大聯大控股宣布，其旗下品佳代理的英飛凌（Infineon）推出革命性的1200V SiC MOSFET，使產品設計可以在功率密度和性能上達到前所未有的水平。它們將有助于電源轉換方案的開發人員節省空間、減輕重量、降低散熱要求，并提高可靠性和降低系統成本。
2018-04-10 14:04:34
8342 
為滿足快速發展的電動汽車行業對高功率密度 SiC 功率模塊的需求，進行了 1 200 V/500 A 高功率密度三相 全橋 SiC 功率模塊設計與開發，提出了一種基于多疊層直接鍵合銅單元的功率模塊封裝方法來并聯更多的芯片。
2024-03-13 10:34:033982 
靠性。在碳化硅材料中，垂直界面的缺陷密度明顯低于橫向界面。這就為性能和魯棒性特征與可靠性的匹配提供了新的優化潛力。 安富利合作伙伴英飛凌推出的CoolSiC MOSFET G2溝槽技術繼承了G1的高可靠性。 基于所有已售出的CoolSiC MOSFET G1、分立器件和工
2024-05-16 09:54:311373 
的CoolSiCMOSFET650V和1200VGen2技術在確保質量和可靠性的前提下，進一步提升了MOSFET的主要性能指標，擁有更高的效率和功率密度。Gen2SiC性價比
2025-08-19 14:45:005067 
鐵路牽引變流器作為軌道交通車輛動力系統的核心部件，正朝著高可靠性、高功率密度和高效率方向發展。目前IGBT仍是鐵路牽引領域的主流功率半導體器件，但是SiC MOSFET模塊的應用正在加速。本文重點介紹三菱電機SiC MOSFET模塊的高功率密度和低損耗設計。
2025-09-23 09:26:332066 
該62mm模塊配備了英飛凌的CoolSiC MOSFET芯片，可實現極高的電流密度。其極低的開關損耗和傳導損耗可以最大限度地減少冷卻器件的尺寸。
2020-07-14 17:40:231952 日前發布的器件在小型封裝內含有高性能n溝道溝槽式MOSFET和PWM控制器，提高了功率密度。穩壓器靜態工作電流低，峰值效率達98 %，減少功率損耗。
2021-03-24 16:58:211873 英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）即將推出采用XHP? 2封裝的CoolSiC? MOSFET和.XT技術的功率半導體，這款專門定制的解決方案旨在滿足軌道交通市場的需求。
2022-03-07 14:52:09835 
和信號完整性以提高系統級保護和精度。 ? 在這些趨勢之外，功率密度越來越高也是一個不爭的行業趨勢，如果能在更小的空間內實現更大的功率，就能以更低的系統成本增強系統級性能。隨著功率需求的增加，電路板面積和厚度日益成為限制
2022-11-29 01:04:002449 電子發燒友網報道（文/李寧遠）電源模塊功率密度越來越高是行業趨勢，每一次技術的進步都可以讓電源模塊尺寸減小或者讓功率輸出能力提高。隨著技術的不斷發展，電源模塊的尺寸會越來越小。功率密度不斷提高的好處
2022-12-26 09:30:523461 。英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日推出先進的全新OptiMOS?功率MOSFET，進一步擴大其采用PQFN 2x2 mm2封裝的功率MOSFET的產品陣容，此舉旨在提供功率半導體行業標桿解決方案，在更小的封裝尺寸內實現更高的效率和更加優異的性能。新產品廣
2023-09-06 14:18:432171 
模塊系列新添全新工業標準封裝產品。其采用成熟的62 mm 器件半橋拓撲設計并基于新推出的增強型M1H 碳化硅（SiC）MOSFET技術。該封裝使SiC能夠應用于250 kW以上的中等功率等級應用，而傳統
2023-12-05 17:03:491311 
TDM2254xD系列雙相功率模塊，為AI數據中心提供更佳的功率密度、質量和總體成本（TCO）。TDM2254xD系列產品融合了強大的OptiMOSTM MOSFET技術創新與新型封裝和專有磁性結構，通過穩健的機械設計提供業界領先的電氣和熱性能。它能提高數據中心的運行效率，在滿足A
