国产精品久久久aaaa,日日干夜夜操天天插,亚洲乱熟女香蕉一区二区三区少妇,99精品国产高清一区二区三区,国产成人精品一区二区色戒,久久久国产精品成人免费,亚洲精品毛片久久久久,99久久婷婷国产综合精品电影,国产一区二区三区任你鲁

電子發燒友App

硬聲App

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

0
  • 聊天消息
  • 系統消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發帖/加入社區
會員中心
創作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

電子發燒友網>新品快訊>提升功率密度 飛兆半導體改進Dual Cool封裝技術

提升功率密度 飛兆半導體改進Dual Cool封裝技術

收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴

評論

查看更多

相關推薦
熱點推薦

超級電容器的功率密度一般多少

超級電容器具有極高的功率密度,能快速充放電,適用于需要高功率場景,如電動車、智能電網等。
2026-01-01 09:31:003549

燒結銀:3D封裝中高功率密度和高密度互連的核心材料

燒結銀:3D封裝中高功率密度和高密度互連的核心材料
2025-12-29 11:16:01110

Neway電機方案的小型化設計

Neway電機方案的小型化設計Neway電機方案的小型化設計通過核心器件創新、電路優化、封裝革新及散熱強化,實現了體積縮減40%、功率密度提升至120W/in3的突破,具體設計要點如下:一、核心器件
2025-12-17 09:35:07

基本半導體650V碳化硅MOSFET產品線深度研究報告

在全球能源結構轉型與電氣化浪潮的推動下,功率半導體作為電能轉換的核心樞紐,其技術迭代速度正以前所未有的態勢加速。硅(Si)材料在接近其物理極限的背景下,以碳化硅(SiC)為代表的寬禁帶(WBG)半導體憑借高臨界擊穿場強、高熱導率和高電子飽和漂移速度,成為了高壓、高頻、高功率密度應用的首選。
2025-12-10 17:06:27557

高頻變壓器與SiC碳化硅MOSFET功率器件的技術共生

在現代電力電子技術的宏大敘事中,功率密度與能量轉換效率的提升始終是推動產業變革的主軸。這一進程目前正處于一個關鍵的轉折點,其核心動力來自于半導體材料科學的突破與磁性元件技術的演進。
2025-12-10 17:05:19477

半導體封裝如何選亞微米貼片機

半導體封裝
北京中科同志科技股份有限公司發布于 2025-12-08 15:06:18

OBC功率密度目標4kW/L,如何通過電容選型突破空間瓶頸?

我們在設計 11kW、800V平臺OBC 時,為實現 4kW/L 的高功率密度目標,發現 傳統牛角電容體積過大 導致布局困難,請問 永銘LKD系列 是否有滿足 高耐壓 且 體積小 的解決方案?
2025-12-02 09:24:46

納微半導體與格芯達成戰略合作

本土的氮化鎵(GaN)技術研發、設計與制造能力。雙方將攜手開發并交付面向高功率市場關鍵應用的先進解決方案,滿足AI數據中心、高性能計算、能源與電網基礎設施、工業電氣化等領域對高效率和高功率密度的迫切需求。
2025-11-27 14:30:202043

功率半導體測溫不準、響應慢?可能是你的NTC選錯了位置!

導語:?隨著碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬禁帶半導體技術的普及,功率模塊的功率密度和開關頻率不斷提升,對溫度監測的實時性和準確性提出了極致要求。然而,許多工程師發現,系統過熱保護總是“慢半拍
2025-11-26 14:39:34161

半導體封裝里,真空共晶回流爐超關鍵!

半導體封裝
北京中科同志科技股份有限公司發布于 2025-11-21 16:15:52

半導體器件的通用測試項目都有哪些?

隨著新能源汽車、光伏儲能以及工業電源的迅速發展,半導體器件在這些領域中的應用也愈發廣泛,為了提升系統的性能,半導體器件系統正朝著更高效率、更高功率密度和更小體積的方向快速發展。對于半導體器件性能質量
2025-11-17 18:18:372314

數據中心高功率密度PSU爆發,海思推出全新數字電源MCU

下,電源轉換器需實現更高功率密度;二是第三代寬禁帶半導體的普及,雖通過極低開關損耗支撐了 MHz 級高頻運行,卻帶來更復雜的控制邏輯與更快的實時計算需求;三是高頻開關與寬禁帶器件導致 dv/dt 數量級提升,電磁干擾(EMI)強度激增,對控制器的抗干擾
2025-11-14 09:15:092079

半導體封裝過程”工藝技術的詳解;

