全球領先的高性能功率和便攜產品供應商飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)和英飛凌科技(Infineon Technologies)宣布,兩家公司進一步擴展封裝兼容合作伙伴關系,擴展協議將包括5x
2012-02-10 09:07:56
760 便攜設備的設計人員面臨著在終端應用中節省空間、提高效率和應對散熱問題的挑戰。為了順應這一趨勢,飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)開發了FDZ661PZ和FDZ663PP溝道、1.5V規格
2012-05-16 09:27:16
1392 飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor) 經擴大了其 P 通道 PowerTrench? MOSFET 產品線 。
2012-08-10 09:58:12
1956 飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 日前推出了全新系列的 低功率、面向應用、極性反向保護開關,其中有些保護開關還具有過壓瞬變保護功能。
2012-08-21 17:21:36
1106 飛兆半導體 LED 背光升壓開關可減少功率損耗,并最大限度地減少高功率應用中的次諧波振蕩
2012-10-10 09:55:54
1196 安森美半導體(ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號:ONNN)擴充公司寬廣的接口及電源管理產品陣容,推出一對優化的超小超薄小信號MOSFET,用于空間受限的便攜消費電子產品
2012-10-18 09:29:01
876 飛兆半導體公司新推出了40V 的N溝道PowerTrench MOSFET FDB9403,該產品可幫助設計人員在汽車動力轉向系統的設計工程師需要能夠提供更高效率和更佳功率控制的解決方案。
2012-12-04 14:56:04
1314 飛兆半導體已擴展和改進了其采用Dual Cool封裝的產品組合,解決了DC-DC轉換應用中面臨提升功率密度的同時節省電路板空間和降低熱阻的挑戰。
2013-01-08 17:04:44
1436 飛兆半導體的四路MOSFET解決方案提高了效率,解決了有源整流橋應用中的散熱問題。單個封裝中的四個60V MOSFET可提高系統效率,替代二極管整流橋,實現緊湊的設計并節省電路板空間
2013-05-02 15:18:55
1702 
飛兆半導體公司(紐約證券交易所代號: FCS)是高性能功率半導體和移動半導體解決方案的全球領先供應商,通過引入 100 V BoostPak 設備系列優化 MOSFET 和二極管選擇過程,將
2013-06-05 11:49:39
1355 Vishay Intertechnology宣布,推出新系列小型柵極驅動變壓器---MGDT,可在高功率的國防和航天、工業及醫療應用中顯著節省空間。
2018-03-07 13:57:09
9669 MOSFET和三極管哪個是壓控壓型,哪個是流控流型?
2019-05-11 09:22:28
11126 
,仍然存在差距,無法完全而快速地了解供應商提供的仿真模型是否在給定的應用空間中準確地代表了設備。 與競爭模型不同,飛兆半導體的超結MOSFET和IGBT SPICE模型基于適用于整個技術平臺的一個物理可擴展模型,而不是針對每種器件尺
2021-04-02 12:58:20
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東芝推出采用薄型SO6L封裝的兩款光耦---“TLP5705H”和“TLP5702H”,可在小型IGBT/MOSFET中用作絕緣柵極驅動IC。
2021-11-30 15:24:19
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節省空間型器件所需 PCB 空間比 PowerPAIR 6x5F 封裝減少 63% ,有助于減少元器件數量并簡化設計 ? 美國 賓夕法尼亞 MALVER N 、中國 上海 — 2023 年 1 月
2023-01-30 10:09:49
986 
` 誰來闡述一下mosfet是什么型器件?`
2019-10-25 16:06:28
誰來闡述一下mosfet是電壓型器件嗎
2019-10-25 15:58:03
/MICROWIRE兼容的接口。 該產品尺寸為3×3mm,與同類產品相比,可節省85%的電路板空間,功耗為67mW,比同類產品低40%,DC精度為±1LSB INL,適用于工業過程控制及電池供電的無線
2018-08-24 16:56:31
封裝在開關速度、效率和驅動能力等方面的有效性。最后,第四節分析了實驗波形和效率測量,以驗證最新推出的TO247 4引腳封裝的性能。 II.分析升壓轉換器中采用傳統的TO247封裝的MOSFET A.開關
2018-10-08 15:19:33
飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)推出兩款高集成度模塊產品FDMS9600S和FDMS9620S,能夠顯著減少電路板空間,同時可在同步降壓設計中達到較高的轉換效率
2018-11-22 15:48:58
飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)推出兩款高集成度模塊產品FDMS9600S和FDMS9620S,能夠顯著減少電路板空間,同時可在同步降壓設計中達到較高的轉換效率
2018-11-26 16:06:31
員所需要的。飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor簡稱FAI)推出的FDMC8010 30V Power 33 MOSFET(尺寸3.3mm x 3.3mm 外形PQFN)此款
2012-04-28 10:21:32
技術,是該公司首批采用5x6mm PQFN封裝、優化銅片和焊接片芯的器件。IRFH6200TRPbF20V器件可實現業界領先的RDS(on),在4.5V Vgs下,最高僅為<br/&
2010-05-06 08:55:20
電壓能力相結合。IGBT將用于控制輸入的隔離柵極FET和作為單個器件中開關的雙極型功率晶體管組合在一起。安森美半導體推出TO247-4L IGBT系列,具有強大且經濟實惠的Field StopII
2020-07-07 08:40:25
幫助工程師在空間受限的高壓應用中,可靠地驅動MOSFET或IGBT,簡化設計并提升系統功率密度。核心特性:
高壓與小封裝集成:支持最高200V的母線電壓,采用超緊湊的DFN3x3-8封裝,顯著節省PCB空間
2025-12-27 09:27:00
扁平SOT23F封裝,與正在使用的7.3 mm x 6.7mm SOT223封裝的元件相比節省了85%的占板空間。</p><p>雖然SOT23F
2009-01-07 16:01:44
`目前,電源工程師面臨的一個主要難題是,隨著功能的日益增多,商用電子產品的尺寸不斷縮小,留給電源電路的空間越來越少。解決這個難題的辦法之一是充分利用在MOSFET技術和封裝上的進步。通過在更小尺寸
2013-12-23 11:55:35
怎樣選擇低溫運行、大功率、可擴展的POL穩壓器并節省電路板空間如何減少PCB上DC/DC轉換器封裝的熱量?
2021-03-10 06:45:29
陶瓷板,可適配標準CAV應用型封裝,可有效降低新能源商用車主驅電控、燃料電池能源管理系統應用中的功率器件溫升和損耗。 Pcore2系列產品具有低開關損耗、可高速開關、低溫度依賴性、高可靠性等特點
2023-02-27 11:55:35
的鎮流器IC,FAN7710是在CFL設計中實現空間節省的理想系統級封裝解決方案。通過同時推出面向LFL 和 CFL應用的FAN7711,飛兆半導體的產品組合使得設計人員能夠根據應用的具體要求,靈活地優化
2018-08-28 15:28:41
: 電路板尺寸和可用空間 精度和可靠性 設計和生產總成本 電路板尺寸和可用空間 選擇一個組合式傳感器來代替兩個獨立傳感器的最明顯優勢也許就是“在單個傳感器尺寸的封裝中可以提供更多的功能”.在
2018-11-13 16:10:20
單通道STGAP2SiCSN柵極驅動器旨在優化SiC MOSFET的控制,采用節省空間的窄體SO-8封裝,通過精確的PWM控制提供強大穩定的性能。隨著SiC技術廣泛應用于提高功率轉換效率,STGAP2SiCSN簡化了設計、節省了空間,并增強了節能型動力系統、驅動器和控制的穩健性和可靠性。
2023-09-05 07:32:19
MOSFET將封裝面積減半-Zetex新款無鉛型Zetex 新款無鉛型 MOSFET 將占位面積減半模擬信號處理及功率管理方案供應商Zetex Semiconductors (捷特科)公司推出其
2008-03-22 14:46:02
688 飛兆半導體300mA低壓降LDO適合高效率和空間受限數字應用飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 為對能量敏感的系統設計人員提供300mA低壓降 (LDO) 穩壓器解決方案,在效率、瞬態
2008-12-08 11:55:58
684 飛兆半導體實現效率高達94%的電源參考設計
在消費應用中降低噪聲并保護敏感電路飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出 200W DC-DC
2009-05-08 10:51:25
734 FDZ197PZ 飛兆半導體推出單一P溝道MOSFET器件
飛兆半導體公司 (Farichild Semiconductor)為智能電話、手機、上網本、醫療和其它便攜式應用的設計人員帶來
2009-08-04 08:15:47
930 飛兆升壓開關為高頻步進DC-DC實現高效率
飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 全新的升壓開關產品FDFME3N311ZT,有助提高手機、醫療、便攜和消費應用設計的升壓轉
2009-11-13 10:27:41
743 飛兆半導體MicroFET™采用薄型封裝
飛兆半導體公司(Farichild Semiconductor)宣布其MicroFET現推出行業領先的薄型封裝版本,幫助設計人員提升其設計性能。飛兆半導體與設計工
2009-11-21 08:58:55
675 薄型封裝版本MicroFET MOSFET