2024-03-05 13:52:101491 
? MOSFET 2000 V。這款產品不僅能夠滿足設計人員對更高功率密度的需求，而且即使面對嚴格的高電壓和開關頻率要求，也不會降低系統可靠性。CoolSiC? MOSFET具有更高的直流母線
2024-03-14 11:07:581205 
了全面的提升。 ? 性能全方面提升 ? 英飛凌在2017年正式推出了第一代溝槽柵SiC MOSFET，即CoolSiC MOSFET G1。在CoolSiC MOSFET G1中，英飛凌采用溝槽柵
2024-03-19 18:13:184422 
? MOSFET 750 V G2。這款新型CoolSiC? MOSFET 750 V G2專為提升汽車及工業功率轉換應用的系統效率和功率密度而設計。它提供一系列精細化的產品組合，在25°C時R?DS(on)?值
2025-07-02 15:00:301604 
? 1B模塊（F4-23MR12W1M1_B11）。該模塊可提供 超高的設計靈活性和高電流密度 。同時，該模塊采用了領先的封裝技術，與CoolSiC? MOSFET配合使用，實現了 低電感設計以及極小
2022-08-09 15:17:41
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術功率MOSFET，根據superP&S的結原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 08:19:34
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術功率MOSFET，根據superP&S的結原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 06:19:23
解決方案的功率僅為其75%。 新器件的高功率密度允許設計人員升級現有設計，開發輸出功率提高最多25%的新平臺，或者減少并聯功率器件數量，從而實現更緊湊的設計。獨一無二的組合封裝40 A D2PAK可以替代D3PAK或TO-247，用于表面貼裝。這可支持輕松焊接，實現快速且可靠的貼裝生產線。
2018-10-23 16:21:49
通過對同步交流對交流(DC-DC)轉換器的功耗機制進行詳細分析，可以界定必須要改進的關鍵金屬氧化物半導體場效晶體管(MOSFET)參數，進而確保持續提升系統效率和功率密度。分析顯示，在研發功率
2019-07-04 06:22:42
全球半導體領先供應商英飛凌聯合第三方，推出了性能優越的的750W伺服套件。該套件包括主控板和功率板兩部分。主控板采用英飛凌32位微處理器XMC4500（ARM Cortex-M4 core）為主
2018-12-11 10:47:32
的推出，為業界提供了最佳功率密度和低傳導損耗。FDMC8010采用飛兆半導體的PowerTrench技術，非常適合要求在小空間內實現最低RDS(ON)的應用，包括：高性能DC-DC降壓轉換器、負載點
2012-04-28 10:21:32
電子產品有害物質管制規定 （RoHS） . 產品規格 AUIRF8736M2適合需要在緊湊的占位面積內提供高功率密度的重載汽車應用，包括電動助力轉向系統、剎車系統、水泵等。
2018-09-28 15:57:04
克服了上述問題，可實現高功率密度、高效率 (達 99%) 的解決方案。這款固定比例、高電壓、高功率開關電容器控制器內置 4 個 N 溝道 MOSFET 柵極驅動器，用于驅動外部功率 MOSFET，以
2018-10-31 11:26:48
Leadway GaN系列模塊以120W/in3的功率密度為核心，通過材料創新、電路優化與封裝設計，實現了體積縮減40%、效率提升92%+的突破。其價值在于為工業自動化、機器人、電動汽車等空間受限
