龍騰半導體650V 99mΩ超結MOSFET重磅發布
龍騰半導體最新推出650V/40A/99mΩ超結MOSFET，其內置FRD，適應LLC應用，并適合多管應用，具有更快的開關速度，更低的導通損耗；極低的柵極電荷（Qg），大大提高系統效率和優異的EMI性能。
該產品耐壓為650V，導通電阻僅為99mΩ，使得MOS管在導通狀態下實現更小的功率損耗和更高的效率，同時成本也隨之下降，為客戶提供低成本設計方案。該款產品主要適用于電源、逆變器和其它高壓開關應用等。
產品特點
業界優勢的RDS(on)*A
集成快恢復二極管
出色的高開關速度
增強的dv/dt能力
競爭優勢
業界優勢的RDS(on)*A
Qrr反向恢復電荷性能顯著提升
trr反向恢復時間較同類產品明顯縮短
注：數據來源于龍騰實驗室實測
LSD65R099HP采用先進的PT工藝，器件高低溫條件下IDSS漏電較輻照產品低。同時，其Trr和Qrr性能參數優于市面主流產品，顯著提升了產品的可靠性與能效。
應用領域
數據中心
通信電源
電動汽車充電OBC
不間斷電源UPS
工業SMPS
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原文標題：新品發布 | Qrr與Trr雙優表現，龍騰半導體650V 99mΩ 超結MOSFET發布
文章出處：【微信號：xa_lonten，微信公眾號：龍騰半導體】歡迎添加關注！文章轉載請注明出處。
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：
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