日前,飛兆半導體公司(Farichild Semiconductor)宣布其MicroFET現推出行業領先的薄型封裝版本,幫助設計人員提升其設計性能。飛兆半導體與設計工
2009-11-23 09:12:22
631 Diodes針對VoIP應用優化的全新MOSFET,可極大降低成本
Diodes公司推出兩款N溝道MOSFET,為網絡電話 (VoIP) 通信設備的設計人員帶來一種更堅固的解決方案,極大地降低了電路
2009-12-04 08:33:09
933 飛兆半導體推出具有1080p高清能力的視頻濾波器
飛兆半導體 (Fairchild Semiconductor) 為高清 (HD) 液晶電視、藍光DVD播放器和 HD 機頂盒設計人員提供業界首款具有1080p高清能
2009-12-12 08:51:39
621 飛兆半導體推出四通道集成式視頻濾波器,可支持機頂盒和DVD
飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)針對現今許多視頻產品平臺逐步淘汰S-video,以及四通道正在成為標準
2010-01-18 08:34:33
1014 飛兆半導體高效率緊湊電源解決方案MOSFET器件
飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)推出具高效率和出色熱性能,并有助實現更薄、更輕和更緊湊的電源解決方
2010-03-03 10:50:39
933 飛兆半導體推出MOSFET器件FDMC7570S
飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)推出具高效率和出色熱性能,并有助實現更薄、更輕和更緊湊的電源解決方案的MOSFET產品系列,可應
2010-03-05 10:32:53
1244 
飛兆推出帶USB/充電器檢測功能的便攜應用OVP器件FAN3988
飛兆半導體公司(Farichild Semiconductor) 為手機和手持移動產品設計人員提供一款帶有高集成度過電壓保護(OVP)和USB/充
2010-03-10 10:05:49
1175 飛兆半導體推出N溝道MOSFET器件可延長電池壽命
飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)因應手機、便攜醫療設備和媒體播放器等便攜應用設備的設計和元件工
2010-03-20 08:51:55
1377 飛兆半導體TinyLogic 系列擔當節能新角色
產品特性: 靜態功耗減少多達99% 采用超緊湊型6腳MicroPak™封裝 外形尺寸僅為1
2010-03-24 09:52:00
626 飛兆推出緊湊、靈活的背光照明解決方案FAN5341
飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)推出緊湊、靈活的背光照明解決方案FAN5341,滿足現今電池供電型
2010-04-02 11:51:40
1259 飛兆推出耗電量為200μA的運算放大器FAN4931飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)推出耗電量僅為200μA的FAN4931運算放大器,該器件采用小型5腳SC-70封裝,具
2010-04-09 12:04:53
1411 飛兆和英飛凌簽署功率MOSFET兼容協議
全球領先的高性能功率和移動產品供應商飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)和英飛凌科技(Infineon Technologies)宣布,兩家公司就采用MLP 3x
2010-04-26 08:50:51
813 超緊湊薄型封裝的MicroFET MOSFET產品系列
飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor) 為滿足便攜產品設計人員不斷尋求效率更高、外形更小更薄的解決方案的
2010-05-11 17:55:27
952 飛兆半導體推出了導通電阻RDS(ON)小于1mΩ的30V MOSFET,這款全新飛兆半導體器件FDMS7650是最大RDS(ON)值為0.99mΩ (VGS = 10 V, ID = 36A)的N溝道器件,它是業界采用5×6mm POWER56封裝且RDS(ON)
2010-12-29 09:09:39
1887 飛兆UniFET II MOSFET優化消費產品功率轉換器
2011-02-09 10:53:02
1378 Diodes公司推出一系列采用超小型DFN1006-3封裝的高性能MOSFET產品線。該封裝僅占用0.6平方毫米的PCB面積,較同類SOT723封裝器件節省一半以上的占板空間
2011-05-31 09:31:18
3977 全球領先的高性能功率和便攜產品供應商飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor) 為100V和150V PowerTrench? MOSFET系列器件增添了工業類型封裝選擇
2011-06-03 09:30:30
904 為了幫助設計人員應對這些挑戰,飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)開發出FDMS36xxS系列功率級非對稱雙MOSFET模塊.
