合作將支持快速增長的應用市場，共同推廣 CGD 的可持續節能型 ICeGaN 技術

英國劍橋，2025 年 10 月 13 日 —— 無晶圓廠半導體公司 Cambridge GaN Devices（CGD） 13日宣布與領先的半導體代工企業格芯（GlobalFoundries，簡稱 GF）達成合作伙伴關系。此次合作強化了 CGD 的無晶圓廠戰略，拓展了其 ICeGaN? 功率器件的供應鏈。

CGD 的創新單芯片技術可與標準硅 MOSFET 驅動器兼容，并基于標準硅 CMOS 晶圓制造工藝。這意味著制造 GaN 晶圓無需專用工藝——通過利用 GF 的先進 8 英寸制造工藝，CGD 產品的制造成本將保持高度競爭力。

ICeGaN 的知識產權基于設計而非工藝，具備“晶圓廠無關性”（fab agnostic），可輕松遷移至新的代工廠。此外，CGD 的設計流程建立在多年 GaN 技術經驗之上，采用成熟的方法學，實現快速工藝移植。GF 通過對專有測試芯片特征數據應用先進的機器學習算法，持續優化模型，從而實現新產品的可靠、可預測性能，并確保及時交付。

這一能力實現了“設計一次成功”的目標，使 ICeGaN 功率器件能夠更快推向市場，為 CGD 提供快速創新和靈活應對應用變化的能力。

CGD 首席運營官 Simon Stacey 表示：

“將 CGD 的設計流程與 GF 優秀的工藝設計套件（PDK）結合，是我們加速下一代 GaN 功率器件開發與量產的關鍵。我們非常高興能與 GF 合作，他們在代工服務方面的專業實力及對 GaN 技術的投入，與我們的 ICeGaN 器件完美契合?！?br />

GaN 技術優勢與市場前景

氮化鎵（GaN）技術具有獨特優勢：更高效率、更高功率密度、更小體積及更快開關速度。這些特性使電力電子設計師能夠開發出更加可持續、節能的系統。結合無晶圓廠商業模式具有的靈活性，CGD 得以充分把握快速增長的市場需求。對 GaN 技術持續增長的需求見證了這一趨勢。

ICeGaN 的獨特之處在于：它將 GaN 開關、接口電路及保護電路集成于同一 GaN 芯片，而非像市面其他方案那樣采用多芯片或共封裝設計。CGD 的集成方案簡化了驅動設計，使其可直接使用標準硅驅動器，并具備極高的可靠性。CGD 目前是全球唯一能夠在標準驅動器上運行的單芯片 GaN 技術供應商，使新一代電源系統更高效、更具可擴展性。這讓設計工程師們相信GaN 技術在效率、尺寸及熱性能方面均顯著優于傳統硅器件。

關于 Cambridge GaN Devices（CGD）

Cambridge GaN Devices（CGD）是一家設計、開發并商業化GaN 晶體管和集成電路的公司，致力于實現能效和緊湊性的新突破。我們的使命是通過提供易于使用的高效 GaN 解決方案，將創新帶入日常生活。
CGD 的 ICeGaN? 技術已被驗證適用于大規模量產，公司正通過完善的供應鏈與客戶合作伙伴關系快速擴張。CGD 是一家無晶圓廠企業，源自劍橋大學，由首席執行官 Giorgia Longobardi 博士 和首席技術官 Florin Udrea 教授 創立，他們與劍橋大學著名的高壓微電子與傳感器研究組（HVMS）保持著緊密聯系。

CGD 的 ICeGaN HEMT 技術受到強大且不斷擴展的知識產權組合保護，體現了公司對創新的長期承諾。CGD 團隊的技術與商業專長，加之在功率電子市場的豐富經驗，是其專有技術獲得市場認可的關鍵。