下一代GaNSense?技術為AI數據中心、電信、工業設備提升8倍功率

下一代氮化鎵（GaN）功率芯片和碳化硅（SiC）技術領導者——納微半導體宣布其搭載GaNSense?技術的GaNFast??氮化鎵功率芯片進入長城電源供應鏈，成功助力其打造AI數據中心專用的超高功率密度2.5kW模塊電源。

AI的迅猛發展對數據中心提出了更高的算力要求，為了容納更多的GPUs進行計算，400V獨立機柜的架構將成為數據中心的全新發展趨勢。小體積、高效率、更獨立的模塊電源將釋放出寶貴的機柜空間，直觀提升算力，降低能源損耗，助力達成雙碳目標。

這款領跑行業的模塊電源，可輸入范圍為340~420V直流，僅需1/4標準磚大小卻能迸發出2.5kW的恒定功率，峰值功率高達3kW，功率密度達到了全球頂尖的92.36W/cm3，比硅基的1/4磚塊電源的輸出功率高3至5倍。其半載效率高達97.9%，滿足日益嚴格的效率要求，可廣泛應用于AI數據中心、電信、工業設備等場景。

得益于集成GaNSense技術的GaNFast NV6169氮化鎵功率芯片，長城電源的這款電源實現了超高功率密度的行業突破。該芯片采用行業標準的、輕薄、低電感、8x8mm PQFN封裝，跟上一代產品相比，導通電阻降低36%，功率提高50%，非常適用于高效率、高密度的磚塊電源系統。

采用GaNSense技術的GaNFast功率芯片具有行業首創的無損電流檢測和最快的短路保護，實現“檢測到保護”的速度僅為30ns，比分立解決方案快6倍。與競爭對手的解決方案不同，NV6169額定工作電壓為650V，額定峰值電壓為800V，可在瞬態工況期間穩定工作。

長城電源

DC產品線負責人

Michael Zhang

“氮化鎵憑借更快的開關頻率和更高的效率，成為了解鎖下一代電源的關鍵因素，我們非常高興與氮化鎵行業佼佼者——納微半導體聯手，成功打造了這款行業領先的超高功率密度和超高效率的模塊電源。

我們期待與納微半導體深度合作，解鎖氮化鎵在更多領域的應用，以不斷提升的電源效率降低能耗，加速推動低碳轉型。”

納微半導體

副總裁兼中國區總經理

查瑩杰

“納微深感榮幸與長城電源合作，成功打造出這款超高功率密度2.5kW模塊電源。長城電源在電源領域的深厚底蘊與創新實力，讓我們的GaNFast氮化鎵功率芯片得以充分發揮優勢。

納微堅信與長城電源的持續合作，將讓氮化鎵技術在AI數據中心、電信等多領域大放異彩，推動行業向高效、環保的方向發展。”