2011-06-15 09:01:07
2745 飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 開發出PowerTrench? MOSFET器件FDMB2307NZ。該器件具有能夠大幅減小設計的外形尺寸,并提供了所需的高效率。
2011-12-14 09:19:40
2842 飛兆半導體公司和英飛凌科技宣布進一步擴展封裝兼容合作伙伴關系,擴展協議將包括5x6mm非對稱結構功率級雙MOSFET封裝。
2012-02-09 09:18:22
1087 飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor) 現為手機和其它超便攜應用的設計人員提供一款P溝道PowerTrench MOSFET器件,滿足其對具有出色散熱性能的小尺寸電池或負載開關解決方案的需求。
2012-03-01 09:05:38
813 飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)提供第二代XS? DrMOS系列FDMF6708N,這是經全面優化的緊湊型集成MOSFET解決方案加驅動器功率級解決方案
2012-03-21 08:59:52
3222 便攜設備的設計人員面臨著在終端應用中節省空間、提高效率和應對散熱問題的挑戰。為了順應這一趨勢,飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)開發了FDZ661PZ和FDZ663P P溝道、1.5V規格的
2012-05-18 14:20:03
1429 
飛兆半導體已擴展和改進了其采用Dual Cool封裝的產品組合,這種封裝屬于業界標準引腳排列封裝,帶有頂側冷卻,適用的產品中包括40-100V中壓產品系列。硅技術的進步結合Dual Cool技術,
2013-01-08 14:04:44
1467 全球領先的高性能功率半導體解決方案供應商Fairchild (NASDAQ: FCS) 推出了其行業領先的中壓MOSFET產品,采用了8x8 Dual Cool封裝。這款新型Dual Cool 88
2015-09-01 09:02:50
1989 Vishay推出新系列厚膜電阻---CDMV系列,其在高壓工業和新能源設備應用中可幫助分壓設計節約寶貴空間,簡化生產設計,提高設計靈活性。
2016-06-14 10:14:19
1030 
轉換器中節省空間和電能。Vishay Siliconix SQJ202EP和SQJ200EP N溝道TrenchFET?器件把高邊和低邊MOSFET組合進小尺寸5mm x 6mm PowerPAK? SO-8L雙片不對稱封裝里,低邊MOSFET的最大導通電阻低至3.3mΩ。
2016-07-11 14:33:17
1295 Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出通過AEC-Q200認證的新系列中壓厚膜片式電阻。Vishay Techno CRMA系列電阻是針對
2018-01-17 11:30:37
9205 您的功耗相關設計可以節省雙MOSFET的空間,因為您經常成對使用這些功能。飛兆半導體(圖片)的P溝道FDZ2552P和類似的N溝道FDZ2551N MOSFET用于低閾值電池保護應用(V GS
2019-08-12 15:08:40
3625 2.7V 至 38V/500mA 低噪聲降壓-升壓型 充電泵可節省空間并降低 EMI
2021-03-19 08:17:34
8 LTC2912 - 單電源欠壓和過壓監視器提供了精準和節省空間的解決方案
2021-03-20 20:47:05
6 DN363 - 用 MOSFET 來替代“或”二極管以減少發熱和節省空間
2021-03-21 13:46:51
0 節省空間,降低EMI
2021-05-20 11:42:15
6 Vishay TrenchFET Gen V MOSFET? 節省空間型器件所需 PCB 空間比 PowerPAIR 6x5F 封裝減少 63% 有助于減少元器件數量并簡化設計 Vishay? 推出
2023-02-04 06:10:04
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隨著新一代5G網絡、IoT物聯網技術和AI人工智能技術的迅猛發展,小型化已成為筆電服務器、智能穿戴、智能家居等各種電子產品最重要的發展趨勢之一。中微愛芯可提供采用XSON、QFN、SOT等小封裝的邏輯芯片,可最大程度地減少外部元器件尺寸,節省PCB的寶貴空間。
2023-05-31 09:34:23