如有雷同或是不當之處,還請大家海涵。當前在各網絡平臺上均以此昵稱為ID跟大家一起交流學習! 半導體的典型封裝工藝流程包括芯片減薄、芯片切割、芯片貼裝、芯片互連、成型固化、去邊毛刺、切筋成型、上焊錫、打碼、外觀檢
2025-11-11 13:31:171556

江西薩瑞微電子P6SMFTHE系列產品深度解析:小封裝承載大能量的功率器件

在電子設備小型化與高功率密度需求日益凸顯的今天,功率器件的封裝與性能平衡成為行業技術突破的核心痛點。江西薩瑞微電子作為國內領先的功率半導體IDM企業,推出的P6SMFTHE系列產品,以"
2025-11-11 10:00:05338

上海海思MCU產品Hi3071助力高功率密度電源創新設計

自開關電源誕生以來,功率密度提升一直是開關電源設備不斷演進的方向之一。
2025-11-07 15:56:231054

世界紀錄誕生:電機功率密度達到59kW/kg

公斤的電機實現 750kW(超 1000 馬力)短期峰值功率功率密度達 59kW/kg,較今夏初 13.1 公斤版本的 42kW/kg 提升 40%。 ? 圖源:YASA ? 同時YASA預計,該
2025-11-03 03:45:008931

安森美推出垂直氮化鎵功率半導體

隨著全球能源需求因 AI 數據中心、電動汽車以及其他高能耗應用而激增,安森美(onsemi)推出垂直氮化鎵(vGaN)功率半導體,為相關應用的功率密度、能效和耐用性樹立新標桿。這些突破性的新一代
2025-10-31 13:56:161980

華大半導體旗下半導體獲評國家級專精特新“小巨人”企業

近日,工業和信息化部正式公布第七批國家級專精特新“小巨人”企業名單, 華大半導體旗下半導體(上海)有限公司憑借在寬禁帶半導體材料與器件領域的突出技術創新能力、深厚產業積累與廣闊市場前景成功入選
2025-10-27 15:44:58460

新型功率半導體決勝關鍵:智威科技憑超高散熱封裝GaN氮化鎵脫穎而出

到元件制作的技術與應用均已突破,散熱及封裝型式問題仍導致應用效果遠不符產業期待,成長性大打折扣。 智威科技董事長鐘鵬宇說,透過材料與制程創新,以系統性思維打造功率半導體封裝技術平臺。(圖片來源:智威科技) 尤其GaN功率元件,因材料散熱系數較差及結構因素,雖具
2025-10-26 17:36:53988

龍騰半導體推出四款650V F系列IGBT新品

隨著便攜儲能、新能源及工業電源應用對高效率、高功率密度需求的不斷提升,IGBT作為電力電子系統的核心開關器件,其性能已成為決定整機效能與可靠性的關鍵因素。為應對市場對高性能功率器件的迫切需求,龍騰半導體正式推出四款650V F系列IGBT新品,致力于為高頻、高效應用提供更優異的解決方案。
2025-10-24 14:03:301877

Leadway GaN系列模塊的功率密度

場景提供高性價比的全國產解決方案。一、功率密度提升的核心邏輯材料特性突破: GaN(氮化鎵)作為寬禁帶半導體,電子遷移率(2000cm2/Vs)和飽和漂移速度(2.5×10?cm/s)遠超傳統硅基器件
2025-10-22 09:09:58

功率半導體晶圓級封裝的發展趨勢

功率半導體封裝領域,晶圓級芯片規模封裝技術正引領著分立功率器件向更高集成度、更低損耗及更優熱性能方向演進。
2025-10-21 17:24:133873

半導體封裝介紹

半導體封裝形式介紹 摘 要 :半導體器件有許多封裝型式,從 DIP 、SOP 、QFP 、PGA 、BGA 到 CSP 再到 SIP,技術指標一代比一代先進,這些都是前人根據當時的組裝技術和市場需求
2025-10-21 16:56:30862

數明半導體SiC功率器件驅動器系列介紹

在電力電子技術飛速發展的當下,SiC(碳化硅)功率器件憑借高頻、高效、耐高溫的核心優勢,在新能源汽車、儲能系統、工業變頻等高端領域加速替代傳統硅基器件,不僅提升了系統的功率密度和能效,還降低了損耗
2025-10-21 16:49:411167

超越國際巨頭:微碧半導體VBGQTA1101以頂尖TOLT封裝重塑功率密度標桿

與電流路徑解耦"的核心設計,實現了功率密度與散熱效率的跨越式升級,標志著我國在高功率半導體封裝技術領域成功躋身國際先進行列! TOLT-16封裝圖 ?創新封裝,破解高功率散熱難題 VBGQTA1101采用的TOLT封裝,通過將散熱路徑與電流傳輸路徑分離,徹底解決了傳統封裝中熱管理與
2025-10-11 19:43:0019690

