日前，由21世紀電源網、電子研習社聯合主辦的“第十六屆亞洲電源技術發展論壇”在深圳隆重舉行。在活動同期舉辦的“2025第四屆電源行業配套品牌頒獎典禮”中，瑞能半導體憑借在功率器件領域的技術突破，榮膺“國際功率器件行業卓越獎”。

該獎項由世紀電源網組織，經大眾投票及專家團嚴格評審，被譽為電源配套領域的權威認證之一，標志著獲獎企業的技術實力與產品可靠性獲得了產業鏈上下游的高度共識。

本次論壇聚焦高性能功率器件、先進電源技術以及新能源趨勢，來自功率器件、半導體芯片等技術方向，超3000名工程師齊聚一堂。

瑞能半導體受邀出席，并由現場技術支持高級經理Ben Huang發表主題演講。

Ben Huang重點圍繞瑞能SiC器件在新能源車主驅逆變、OBC/DC-DC、電源系統中的關鍵表現展開分析，并分享了瑞能在高壓、大電流、低損耗方面的最新技術成果。

瑞能SiC產品進階歷程

自2011年啟動SiC項目以來，瑞能半導體持續深耕碳化硅技術領域，通過不斷的技術迭代與創新，已成功構建覆蓋650V至2200V全電壓范圍的SiC SBD、MOSFET及功率模塊產品矩陣，全面布局車載、電源與新能源等關鍵應用領域。

公司產品發展歷程彰顯了堅實的技術積累：2021年實現重大突破，同步發布Gen-6 SBD與Gen-1 SiC MOSFET，產品體系快速成型；此后，瑞能緊跟SiC技術前沿不斷迭代，Gen-2 SiC MOSFET隨即推出；車規SiC功率器件實現量產，SiC 功率產品線電壓平臺逐步覆蓋1400V、1700V。SiC功率模塊，頂部散熱封裝，瑞能特殊定制封裝等也全面就緒。

近年，瑞能進一步完善了高壓產品線，推出2200V SiC SBD & MOSFET及功率模塊，持續強化了在高壓大功率功率應用領域的技術優勢和產品競爭力。隨著Gen-3 SiC MOSFET逐步投放市場，以及Gen1 Trench Gate MOSFET 的產品研究開發，瑞能碳化硅的產品版圖不斷擴大，市場領導地位更加穩固。