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KUU推出超小型SOT-723封裝MOSFET,特別為空間受限的便攜式應用優化的新一代MOSFET,這些新低閾值電壓MOSFET采用KUU先進的溝槽工藝技術來取得能夠和SOT-523等大上許多封裝
2023-04-04 16:10:39
2732 
每個FDMS96xx模塊在單一MLP封裝中集成了三個單獨的分立元件,從而節省超過50%的電路板空間。傳統的同步降壓轉換器則通常包含兩個SO8封裝MOSFET和一個肖特基二極管。
2023-10-18 15:10:37
722 中科微電推出的N溝道MOSFET ZK150G05T,以150V耐壓、51A連續電流、TO-252-2L薄型封裝為核心標簽,精準匹配3-8kW級中壓場景的功率控制需求,其參數設計與應用表現,為理解中壓小功率器件的適配性發展邏輯提供了典型樣本。
2025-11-04 16:27:15
482 
威兆半導體推出的VS8402ATH是一款面向80V中壓大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET,采用TO-220AB封裝,憑借超低導通電阻與160A大電流承載能力,適用于中壓DC/DC轉換器、電源
2025-11-28 12:10:55
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選型手冊:VS1401ATHN溝道增強型功率MOSFET晶體管威兆半導體推出的VS1401ATH是一款面向100V中壓超大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET,采用TO-220AB直插封裝,憑借
2025-11-28 12:14:04
238 
威兆半導體推出的VS1602GMH是一款面向100V中壓超大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET,采用TO-263封裝,憑借1.9mΩ極致低導通電阻與170A大電流承載能力,適用于中壓大電流DC
2025-12-03 09:23:07
266 
威兆半導體推出的VS1891GMH是一款面向100V中壓超大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET,采用TO-263封裝,適配中壓大電流DC/DC轉換器、電源管理、高功率負載開關等領域。一、產品
2025-12-09 10:12:07
262 
威兆半導體推出的VS1602GFH是一款面向100V中壓場景的N溝道增強型功率MOSFET,采用TO-220F封裝,適配中壓DC/DC轉換器、電源管理、中功率負載開關等領域。一、產品基本信息器件類型
2025-12-09 10:29:22
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威兆半導體推出的VS1602GTH是一款面向100V中壓超大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET,采用TO-220AB封裝,適配中壓大電流DC/DC轉換器、電源管理等領域。一、產品基本信息器件類型
2025-12-09 10:43:32
215 
威兆半導體推出的VS320N10AU是一款面向100V中壓超大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET,采用TO-247封裝,適配中壓大電流DC/DC轉換器、電源管理等領域。一、產品基本信息器件類型
2025-12-12 15:26:26
172 
威兆半導體推出的VSE090N10MS是一款面向100V中壓場景的N溝道增強型功率MOSFET,采用PDFN3x3封裝,適配中壓小型電源管理、負載開關等領域。一、產品基本信息器件類型:N溝道增強型
2025-12-23 11:22:46
175 
威兆半導體推出的VS6038AD是一款面向60V中壓場景的N溝道增強型功率MOSFET,采用TO-252/TO-251封裝,適配中壓中功率電源管理、負載開關等領域。一、產品基本信息器件類型:N溝道
2025-12-23 11:43:46
164 
威兆半導體推出的VSD090N10MS是一款面向100V中壓場景的N溝道增強型功率MOSFET,采用TO-252封裝,適配中壓中功率電源管理、負載開關等領域。一、產品基本信息器件類型:N溝道增強型
2025-12-25 16:14:53
109 
威兆半導體推出的VSD011N10MS-G是一款面向100V中壓場景的N溝道增強型功率MOSFET,采用TO-252封裝,適配中壓中功率電源管理、負載開關等領域。一、產品基本信息器件類型:N溝道
2025-12-25 16:18:26
111 