功率密度碳化硅MOSFET軟開關三相逆變器損耗分析

MOSFET 逆變器的功率密度,探討了采用軟開關技術的碳化硅 MOSFET 逆變器。 比較了不同開關頻率下的零電壓開關三相逆變器及硬開關三相逆變器的損耗分布和關鍵無源元件的體積, 討論了逆變器效率和關鍵無源元件體積與開關頻率之間的關系。 隨著開關頻率從數十 kHz 逐漸提升
2025-10-11 15:32:0337

BW-4022A半導體分立器件綜合測試平臺---精準洞察,卓越測量

器件都承載著巨大的科技使命,它的穩定性和壽命直接決定著設備的整體壽命與系統安全的保障,而半導體分立器件測試設備正是守護這些芯小小器件品質的關鍵利器,為半導體制造企業及應用終端行業為半導體核心功率轉換元件
2025-10-10 10:35:17

光頡科技LRP系列低阻值金屬合金貼片電阻突破功率密度邊界

為核心,小尺寸也能扛大電流,特別適合空間緊張的電子設備 。 LRP系列技術核心解析: 普通貼片電阻功率小,而光頡的LRP系列電阻在1206封裝尺寸下可以實現1W功率承載,2512封裝更可達3W,功率密度遠超同類產品,顯著優化PCB空間利用率。其阻值覆
2025-09-24 16:48:39609

三菱電機SiC MOSFET模塊的高功率密度和低損耗設計

鐵路牽引變流器作為軌道交通車輛動力系統的核心部件,正朝著高可靠性、高功率密度和高效率方向發展。目前IGBT仍是鐵路牽引領域的主流功率半導體器件,但是SiC MOSFET模塊的應用正在加速。本文重點介紹三菱電機SiC MOSFET模塊的高功率密度和低損耗設計。
2025-09-23 09:26:332066

突破功率密度邊界:TI LMG342xR030 GaN FET技術解析與應用

Texas Instruments LMG342xR030 GaN場效應晶體管(FET)集成了驅動器和保護功能,可使設計人員在電子設備系統中實現新的功率密度和效率水平。
2025-09-19 11:06:08586

未來半導體先進封裝PSPI發展技術路線趨勢解析

、更優的能耗比與性能表現,還可將芯片厚度做得更薄,同時支持多芯片集成、異質集成及芯片間高速互聯,完美適配當下半導體器件對高密度、高速度、低功耗的需求。在先進封裝的技
2025-09-18 15:01:322663

【「AI芯片:科技探索與AGI愿景」閱讀體驗】+半導體芯片產業的前沿技術

%。至少將GAA納米片提升幾個工藝節點。 2、晶背供電技術 3、EUV光刻機與其他競爭技術 光刻技術是制造3nm、5nm等工藝節點的高端半導體芯片的關鍵技術。是將設計好的芯片版圖圖形轉移到硅晶圓上的一種精細
2025-09-15 14:50:58

自主創新賦能半導體封裝產業——江蘇拓能半導體科技有限公司與 “半導體封裝結構設計軟件” 的突破之路

當前,全球半導體產業正處于深度調整與技術革新的關鍵時期,我國半導體產業在政策支持與市場需求的雙重驅動下,加速向自主可控方向邁進。作為半導體產業鏈后道核心環節的封裝測試領域,其技術水平直接影響芯片
2025-09-11 11:06:01752

TGV視覺檢測 助力半導體封裝行業# TGV檢測# 自動聚焦系統# 半導體封裝

新能源半導體封裝
志強視覺科技發布于 2025-09-10 16:43:33

CoolSiC? 2000V SiC 溝槽柵MOSFET定義新能源應用中功率密度增強的新基準

加大的爬電距離和電氣間隙,使用.XT焊接芯片技術。芯片同時用于62mm封裝的半橋模塊和EasyPACK3B封裝的升壓模塊。這些產品的性能提高了系統功率密度,可靠性和效
2025-08-29 17:10:021598

MPS新一代超高功率密度AI電源模塊MPC24380榮獲2025年度優秀AI芯片獎

8月26日,elexcon2025-第22屆深圳國際電子展正式拉開帷幕。為了表彰在“AI與雙碳”雙線技術創新的優秀企業,elexcon聯手電子發燒友網現場頒發“2025半導體市場創新表現獎”,MPS新一代超高功率密度 AI 電源模塊MPC24380斬獲”年度優秀AI芯片獎“。
2025-08-29 11:37:102128

芯片收縮對功率半導體器件封裝領域發展的影響

功率半導體邁向180-250 nm先進節點、SoC與SiP并行演進、扇入/扇出晶圓級封裝加速分化之際,芯片持續收縮已從單純的尺寸微縮演變為一場跨材料-工藝-封裝-系統的革命:銅-釕-鉬多元金屬化
2025-08-25 11:30:581453

