富士通半導體于日前宣布，利用配備該公司開發的硅基板GaN功率器件的服務器用電源，成功輸出了2.5kW的高功率，同時還公布了 2013年下半年開始量產硅基板GaN功率器件的目標。該公司將在今后提出利用該器件的多種電源應用方案，力爭2015年度憑借GaN功率器件實現約 100億日元的銷售額。

　　富士通半導體表示，該公司為了推進能夠通過大口徑化來降低成本的硅基板GaN功率器件業務，從2009年就開始開發量產技術。從2011年起該公司還開始向指定的電源業務與合作伙伴提供GaN功率器件的試制品，意在在電源裝置領域實現優化應用。

　　富士通半導體還與富士通研究所共同開發了多項技術。其中包括，在硅基板上生長優質GaN結晶的工藝技術、用來抑制開關時導通電阻上升的電極設計優化等器件技術，以及支持GaN高速開關的電源裝置電路設計技術。富士通半導體在采用GaN功率器件的評測用電源電路中，成功獲得了超過以往硅器件的轉換效率。另外，該公司還試制出了在功率因數改善電路部分配備GaN功率器件的服務器用電源，實際驗證了輸出2.5kW高功率的工作情況。

　　富士通半導體會津若松工廠的6英寸晶圓量產線已完成了啟動準備工作，將從2013年下半年開始全面量產GaN功率器件。今后該公司將通過提供針對應用做了優化的GaN功率器件，并在電路設計方面給予技術支持，為開發多種用途的低損失、小型電源裝置提供支持。該公司將通過這些舉措，力爭2015年度憑借 GaN功率器件實現約100億日元的銷售額。

　　富士通半導體將參展在2012年11月14日～16日于太平洋橫濱國際會展中心舉行的“Embedded Technology 2012/嵌入綜合技術展”，屆時將介紹該GaN功率器件。（記者：小島郁太郎，Tech-On！）

　　試制的TO247封裝GaN器件（左）以及形成有GaN器件的6英寸硅晶圓（右）。圖片由富士通半導體提供。（點擊放大）

　　在評測用電源電路中，此次的GaN器件與已有硅器件的電源效率差距（左），以及搭載此次GaN器件的服務器用電源的效率（右）。圖片由富士通半導體提供。