在半導體照明與光電子領域，氮化鎵（GaN）基發光二極管（LED）憑借其卓越性能，長期占據研究焦點位置。它廣泛應用于照明、顯示、通信等諸多關鍵領域。在6英寸藍寶石基板上，基于六方氮化硼（h-BN）模板的GaN基LED的生長、制造及器件轉移工藝的成功研發，有效解決了大尺寸基板上相關材料生長和器件制備過程中的分層、晶圓翹曲等關鍵問題。美能顯示作為專注顯示行業精密高效檢測設備研發的企業，將持續關注核心材料的最新應用及動態，拓展其在更多領域的應用，推動整個行業邁向新的發展階段。

范德華外延技術的發展與挑戰

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近十年，范德華外延（vdW）技術在III族氮化物領域發展迅速。其3D/2D生長模式借助弱范德華力，實現晶格與熱失配引起的應變彈性弛豫，有效減少位錯與缺陷生成，為緩沖層設計和器件制備提供了更大自由度，同時支持異質結構的大面積機械分離與靈活轉移。

基于范德華外延的GaN（氮化鎵）薄膜轉移工藝流程圖

作為理想二維襯底，六方氮化硼(h-BN)憑借優異的高溫穩定性、與MOCVD等主流生長工藝的兼容性，以及在多種基板上的適配能力，成為III族氮化物異質結構的核心載體。

然而，大規模生產中仍面臨關鍵挑戰：大尺寸基板與h-BN層間的弱范德華結合力難以承受熱膨脹應力，導致生長或冷卻過程中易發生自發分層；當工藝擴展至6英寸晶圓時，高溫下基板翹曲會引發晶圓表面溫度不均，造成薄膜質量波動、器件性能一致性下降，甚至導致InGaN/GaN多量子阱中銦含量不均，引發發射波長漂移。

目前，完整6英寸及更大尺寸晶圓上的h-BN生長及后續vdW外延工藝尚未有公開報道，相關技術突破需聚焦于生長條件優化與設備改進。

20nmh-BN在6英寸藍寶石基板上的生長及相關特性圖

6英寸藍寶石基板上的技術突破

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本研究中，科研團隊利用金屬有機化學氣相沉積（MOCVD）技術，在6英寸藍寶石基板上成功實現了2Dh-BN的生長以及GaN基LED異質結構的范德華外延。

GaN基LED異質結構在h-BN/6英寸藍寶石基板上的生長情況

在2Dh-BN生長方面，生長的20nmh-BN層均勻透明、無分層現象。通過HR-XRD、SEM、AFM和拉曼光譜等表征手段分析，其晶體結構、形貌與2英寸基板上生長的h-BN相似，且可作為GaN基LED異質結構的釋放層，為后續器件分離和轉移奠定基礎。

對于GaN基LED異質結構生長，研究團隊針對分層問題，優化生長腔3區加熱器控制溫度均勻性，降低升溫速率以減小不同層生長溫度變化斜率，在氣體切換時通過逐步注入混合氣體控制表面溫度，實現了無分層的高質量異質結構生長。據HR-XRD和PL光譜分析（圖d）表明，生長的LED異質結構結晶質量良好，發射波長均勻，晶圓翹曲度降低。

器件性能與轉移技術

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基于生長的異質結構制備的LED器件呈現出良好的整流特性，閾值電壓約4.5V，盡管受p-GaN和n-GaN層結晶質量影響，正向電壓較高，但器件電致發光峰值波長為437nm，與之前的光致發光測量結果相符，且隨著注入電流增加，電致發光強度增強。

在h-BN/6英寸藍寶石基板上生長的GaN基LED

器件的加工過程及光學、電學特性圖

在器件轉移方面，研究團隊采用自剝離轉移工藝（SLOT），將LED異質結構從6英寸藍寶石基板轉移到柔性銅載體上，制備出垂直LED結構。這種轉移技術拓展了LED器件在不同電子系統中的應用范圍。

自剝離轉移工藝（SLOT）的不同步驟圖

研究意義與未來展望

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此次研究成功實現了6英寸藍寶石基板上基于h-BN模板的vdW外延和藍光LED器件的制造、剝離與轉移，為GaN基LED在h-BN/sapphire上的商業化生產提供了有力支持。研究中避免分層的方法有望應用于8英寸、10英寸、12英寸及更大尺寸的基板，適應藍寶石基板生產的規模化需求。

美能顯示專注檢測顯示設備領域，持續深耕檢測技術，全力提升光學檢測、圖像識別處理等核心檢測技術水平，拓展業務覆蓋范疇。在活力充沛的GaN基LED顯示檢測市場中，將充分發揮檢測技術與設備優勢，推動檢測技術創新應用，為半導體光電子產業的質量把控與發展提供有力支撐，助力產業在檢測環節實現技術升級與高效發展。

原文出處:《Scaling up of Growth, Fabrication, and Device Transfer Process for GaN-based LEDs on H-BN Templates to 6-inch Sapphire Substrates》

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