威兆半導體推出的VS5810AS是一款面向58V中壓場景的N溝道增強型功率MOSFET,采用SOP8封裝,適配中壓小型電源管理、負載開關等領域。一、產品基本信息器件類型:N溝道增強型功率MOSFET
2025-12-25 16:27:25
121 
威兆半導體推出的VS8068AD是一款面向80V中壓場景的N溝道增強型功率MOSFET,采用TO-262封裝,適配中壓中功率電源管理、負載開關等領域。一、產品基本信息器件類型:N溝道增強型功率
2025-12-26 11:50:13
93 
威兆半導體推出的VSP004N10MS-G是一款面向100V中壓場景的N溝道增強型功率MOSFET,采用PDFN5060X封裝,適配中壓大功率電源管理、DC/DC轉換器等領域。一、產品基本信息器件
2025-12-26 11:57:06
115 
威兆半導體推出的VS6880AT是一款面向68V中壓場景的N溝道增強型功率MOSFET,采用TO-220AB封裝,適配中壓大功率電源管理、負載開關等領域。一、產品基本信息器件類型:N溝道增強型功率
2025-12-26 11:58:42
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威兆半導體推出的VSF013N10MS3-G是一款面向100V中壓場景的N溝道增強型功率MOSFET,采用TO-220SF封裝,適配中壓中功率電源管理、負載開關等領域。一、產品基本信息器件類型:N
2025-12-29 09:53:44
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威兆半導體推出的VST018N10MS是一款面向100V中壓大功率場景的N溝道增強型功率MOSFET,采用TO-220AB封裝,適配中壓大功率電源管理、負載開關等領域。一、產品基本信息器件類型:N
2025-12-29 11:30:14
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威兆半導體推出的VSO013N10MS是一款面向100V中壓場景的N溝道增強型功率MOSFET,采用SOP8封裝,適配中壓小型電源管理、負載開關等領域。一、產品基本信息器件類型:N溝道增強型功率
2025-12-29 11:52:16
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威兆半導體推出的VSI008N10MS是一款面向100V中壓場景的N溝道增強型功率MOSFET,采用TO-251封裝,適配中壓中功率電源管理、負載開關等領域。一、產品基本信息器件類型:N溝道增強型
2025-12-30 10:55:52
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威兆半導體推出的VSP005NE8HS-G是一款面向85V中壓場景的N溝道增強型功率MOSFET,采用PDFN5x6封裝,適配中壓大功率電源管理、DC/DC轉換器等領域。一、產品基本信息器件類型:N
2025-12-30 11:59:27
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威兆半導體推出的VSE011N10MS-G是一款面向100V中壓場景的N溝道增強型功率MOSFET,采用PDFN3333封裝,適配中壓小型高功率密度電源管理、負載開關等領域。一、產品基本信息器件類型
2025-12-30 14:58:12
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威兆半導體推出的VSP003N10HS-K是一款面向100V中壓場景的N溝道增強型功率MOSFET,采用PDFN5060X封裝,適配中壓超大功率電源管理、DC/DC轉換器等領域。一、產品基本信息器件
2025-12-30 15:04:38
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威兆半導體推出的VSP007N07MS是一款面向80V中壓場景的N溝道增強型功率MOSFET,采用PDFN5x6封裝,適配中壓大功率電源管理、DC/DC轉換器等領域。一、產品基本信息器件類型:N溝道
2026-01-04 16:26:10
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威兆半導體推出的VS1605ATM是一款面向100V中壓場景的N溝道增強型功率MOSFET,采用TO-220AB封裝,適配中壓大功率電源管理、負載開關等領域。一、產品基本信息器件類型:N溝道增強型
2026-01-04 16:31:56
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