guān)注
7文章
2833瀏覽量
53215 -
IGBT
+關(guān)注
關(guān)注
1288文章
4318瀏覽量
262426 -
功率半導(dǎo)體
+關(guān)注
關(guān)注
23文章
1455瀏覽量
45169
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
半導(dǎo)體分立器件測(cè)試:「筑牢產(chǎn)業(yè)基石,智領(lǐng)未來升級(jí)」
「聚焦半導(dǎo)體分立器件綜合測(cè)試系統(tǒng)」“測(cè)什么?為什么測(cè)!用在哪?”「深度解讀」
傾佳電子光伏與儲(chǔ)能產(chǎn)業(yè)功率半導(dǎo)體分立器件從IGBT向碳化硅MOSFET轉(zhuǎn)型的深度研究報(bào)告
傾佳電子商用電磁加熱技術(shù)革命:基本半導(dǎo)體34mm SiC MOSFET模塊加速取代傳統(tǒng)IGBT模塊
BW-4022A半導(dǎo)體分立器件綜合測(cè)試平臺(tái)---精準(zhǔn)洞察,卓越測(cè)量
傾佳電子代理的BASiC基本半導(dǎo)體SiC功率器件產(chǎn)品線選型指南
揭露半導(dǎo)體功率器件——PIM功率集成模塊,一文讀懂它的所有
一文讀懂電控系統(tǒng)核心——功率半導(dǎo)體IGBT模塊
一文讀懂電控系統(tǒng)核心——功率半導(dǎo)體IGBT模塊
功率半導(dǎo)體器件——理論及應(yīng)用
什么是IGBT/SiC/GaN HEMT功率芯片/模塊/模組?特性是什么?主要應(yīng)用哪里?
PPS注塑IC元件封裝中的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)與工藝
PEEK與PPS注塑CMP固定環(huán)的性能對(duì)比與工藝優(yōu)化
碳化硅VS硅基IGBT:誰才是功率半導(dǎo)體之王?
功率半導(dǎo)體器件IGBT模塊:PPS注塑加工案例
評(píng)論