森國科推出SOT227封裝碳化硅功率模塊

碳化硅(SiC)功率半導體技術引領者森國科,推出了采用SOT227封裝的SiC MOSFET及JBS功率模塊系列。這一突破性封裝方案結合了高功率密度與系統級可靠性,為新能源發電、工業電源及電動汽車等領域提供高效能解決方案。
2025-08-16 13:50:093154

TGV技術:推動半導體封裝創新的關鍵技術

隨著半導體行業的快速發展,芯片制造技術不斷向著更高的集成度、更小的尺寸和更高的性能邁進。在這一過程中,封裝技術的創新成為了推動芯片性能提升的關鍵因素之一。TGV(玻璃通孔)技術作為一種新興的封裝技術
2025-08-13 17:20:141570

英飛凌推出采用Q-DPAK 封裝的CoolSiC? MOSFET 1200V G2,將工業應用功率密度提升至新高度

的CoolSiCMOSFET1200VG2。這款新型半導體器件能夠提供更加出色的熱性能、系統效率和功率密度,專為應對工業應用的高性能和高可靠性要求而設計,例如電動汽車充電
2025-08-01 17:05:091506

半導體傳統封裝與先進封裝的對比與發展

半導體傳統封裝與先進封裝的分類及特點
2025-07-30 11:50:181057

RIGOL功率半導體動態性能測試解決方案

功率變換器是電能利用的重要裝置,其性能主要取決于其核心—功率半導體器件,常見類型有 MOSFET、IGBT 和二極管。傳統 Si 器件已逼近材料極限,成為進一步提升效率和功率密度的瓶頸。
2025-07-29 11:15:202250

iDEAL半導體與Mouser電子簽署全球銷售協議,基于SuperQ技術功率元件進入量產

專注于提供突破性效率的無晶圓廠功率半導體公司,宣布與Mouser電子簽署全球 銷 售 協議。該協議涉及iDEAL基于其創新、專利、最先進的SuperQ技術功率元件。 ? SuperQ與傳統 Super
2025-07-28 16:18:19880

深愛半導體 代理 SIC213XBER / SIC214XBER 高性能單相IPM模塊

深愛半導體推出新品IPM模塊 IPM(Intelligent Power Module,智能功率模塊) 是集成了功率器件、驅動電路、保護功能的“系統級”功率半導體方案。其高度集成方案可縮減 PCB
2025-07-23 14:36:03

意法半導體推出EVL250WMG1L諧振轉換器參考設計

為提供卓越的效率和功率密度,意法半導體加快了氮化鎵(GaN)電源(PSU)的設計進程,推出了基于MasterGaN1L系統級封裝(SiP)的EVL250WMG1L諧振轉換器參考設計。
2025-07-18 14:40:16941

安世半導體CCPAK1212 MOSFET在線研討會回顧

近日,安世半導體在線研討會聚焦BMS / Motor control / DCDC 等大電流、高功率密度應用,深度解讀了額定功率高、電阻和熱阻較低、電流密度高且 SOA 性能出色的CCPAK1212 MOSFET,如何滿足下一代工業應用的高功率需求。
2025-07-18 10:15:52887

現代集成電路半導體器件

目錄 第1章?半導體中的電子和空穴第2章?電子和空穴的運動與復合 第3章?器件制造技術 第4章?PN結和金屬半導體結 第5章?MOS電容 第6章?MOSFET晶體管 第7章?IC中的MOSFET
2025-07-12 16:18:42

功率半導體器件——理論及應用

功率半導體器件的使用者能夠很好地理解重要功率器件(分立的和集成的)的結構、功能、特性和特征。另外,書中還介紹了功率器件的封裝、冷卻、可靠性工作條件以及未來的材料和器件的相關內容。 本書可作為微電子
2025-07-11 14:49:36

金升陽推出高功率密度整流模塊LMR3000-4850

在通信與工業控制領域,穩定、高效的電源是保障系統可靠運行的核心。金升陽LMR3000-4850整流模塊憑借高功率密度、智能數字化控制及多重安全防護,成為通信基站、數據中心、工業自動化及機器人等領域的理想選擇。
2025-07-10 17:30:42880

仁懋TOLT封裝:突破極限,重塑大功率半導體未來

在科技飛速發展的今天,每一次電子設備性能的躍升,都離不開半導體技術的突破。仁懋電子推出的TOLT封裝產品,以顛覆傳統的設計和卓越性能,成為大功率半導體領域的“破局者”,為工業、新能源、消費等多個領域
2025-07-02 17:49:082033

