全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM近日宣布,其采用TOLL(TO-LeadLess)封裝的650V耐壓GaN HEMT(高電子遷移率晶體管)“GNP2070TD-Z”已成功投入量產(chǎn)。這一里程碑式的進(jìn)展標(biāo)志著ROHM在高性能功率半導(dǎo)體領(lǐng)域取得了又一重大突破。
TOLL封裝以其緊湊的體積、卓越的散熱性能以及出色的電流容量和開(kāi)關(guān)特性而備受矚目。這些優(yōu)勢(shì)使得TOLL封裝在工業(yè)設(shè)備、車(chē)載設(shè)備以及大功率應(yīng)用領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。ROHM此次量產(chǎn)的“GNP2070TD-Z”正是基于TOLL封裝的650V耐壓GaN HEMT,為市場(chǎng)提供了更為高效、可靠的功率解決方案。
值得一提的是,ROHM此次將封裝工序外包給了在半導(dǎo)體后道工序領(lǐng)域擁有豐富經(jīng)驗(yàn)的日月新半導(dǎo)體(威海)有限公司(ATX SEMICONDUCTOR (WEIHAI) CO., LTD.,以下簡(jiǎn)稱(chēng)“ATX”)。ATX作為OSAT領(lǐng)域的佼佼者,為ROHM提供了高質(zhì)量的封裝服務(wù),確保了“GNP2070TD-Z”的順利量產(chǎn)。
此次量產(chǎn)不僅進(jìn)一步鞏固了ROHM在高性能功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)先地位,也為全球客戶提供了更為先進(jìn)、可靠的功率解決方案。ROHM將繼續(xù)致力于技術(shù)創(chuàng)新,推動(dòng)半導(dǎo)體行業(yè)的持續(xù)發(fā)展。
-
半導(dǎo)體
+關(guān)注
關(guān)注
339文章
30725瀏覽量
263998 -
封裝
+關(guān)注
關(guān)注
128文章
9248瀏覽量
148605 -
GaN
+關(guān)注
關(guān)注
21文章
2366瀏覽量
82193 -
Rohm
+關(guān)注
關(guān)注
8文章
415瀏覽量
67874
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
深度解析LMG352xR050:650V 50mΩ GaN FET的卓越性能與應(yīng)用
探索LMG2640:650V GaN半橋的卓越性能與應(yīng)用潛力
探索LMG3614:650V 170mΩ GaN FET集成驅(qū)動(dòng)的卓越性能
LMG352xR030:650V GaN FET的卓越性能與應(yīng)用
深入剖析LMG2656:650V 230mΩ GaN半橋的卓越性能與應(yīng)用
探索LMG365xR070:650V 70mΩ GaN FET的卓越性能與應(yīng)用潛力
650V 雙向E-mode GaN(MBDS) Buck型AC/AC轉(zhuǎn)換器評(píng)估板
TP65H070G4PS 650V SuperGaN? GaN FET:高效開(kāi)關(guān)的理想之選
探索TP65H050G4YS 650V SuperGaN? FET的卓越性能與設(shè)計(jì)要點(diǎn)
快充國(guó)產(chǎn)替代新突破!爭(zhēng)妍微650V GaN HEMT賦能300W USB-C PD,替代英諾賽科INN650D02
Texas Instruments LMG3614 650V 170m? GaN功率FET數(shù)據(jù)手冊(cè)
BM3G015MUV-LB 650V GaN HEMT 功率級(jí)IC數(shù)據(jù)手冊(cè)
BM3G115MUV-LB 650V GaN HEMT 功率級(jí)IC數(shù)據(jù)手冊(cè)
GNP1150TCA-Z 650V GaN HEMT 數(shù)據(jù)手冊(cè)
GNP1070TC-Z 650V GaN HEMT 數(shù)據(jù)手冊(cè)
ROHM攜手ATX量產(chǎn)650V耐壓GaN HEMT
評(píng)論