2025-10-22 09:09:58
的MOSFET設計，就無法做到這一點。2006年，英飛凌為了滿足客戶的要求，推出了OptiMOS? 2 100 V MOSFET[1]。它是該電壓等級里采用電荷補償技術的第一個功率MOSFE器件。相對于傳統
2018-12-07 10:21:41
標準(與線性電源相比具有更好的功率密度和效率)，組件設計人員設法通過芯片級創新和改進封裝來不斷提升功率MOSFET的導通和開關性能。芯片的不斷更新換代使得在導通電阻(RDS(ON))和影響開關性能
2018-09-12 15:14:20
什么是功率密度？功率密度的發展史如何實現高功率密度？
2021-03-11 06:51:37
什么是功率密度？限制功率密度的因素有哪些？
2021-03-11 08:12:17
在現有空間內繼續提高功率，但同時又不希望增大設備所需的空間，”德州儀器產品經理Masoud Beheshti說，“如果不能增大尺寸，那么只能提升功率密度。” 了解如何利用德州儀器的GaN產品系列實現
2019-03-01 09:52:45
實現功率密度非常高的緊湊型電源設計的方法
2020-11-24 07:13:23
設計帶來更低的溫升更高的可靠性。 那么，在設計過程中如何才能提高電源模塊產品的功率密度呢?工程師可以從下面三個方向入手：第一，工程師可以在線路設計過程中采用先進的電路拓樸和轉換技術，實現大功率低損耗
2016-01-25 11:29:20
如何用PQFN封裝技術提高能效和功率密度？
2021-04-25 07:40:14
整個壽命周期成本時，逐步減少能量轉換過程中的小部分損失并不一定會帶來總體成本或環境效益的大幅提升。另一方面，將更多能量轉換設備集成到更小的封裝中，即提高“功率密度”，可以更有效地利用工廠或數據中心
2020-10-27 10:46:12
從“磚頭”手機到笨重的電視機，電源模塊曾經在電子電器產品中占據相當大的空間，而且市場對更高功率密度的需求仍是有增無減。硅電源技術領域的創新曾一度大幅縮減這些應用的尺寸，但卻很難更進一步。在現有尺寸
2019-08-06 07:20:51
具有更高的熱性能和堅固性，以及高度可靠的環氧樹脂灌封技術。所有這些都導致： 優化內部低雜散電感和電弧鍵合?結構，顯著提升動態開關性能; 功率密度比主要競爭對手的模塊高20-30%; 更低的熱阻
2023-02-20 16:26:24
面向電動汽車的全新碳化硅功率模塊 碳化硅在電動汽車應用中代表著更高的效率、更高的功率密度和更優的性能，特別是在800 V 電池系統和大電池容量中，它可提高逆變器的效率，從而延長續航里程或降低電池成本
2021-03-27 19:40:16
定制DCB（直接銅粘合）布線和引腳而獲得的應用靈活性；降低客戶開發周期和成本；高功率密度；集成式溫度傳感器；低雜散電感模塊設計；符合RoHS標準。英飛凌已成功將這些模塊納入其汽車功率模塊產品組合。因此
2018-12-07 10:13:16
開發人員來說，功率密度是一個始終存在的挑戰，對各種電壓下更高電流的需求（通常遠低于系統總線）帶來了對更小的降壓穩壓器的需求，這樣的穩壓器可通過一個單極里的多個放大器，將電壓從高達48 V降至1 V，使其
2020-10-28 09:10:17
傳統變壓器介紹高功率密度變壓器的常見繞組結構
2021-03-07 08:47:04
集成來減小系統體積我還將演示如何與TI合作，使用先進的技術能力和產品來實現這四個方面，幫助您改進并達到功率密度值。首先，讓我們來定義功率密度，并著重了解一些根據功率密度值比較解決方案時的細節
2022-11-07 06:45:10
Toshiba推出高性能功率MOSFET TK系列
Toshiba推出新系列的功率MOSFET，這些功率MOSFET改善效率和具有快速開關速度，應用工作電壓高達650V, 電流20A。新的TK系列器件適合用于各
2010-03-30 10:37:181779 飛兆和英飛凌簽署功率MOSFET兼容協議