博世上海碳化硅功率半導體實驗室介紹

隨著全球汽車產業加速向電動化、智能化轉型,碳化硅功率器件憑借其高效率、高功率密度和耐高溫特性,正成為下一代電驅動系統的核心技術。在此背景下,2025年1月,在上海正式設立碳化硅功率半導體研發與測試實驗室,旨在面向本土市場,提供領先的碳化硅產品研發、測試及驗證能力,助力客戶高性能電驅產品落地。
2025-06-27 11:09:561064

從原理到應用,一文讀懂半導體溫控技術的奧秘

半導體溫控技術背后的運作邏輯是什么?相比其他溫控方式,它又具備哪些獨特之處? 半導體溫控的核心原理基于帕爾貼效應。當直流電通過由兩種不同半導體材料串聯構成的電偶時,電偶兩端會分別產生吸熱和放熱現象。通過
2025-06-25 14:44:54

大模型在半導體行業的應用可行性分析

有沒有這樣的半導體專用大模型,能縮短芯片設計時間,提高成功率,還能幫助新工程師更快上手。或者軟硬件可以在設計和制造環節確實有實際應用。會不會存在AI缺陷檢測。 能否應用在工藝優化和預測性維護中
2025-06-24 15:10:04

傾佳電子力薦:BASiC 62mm封裝BMF540R12KA3 SiC MOSFET模塊 —— 重新定義高功率密度與效率的邊

傾佳電子力薦:BASiC 62mm封裝半橋BMF540R12KA3 SiC MOSFET模塊 —— 重新定義高功率密度與效率的邊界 關鍵詞:1200V/540A、2.5mΩ超低導通電阻、175℃高溫
2025-06-24 07:58:29460

功率DC-DC應用設計新方案:DFN3.3x3.3源極朝下封裝技術

專為高功率密度應用而設計的 DFN3.3x3.3 源極朝下封裝,采用創新的柵極中置布局技術,可大幅簡化 PCB 走線設計。 日前,集設計研發、生產和全球銷售為一體的著名功率半導體及芯片解決方案供應商
2025-06-18 15:18:491438

仁懋TOLT封裝MOS——專為大功率而生

當工業電源、儲能設備、新能源交通等領域對功率密度的需求突破極限,傳統MOSFET封裝技術正面臨前所未有的挑戰。廣東仁懋電子推出的TOLT頂部散熱封裝MOS,以顛覆性的散熱設計與功率承載能力,成為
2025-06-18 13:27:371676

新能源汽車高功率密度電驅動系統關鍵技術趨勢

一、新能源汽車高功率密度電驅動系統關鍵技術趨勢開發超高功率密度電機驅動系統的驅動力在于:相同體積或質量下,輸出功率更大,超車加速能力和高速持續行駛能力更強,獲得優異的動力性能和駕駛體驗;相同輸出功率
2025-06-14 07:07:10949

蘇州芯矽科技:半導體清洗機的堅實力量

。在全球半導體競爭加劇的浪潮中,芯矽科技使命在肩。一方面持續加大研發投入,探索新技術、新工藝,提升設備性能,向國際先進水平看齊;另一方面,積極攜手上下游企業,構建產業鏈協同創新生態,共破技術瓶頸,推動
2025-06-05 15:31:42

提升功率半導體可靠性:推拉力測試機在封裝工藝優化中的應用

隨著功率半導體器件在新能源、電動汽車、工業控制等領域的廣泛應用,其可靠性問題日益受到關注。塑料封裝作為功率器件的主要封裝形式,因其非氣密性特性,在濕熱環境下容易出現分層失效,嚴重影響器件性能和壽命
2025-06-05 10:15:45738

半導體封裝質量把關:紅墨水試驗技術要點與常見問題解答

可靠性分析中發揮著至關重要的作用。 隨著半導體封裝技術向高密度、微型化發展,BGA器件的焊接質量直接影響產品的電氣性能和長期可靠性。傳統目檢、X-ray檢測等方法難以全面評估焊接界面的微觀缺陷,而紅墨水試驗通過染色滲透技術,可精準識
2025-06-04 10:49:34947

納微半導體推出12kW超大規模AI數據中心電源

近日,納微半導體宣布推出專為超大規模AI數據中心設計的最新12kW量產電源參考設計,可適配功率密度達120kW的高功率服務器機架。
2025-05-27 16:35:011288

漢思膠水在半導體封裝中的應用概覽

漢思膠水在半導體封裝中的應用概覽漢思膠水在半導體封裝領域的應用具有顯著的技術優勢和市場價值,其產品體系覆蓋底部填充、固晶粘接、圍壩填充、芯片包封等關鍵工藝環節,并通過材料創新與工藝適配性設計,為
2025-05-23 10:46:58850

從清華大學到鎵未來科技,張大江先生在半導體功率器件十八年的堅守!

