GNP1070TC-Z 650V GaN HEMT 數(shù)據(jù)手冊
GNP1070TC-Z是一款650V GaN HEMT，實(shí)現(xiàn)了業(yè)內(nèi)出色的FOM 。該產(chǎn)品屬于EcoGaN?系列產(chǎn)品，利用該系列產(chǎn)品低導(dǎo)通電阻和高速開關(guān)的特性，有助于提高功率轉(zhuǎn)換效率并減小產(chǎn)品尺寸；內(nèi)置ESD保護(hù)功能，有助于實(shí)現(xiàn)高可靠性的設(shè)計(jì)。另外，通過采用通用性高的DFN封裝，不僅散熱性能出色，還非常易于安裝。采用DFN8080K 封裝，屬于 650V 增強(qiáng)型氮化鎵場效應(yīng)晶體管（GaN FET） ，導(dǎo)通電阻 70mΩ，柵極電荷 5.2nC。
*附件：GNP1070TC-Z 650V GaN HEMT 數(shù)據(jù)手冊.pdf
主要規(guī)格
- 型號(hào) | GNP1070TC-ZE2
- 封裝 | DFN8080K
- 包裝形態(tài) | Taping
- 包裝數(shù)量 | 3500
- 最小獨(dú)立包裝數(shù)量 | 3500
- RoHS | Yes
特性
- 650V 增強(qiáng)型氮化鎵場效應(yīng)晶體管（E-mode GaN FET）
- 70mΩ 電阻
- 5.2nC 柵極電荷
絕對最大額定值
電氣特性
測量電路和波形
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
GaN
+關(guān)注
關(guān)注
21文章
2366瀏覽量
82198 -
數(shù)據(jù)手冊
+關(guān)注
關(guān)注
95文章
6208瀏覽量
44764 -
HEMT
+關(guān)注
關(guān)注
2文章
79瀏覽量
14495
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
Nexperia推出650V的功率器件GAN063-650WSA
Nexperia今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA，宣布其進(jìn)入氮化鎵場效應(yīng)管（GaN）市場。
發(fā)表于 11-22 15:16
?2537次閱讀
40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET，替代30mR 超結(jié)MOSFET或者20-30mR的GaN!
BASiC基本半導(dǎo)體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET，替代30mR 超結(jié)MOSFET或者20-30mR的GaN!
BASiC基本半導(dǎo)體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET
發(fā)表于 01-22 10:43
650V,50mOhm 氮化鎵(GaN) FET-GAN063-650WSA
650 V、50 mOhm 氮化鎵 (GaN) FET-GAN063-650WSA
發(fā)表于 02-17 19:47
?5次下載
ROHM具有業(yè)界高性能的650V耐壓GaN HEMT
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(以下簡稱“ROHM”)將650V耐壓的GaN(Gallium Nitride：氮化鎵)HEMT*1“GNP1070TC-Z”、“
ROHM具有業(yè)界超高性能的650V耐壓GaN HEMT
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(以下簡稱“ROHM”)將650V耐壓的GaN(Gallium Nitride：氮化鎵)HEMT*1“GNP1070TC-Z”、“
ROHM開始量產(chǎn)具有業(yè)界超高性能的650V耐壓GaN HEMT！
非常適用于服務(wù)器和AC適配器等各種電源系統(tǒng)的效率提升和小型化 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（以下簡稱“ROHM”）將650V耐壓的GaN（Gallium Nitride：氮化鎵）HEMT *1
AMEYA360：羅姆 Semiconductor GNP1 EcoGaN? 650V E模式GaN FET
ROHMSemiconductor GNP1 EcoGaN?650V E模式氮化鎵(GaN)FET采用低導(dǎo)通電阻和高速開關(guān)來提高電源轉(zhuǎn)換效率和減小尺寸。該款高度可靠的GNP1 FET具
具有集成驅(qū)動(dòng)器的650V 270m? GaN FETLMG3616數(shù)據(jù)表
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有集成驅(qū)動(dòng)器的650V 270m? GaN FETLMG3616數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
發(fā)表于 03-21 10:19
?0次下載
650V耐壓GaN HEMT新增小型、高散熱TOLL封裝
~同時(shí)加快車載GaN器件的開發(fā)速度，以盡快投入量產(chǎn)~ ? 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）已將TOLL（TO-LeadLess）封裝的650V耐壓GaN HEMT*1
AMEYA360代理：羅姆650V耐壓GaN HEMT新增小型、高散熱TOLL封裝
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)已將TOLL(TO-LeadLess)封裝的650V耐壓GaN HEMT *1 “GNP2070TD-Z”投入量產(chǎn)。TOLL封裝不僅體
ROHM攜手ATX量產(chǎn)650V耐壓GaN HEMT
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM近日宣布，其采用TOLL(TO-LeadLess)封裝的650V耐壓GaN HEMT(高電子遷移率晶體管)“GNP2070TD-Z”已成功投入量產(chǎn)。這一里程
GNP1150TCA-Z 650V GaN HEMT 數(shù)據(jù)手冊
GNP1150TCA-Z是一款650V GaN HEMT，實(shí)現(xiàn)了業(yè)內(nèi)出色的FOM。該產(chǎn)品屬于EcoGaN?系列產(chǎn)品，利用該系列產(chǎn)品低導(dǎo)通電阻和高速開關(guān)的特性，有助于提高功率轉(zhuǎn)換效率并減
BM3G115MUV-LB 650V GaN HEMT 功率級(jí)IC數(shù)據(jù)手冊
該產(chǎn)品是工業(yè)設(shè)備市場的一流產(chǎn)品。這是在這些應(yīng)用中使用的最佳產(chǎn)品。BM3G115MUV-LB為所有需要高功率密度和高效率的電子系統(tǒng)提供了最佳解決方案。通過將650V增強(qiáng)型GaN HEMT和硅驅(qū)動(dòng)器集成
BM3G015MUV-LB 650V GaN HEMT 功率級(jí)IC數(shù)據(jù)手冊
該產(chǎn)品是保證在工業(yè)市場長期供應(yīng)的產(chǎn)品。BM3G015MUV-LB非常適用于要求高功率密度和高效率的各種電子系統(tǒng)。通過將650V增強(qiáng)型GaN HEMT和Si驅(qū)動(dòng)器集成于ROHM自有封裝，與以往的分立
Texas Instruments LMG3614 650V 170m? GaN功率FET數(shù)據(jù)手冊
Texas Instruments LMG3614 650V 170m? GaN功率FET設(shè)計(jì)用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。LMG3614在8mm x 5.3mm QFN封裝中集成了GaN FET和柵極驅(qū)動(dòng)器，從而減少了元器件數(shù)量并簡化
工商網(wǎng)監(jiān)
評論