全球領先的高性能功率和移動產品供應商飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)和英飛凌科技(Infineon Technologies)宣布，兩家公司就采用MLP 3x
2010-04-26 08:50:51813 用改進的PQFN器件一對一替換標準SO-8 MOSFET可提升總體工作效率。電流處理能力也能夠得以增強，并實現更高的功率密度。在以并聯方式使用的傳統MOSFET應用中，采用增強型封裝(如PQFN和DirectFET)的最新一代器件可用單個組件代替一個并聯的組件對。
2011-03-09 09:13:026854 國際整流器公司推出PowIRaudio集成式功率模塊系列，適用于高性能家庭影院系統及車用音頻放大器。新器件將脈沖寬度調制控制器和兩個數字音頻功率MOSFET集成至單一封裝，提供高效緊湊
2012-05-23 10:56:151134 在電路板尺寸不斷縮小的新一代服務器和電信系統供電應用中，提高效率和功率密度是設計人員面臨的重大挑戰。為了應對挑戰，飛兆半導體研發了智能功率級（SPS）模塊系列——下一代超緊湊的集成了MOSFET
2013-11-14 16:57:012749 2016年5月10日，德國慕尼黑訊——英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）推出革命性的碳化硅（SiC）MOSFET技術，使產品設計可以在功率密度和性能上達到前所未有的水平。英飛凌的CoolSiC? MOSFET具備更大靈活性，可提高效率和頻率。
2016-05-10 18:14:091448 通過對同步交流對交流(DC-DC)轉換器的功耗機制進行詳細分析，可以界定必須要改進的關鍵金屬氧化物半導體場效晶體管(MOSFET)參數，進而確保持續提升系統效率和功率密度。 分析顯示，在研發功率
2017-11-24 06:21:01944 
模塊分別針對CoolSiC MOSFET和TRENCHSTOP IGBT4芯片組的最佳點損耗進行了優化，具有更高的功率密度和高達48 kHz的開關頻率，適用于新一代1500V光伏和儲能應用。
2019-09-14 10:56:005286 帶有降壓穩壓器的Recom RPX-2.5電源模塊采用集成的倒裝芯片技術，提供高功率密度和優化的散熱管理功能。
2020-05-22 11:24:513603 通過對同步交流對交流（DC-DC）轉換器的功耗機制進行詳細分析，可以界定必須要改進的關鍵金屬氧化物半導體場效晶體管 （MOSFET）參數，進而確保持續提升系統效率和功率密度。分析顯示，在研發功率
2020-08-07 18:52:00
0 什么樣的MOSFET才適合儲能系統？英飛凌全新推出了碳化硅MOSFET：650V CoolSiC MOSFET產品系列，幫助儲能系統輕松實現更高效、更高功率密度以及雙向充/放電的設計。
2020-08-21 14:01:251416 
機電元件集成來減小系統體積 我還將演示如何與TI合作，使用先進的技術能力和產品來實現這四個方面，幫助您改進并達到功率密度值。 首先，讓我們來定義功率密度，并著重了解一些根據功率密度值比較解決方案時的細節。 什么是功率密
2020-10-20 15:01:151460 使用此SMD封裝從而提高應用性能的多種方法：被動冷卻解決方案、增大功率密度、延長使用壽命等等。請聯系您當地的英飛凌代表，詳細了解無風扇伺服驅動的實現、機器人和自動化行業的逆變器-電機一體化，以及低功率緊湊型充電器解決方案。 CoolSiC溝槽MOSFET技術經過優化，將性能與
2020-11-03 14:09:493799 英飛凌采用全新 D2PAK-7L 封裝的 1200V CoolSiC? MOSFET，導通電阻從 30m?到 350m?，可助力不同功率的工業電源、充電器及伺服驅動器（不同的電流額定值）實現最高