從清華大學到鎵未來科技,張大江先生在半導體功率器件十八年的堅守!近年來,珠海市鎵未來科技有限公司(以下簡稱“鎵未來”)在第三代半導體行業異軍突起,憑借領先的氮化鎵(GaN)技術儲備和不斷推出的新產品
2025-05-19 10:16:02

上汽英飛凌無錫擴建功率半導體項目 投資3.1億元提升產能!

近日,上汽英飛凌汽車功率半導體(上海)有限公司發布了關于其無錫擴建功率半導體模塊產線項目的環境影響評價(環評)公告。該項目的總投資額達到3.1億元人民幣,計劃選址于無錫分公司,旨在進一步提升其生
2025-04-21 11:57:13785

納微半導體GaNSafe?氮化鎵功率芯片正式通過車規認證

日訊——納微半導體宣布其高功率旗艦GaNSafe氮化鎵功率芯片已通過 AEC-Q100 和 AEC-Q101 兩項車規認證,這標志著氮化鎵技術在電動汽車市場的應用正式邁入了全新階段。 ? 納微半導體的高功率旗艦——第四代GaNSafe產品家族, 集成了控制、驅動、感測以及關鍵的保護功能
2025-04-17 15:09:264296

最全最詳盡的半導體制造技術資料,涵蓋晶圓工藝到后端封測

——薄膜制作(Layer)、圖形光刻(Pattern)、刻蝕和摻雜,再到測試封裝,一目了然。 全書共分20章,根據應用于半導體制造的主要技術分類來安排章節,包括與半導體制造相關的基礎技術信息;總體流程圖
2025-04-15 13:52:11

開關電源環路開關電源技術的十個關注點

上世紀60年代,開關電源的問世,使其逐步取代了線性穩壓電源和SCR相控電源。40多年來,開關電源技術有了迅發展和變化,經歷了功率半導體器件、高頻化和軟開關技術、開關電源系統的集成技術三個發展階段
2025-04-09 15:02:01

功率半導體與集成技術:開啟能源與智能新紀元

本文深入探討了功率半導體器件與功率集成技術的發展現狀,分析了其面臨的挑戰與機遇,并對未來發展趨勢進行了展望。功率半導體器件作為電能轉換與電路控制的核心,在新能源、工業控制、消費電子等領域發揮
2025-04-09 13:35:401445

強強聯合!易創新與納微半導體達成戰略合作,打造智能、高效、高功率密度的數字電源解決方案

,打造智能、高效、高功率密度的數字電源產品,并配合易創新的全產業鏈的管理能力與納微對系統應用的深刻理解,加速在AI數據中心、光伏逆變器、儲能、充電樁和電動汽車商業化布局。作為戰略合作的重要組成部分,易創新還將與納微半導體攜手共建聯合
2025-04-09 09:30:43736

易創新與納微半導體達成戰略合作 高算力MCU+第三代功率半導體的數字電源解決方案

? ? ? 今日,易創新宣布與納微半導體正式達成戰略合作!雙方將強強聯合,通過將易創新先進的高算力MCU產品和納微半導體高頻、高速、高集成度的氮化鎵技術進行優勢整合,打造智能、高效、高功率密度
2025-04-08 18:12:443885

先進碳化硅功率半導體封裝技術突破與行業變革

本文聚焦于先進碳化硅(SiC)功率半導體封裝技術,闡述其基本概念、關鍵技術、面臨挑戰及未來發展趨勢。碳化硅功率半導體憑借低內阻、高耐壓、高頻率和高結溫等優異特性,在移動應用功率密度提升的背景下
2025-04-08 11:40:331493

一種分段氣隙的CLLC變換器平面變壓器設計

逆變器,各式各樣的應用場景使得儲能在我們生活中無處不在。說回LLC變換器,隨著功率密度提升,變換器的頻率和體積在不斷的被壓縮。為了實現高的功率密度,諧振頻率被提到了赫茲,隨著帶來了新的問題,如驅動
2025-03-27 13:57:27

意法半導體MasterGaN與VIPerGaN產品家族介紹

隨著半導體技術不斷革新,智能功率氮化鎵(GaN)成為備受矚目的關鍵技術。它融合了氮化鎵材料高電子遷移率、低導通電阻、耐高溫高壓的特性,以及智能控制電路和功能,能實現高效的功率轉換、低能耗和高功率密度,廣泛應用于消費電子、工業、通信等多個領域,極大地推動了電子產品的升級和工業設備性能的提升
2025-03-24 11:37:571472

