仁懋電子(MOT)推出的MOT10150D是一款面向中低壓大電流場景的 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET,憑借超低導(dǎo)通損耗、超大電流承載能力及優(yōu)異開關(guān)特性,適用于高功率 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、工業(yè)大電流負(fù)載開關(guān)、儲(chǔ)能電源模塊等領(lǐng)域。
一、產(chǎn)品基本信息(推導(dǎo))
- 電壓與電流:漏源極耐壓(\(V_{DSS}\))預(yù)計(jì)為100V級(jí),適配中低壓大電流供電場景;連續(xù)漏極電流(\(I_D\))達(dá)150A(\(T_c=25^\circ\text{C}\)),脈沖漏極電流可支持?jǐn)?shù)倍于連續(xù)電流的短時(shí)過載,滿足大負(fù)載瞬時(shí)功率需求。
- 導(dǎo)通電阻:柵源電壓\(V_{GS}=10V\)時(shí),導(dǎo)通電阻(\(R_{DS(on)}\))預(yù)計(jì)處于毫歐級(jí)超低水平,大幅降低大電流下的導(dǎo)通損耗。
二、核心特性(推導(dǎo))
- 低損耗架構(gòu):延續(xù) MOT 系列\(zhòng)(R_{DS(on)} \times Q_g\)行業(yè)標(biāo)桿設(shè)計(jì),同時(shí)優(yōu)化導(dǎo)通損耗與開關(guān)損耗,適配高頻 PWM 控制的高功率 DC-DC 轉(zhuǎn)換場景,提升系統(tǒng)能量效率。
- 高電流密度:在緊湊封裝下實(shí)現(xiàn) 150A 級(jí)電流承載,適配工業(yè)設(shè)備、儲(chǔ)能系統(tǒng)的小型化功率設(shè)計(jì)需求。
- 魯棒性設(shè)計(jì):具備優(yōu)異的雪崩耐量與熱穩(wěn)定性,在大電流沖擊、感性負(fù)載開關(guān)等嚴(yán)苛工況下可靠性強(qiáng)。
三、封裝與應(yīng)用場景(推導(dǎo))
- 封裝形式:預(yù)計(jì)采用TO-252 貼片封裝(后綴 “D” 典型標(biāo)識(shí)),適配高密度電路板的大電流功率布局;也可提供 TO-251 直插封裝(按需選擇),滿足傳統(tǒng)插裝式系統(tǒng)需求。
- 典型應(yīng)用:
四、信息說明
以上參數(shù)為基于 MOT 系列技術(shù)規(guī)律的推導(dǎo),實(shí)際電氣參數(shù)、熱特性、可靠性指標(biāo)需以仁懋電子(MOT)官方產(chǎn)品手冊(cè)為準(zhǔn),建議在實(shí)際應(yīng)用前查閱最新規(guī)格書確認(rèn)細(xì)節(jié)。
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