突破性的SuperQ技術(shù)標(biāo)志著自25年前Super Junction以來硅MOSFET架構(gòu)的首次重大進(jìn)展。

美國賓州利哈伊谷，2025年7月24日– iDEAL半導(dǎo)體，一家專注于提供突破性效率的無晶圓廠功率半導(dǎo)體公司，宣布與Mouser電子簽署全球銷售協(xié)議。該協(xié)議涉及iDEAL基于其創(chuàng)新、專利、最先進(jìn)的SuperQ技術(shù)的功率元件。

SuperQ與傳統(tǒng)Super Junction架構(gòu)相比, 顯著提升了效率和性能，滿足工程師對系統(tǒng)功率密度提升的需求，同時保持硅的可靠性、成本效益和供應(yīng)鏈穩(wěn)健性。

首批SuperQ的150V MOSFET產(chǎn)品現(xiàn)已開始量產(chǎn)。這些產(chǎn)品提供了業(yè)界領(lǐng)先的導(dǎo)通電阻（Rdson）和優(yōu)異的特性值（FOM），包括業(yè)界最低的開關(guān)電荷（QSW）和輸出電容能量（EOSS）。

iDEAL的元件在硬開關(guān)、電機(jī)控制和同步整流等的應(yīng)用包括AI服務(wù)器、USB功率傳輸、電機(jī)驅(qū)動以及AC/DC和DC/DC轉(zhuǎn)換。

iDEAL半導(dǎo)體執(zhí)行長兼聯(lián)合創(chuàng)始人馬克·格拉納漢表示：「硅功率半導(dǎo)體的創(chuàng)新已停滯十余年，業(yè)界大多關(guān)注于其他替代材料。SuperQ顛覆了這一趨勢——在成熟、可擴(kuò)展且成本效益高的平臺上提供前所未有的性能提升。這是硅的未來，而非終結(jié)?！?br /> Mouser電子產(chǎn)品高級副總裁克里斯汀·舒特表示：「SuperQ代表了硅功率元件可能性的巨大飛躍。Mouser在這一領(lǐng)域擁有卓越的記錄，這項突破將為我們的功率工程客戶群帶來極高價值。」

關(guān)于iDEAL半導(dǎo)體

iDEAL總部位於美國賓州利哈伊谷，iDEAL半導(dǎo)體元件公司是下一代硅功率元件的行業(yè)領(lǐng)先者。公司以突破硅的極限為使命。其專利SuperQ技術(shù)在現(xiàn)有的CMOS成熟制程優(yōu)勢上提供了突破性能量效率。
該平臺技術(shù)適用于廣泛的產(chǎn)品、應(yīng)用和半導(dǎo)體材料，旨在減少每個應(yīng)用的功率損耗，為下一代提供更環(huán)保的能源使用。