英飛凌推出新一代高功率密度功率模塊,賦能AI數據中心垂直供電

【2025年3月12日, 德國慕尼黑訊】全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX/OTCQX代碼:IFNNY)宣布推出新一代高密度功率模塊,該模塊將在實現AI
2025-03-19 16:53:22735

CAB450M12XM3工業級SiC半橋功率模塊CREE

及高效率需求的應用而設計。CAB450M12XM3在電動汽車充電站、不間斷電源系統(UPS)以及牽引驅動系統等領域展現出了卓越的性能。 主要特性 極致功率密度:得益于SiC技術
2025-03-17 09:59:21

納微助力長城電源打造超高功率密度模塊電源,掀起AI數據中心“芯”革命

下一代GaNSense?技術為AI數據中心、電信、工業設備提升8倍功率 下一代氮化鎵(GaN)功率芯片和碳化硅(SiC)技術領導者——納微半導體宣布其搭載GaNSense?技術的GaNFast
2025-03-12 11:02:36726

直流充電測試負載關鍵技術解析

虛擬測試與實物驗證的深度融合,而寬禁帶半導體材料的普及有望將功率密度提升至50kW/U的新高度。這些技術突破將持續賦能新能源汽車產業,為充電基礎設施的可靠性提供堅實保障。
2025-03-05 16:18:51

密度封裝失效分析關鍵技術和方法

密度封裝技術在近些年迅猛發展,同時也給失效分析過程帶來新的挑戰。常規的失效分析手段難以滿足結構復雜、線寬微小的高密度封裝分析需求,需要針對具體分析對象對分析手法進行調整和改進
2025-03-05 11:07:531288

功率半導體激光器陣列的封裝技術

半導體激光器陣列的應用已基本覆蓋了整個光電子領域,成為當今光電子科學的重要技術。本文介紹了半導體激光器陣列的發展及其應用,著重闡述了半導體激光器陣列的封裝技術——熱沉材料的選擇及其結構優化、熱沉與半導體激光器陣列之間的焊接技術半導體激光器陣列的冷卻技術、與光纖的耦合技術等。
2025-03-03 14:56:191800

華大半導體與湖南大學成功舉辦SiC功率半導體技術研討會

近日,華大半導體與湖南大學在上海舉辦SiC功率半導體技術研討會,共同探討SiC功率半導體在設計、制造、材料等領域的最新進展及挑戰。
2025-02-28 17:33:531172

法拉電容具有高能量密度和高功率密度的特點,廣泛應用于以下領域

法拉電容具有高能量密度和高功率密度的特點,廣泛應用于以下領域:1.電子設備:法拉電容可用于移動設備、電子手表、智能手機等電子產品中,用于儲存短時間內需要大量能量供應的場景,如高峰電流要求的充電和放電
2025-02-26 13:28:531028

氮化硼散熱材料大幅度提升氮化鎵快充效能

什么是氮化鎵(GaN)充電頭?氮化鎵充電頭是一種采用氮化鎵(GalliumNitride,GaN)半導體材料制造的新型電源適配器。相比傳統硅基(Si)充電器,GaN材料憑借其物理特性顯著提升功率
2025-02-26 04:26:491181

納微半導體將于下月發布全新功率轉換技術

GaNFast氮化鎵功率芯片和GeneSiC碳化硅功率器件的行業領導者——納微半導體(納斯達克股票代碼:NVTS)今日宣布于下月發布全新的功率轉換技術,將觸發多個行業領域的顛覆性變革。該創新涵蓋半導體與系統級解決方案,預計將顯著提升能效與功率密度,加速氮化鎵和碳化硅技術對傳統硅基器件的替代進程。
2025-02-21 16:41:10867

光電顯示領域領先,金剛石基超大功率密度封裝技術成首選

獲悉,根據瑞豐光電,在傳統LED照明領域,散熱問題一直是制約性能提升的關鍵因素。特別是隨著LED技術向高光效、高功率方向的快速發展,高功率LED封裝技術因其結構和工藝的復雜性,對LED的性能、壽命
2025-02-20 10:50:25790

DLP9500UV在波長為370nm脈沖激光下的DMD的峰值功率密度是多少?

請問在波長為370nm脈沖激光下的DMD的峰值功率密度是多少?如何查看?
2025-02-20 07:49:07

瑞豐光電推出金剛石基超大功率密度封裝

的應用開拓了更多可能性。 金剛石基板工藝是瑞豐光電此次創新的核心所在。該工藝利用金剛石的卓越熱導性能,有效提升封裝產品的散熱效率,從而實現了更高功率密度封裝。這一技術突破使得瑞豐光電的大功率封裝新品在性能上遠
2025-02-19 14:44:211078

瑞豐光電推出金剛石基超大功率密度封裝

在傳統LED照明領域,散熱問題一直是制約性能提升的關鍵因素。特別是隨著LED技術向高光效、高功率方向的快速發展,高功率LED封裝技術因其結構和工藝的復雜性,對LED的性能、壽命產生直接影響。而高功率LED在復雜應用場景中,因散熱不良導致的光衰加劇、穩定性下降等成為行業亟待解決的難題。
2025-02-19 11:39:161109

揭秘Cu Clip封裝:如何助力半導體芯片飛躍

半導體行業中,封裝技術對于功率芯片的性能發揮起著至關重要的作用。隨著電子技術的飛速發展,特別是在大功率場合下,傳統的封裝技術已經難以滿足日益增長的性能需求。因此,Cu Clip封裝技術作為一種新興
2025-02-19 11:32:474753

精通芯片粘接工藝:提升半導體封裝可靠性

隨著半導體技術的不斷發展,芯片粘接工藝作為微電子封裝技術中的關鍵環節,對于確保芯片與外部電路的穩定連接、提升封裝產品的可靠性和性能具有至關重要的作用。芯片粘接工藝涉及多種技術和材料,其工藝參數的精確控制對于保證粘接質量至關重要。本文將對芯片粘接工藝及其關鍵工藝參數進行詳細介紹。
2025-02-17 11:02:072169

功率半導體展 聚焦 APSME 2025,共探功率半導體發展新征程

2025 亞洲國際功率半導體、材料及裝備技術展覽會將于2025年11月20-22日在廣州保利世貿博覽館舉辦;展會將匯聚全球優質品牌廠商齊聚現場,打造功率半導體全產業鏈創新展示、一站式采購及技術交流平臺,集中展示半導體器件、功率模塊、第三代半導體、材料、封裝技術、測試技術、生產設備、散熱管理等熱門產品
2025-02-13 11:49:01742

密度3-D封裝技術全解析

隨著半導體技術的飛速發展,芯片集成度和性能要求日益提升。傳統的二維封裝技術已經難以滿足現代電子產品的需求,因此,高密度3-D封裝技術應運而生。3-D封裝技術通過垂直堆疊多個芯片或芯片層,實現前所未有的集成密度和性能提升,成為半導體封裝領域的重要發展方向。
2025-02-13 11:34:381613

濕度大揭秘!如何影響功率半導體器件芯片焊料熱阻?

近年來,隨著電力電子技術的快速發展,功率半導體器件在風力發電、光伏發電、電動汽車等戶外工況中的應用日益廣泛。然而,這些戶外環境往往伴隨著較高的濕度,這對功率半導體器件的運行可靠性構成了嚴峻挑戰
2025-02-07 11:32:251527

意法半導體推出250W MasterGaN參考設計

為了加快能效和功率密度都很出色的氮化鎵(GaN)電源(PSU)的設計,意法半導體推出了EVL250WMG1L基于MasterGaN1L系統級封裝(SiP)的諧振轉換器參考設計。
2025-02-06 11:31:151133

半導體封裝的主要類型和制造方法

半導體封裝半導體器件制造過程中的一個重要環節,旨在保護芯片免受外界環境的影響,同時實現芯片與外部電路的連接。隨著半導體技術的不斷發展,封裝技術也在不斷革新,以滿足電子設備小型化、高性能、低成本和環保的需求。本文將詳細介紹半導體封裝的類型和制造方法。
2025-02-02 14:53:002637

LED芯片巨頭馳,全面進軍化合物半導體

的發展戰略方向。具體來說,馳集團將以半導體芯片業務為根基,進一步完善產業集群布局,重點打造化合物半導體產業鏈,推動技術創新與產業升級,為企業的長遠發展注入強勁動力。馳集團的新發展戰略與其過往的業務布局和技術積累一脈相承,既是對原
2025-01-23 11:49:081624

功率器件熱設計基礎(十二)——功率半導體器件的PCB設計

設計基礎系列文章會比較系統地講解熱設計基礎知識,相關標準和工程測量方法。功率半導體的電流密度隨著功率半導體芯片損耗降低,最高工作結溫提升,器件的功率密度越來越高,也就是
2025-01-13 17:36:111819

銀燒結技術助力功率半導體器件邁向高效率時代

簡單易行以及無鉛監管的要求。這些都對焊接材料和工藝提出了更高、更全面的可靠性要求。而銀燒結技術,作為一種新型的高可靠性連接技術,正在逐漸成為功率半導體器件封裝領域
2025-01-08 13:06:132115

功率器件熱設計基礎(十一)——功率半導體器件的功率端子

/前言/功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎,只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識,才能完成精確熱設計,提高功率器件的利用率,降低系統成本,并保證系統的可靠性。功率器件熱
2025-01-06 17:05:481328

已全部加載完成