2021-03-01 12:16:023163 從物聯網 （IoT） 的數據服務器到電動汽車 （EV），電源系統設計人員總會面臨的共同壓力是如何實現更高的功率密度和轉換效率。盡管人們將更多精力放在實現這些改進目標的半導體開關器件上，但多層陶瓷
2020-12-17 21:26:0036 10A DC/DC 微型模塊在一個緊湊封裝內提供了新的功率密度級
2021-03-19 08:07:577 與業內人士交流互動產品和應用技術。 借英飛凌碳化硅20周年之際，9月10日，我們在展會會場，隆重舉辦第三屆碳化硅應用技術發展論壇，敬請蒞臨。 英飛凌科技股份公司(FSE:IFX/OTCQX:IFNNY)將EasyDUAL CoolSiC MOSFET模塊升級為新型氮化鋁(AIN) 陶瓷。該器件采用半橋配置
2021-08-24 09:31:503563 的散熱
通過機電元件集成來減小系統體積
我還將演示如何與TI合作，使用先進的技術能力和產品來實現這四個方面，幫助您改進并達到功率密度值。
首先，讓我們來定義功率密度，并著重了解一些根據
2022-01-14 17:10:262447 在QR反激式轉換器中采用GaN HEMT和平面變壓器，有助于提高開關頻率和功率密度。然而，為了在超薄充電器和適配器設計中實現更高功率密度，軟開關和變壓器漏感能量回收變得不可或缺。
2022-03-31 09:26:453361 
CoolSiC? MOSFET集高性能、堅固性和易用性于一身。由于開關損耗低，它們的效率很高，因此可以實現高功率密度。
2022-06-22 10:22:225141 
V 阻斷電壓的六組全橋模塊，針對電動汽車 (EV) 中的牽引逆變器進行了優化。該功率模塊建立在英飛凌的 CoolSiC 溝槽 MOSFET 技術之上，能夠在高性能應用中實現高功率密度，并保持高可靠性
2022-08-04 17:09:472100 
電力電子領域的各種應用。MOSFET 的基本特性之一是其能夠承受甚至非常高的工作電流、卓越的性能、穩健性和可靠性。該LFPAK88 MOSFET 提供出色的性能和高可靠性。LFPAK88 封裝設計用于比 D2PAK 等舊金屬電纜封裝小尺寸和更高的功率密度，適用于當今空間受限的高功率汽車應用。
2022-08-09 08:02:114328 
功率密度基礎技術簡介
2022-10-31 08:23:243 一般電驅動系統以質量功率密度指標評價，電機本體以有效比功率指標評價，逆變器以體積功率密度指標評價；一般乘用車動力系統以功率密度指標評價，而商用車動力系統以扭矩密度指標評價。
2022-10-31 10:11:216549 和信號完整性以提高系統級保護和精度。 在這些趨勢之外，功率密度越來越高也是一個不爭的行業趨勢，如果能在更小的空間內實現更大的功率，就能以更低的系統成本增強系統級性能。隨著功率需求的增加，電路板面積和厚度日益成為限制因
2022-11-29 07:15:101577 電子發燒友網報道（文/李寧遠）電源模塊功率密度越來越高是行業趨勢，每一次技術的進步都可以讓電源模塊尺寸減小或者讓功率輸出能力提高。隨著技術的不斷發展，電源模塊的尺寸會越來越小。功率密度不斷提高的好處
2022-12-26 07:15:022248 基于WAYON維安MOSFET高功率密度應用于USB PD電源
2023-01-06 12:51:351525 
功率半導體注定要承受大的損耗功率、高溫和溫度變化。提高器件和系統的功率密度是功率半導體重要的設計目標。
2023-02-06 14:24:203471 
在功率器件領域，除了圍繞傳統硅器件本身做文章外，材料的創新有時也會帶來巨大的性能提升。比如，在談論功率密度時，GaN（氮化鎵）憑借零反向復原、低輸出電荷和高電壓轉換率等突出優勢，能夠幫助廠商大幅提升系統密度，而另一種主流的寬帶隙半導體材料SiC（碳化硅）也是提升功率密度的上佳選擇。
2023-05-18 10:56:272254 
為了實現全球氣候目標，交通運輸必須轉用更加環保的車輛，比如節能的電氣化列車。然而，列車運行有苛刻的運行條件，需要頻繁加速和制動，且要在相當長的使用壽命內可靠運行。因此，它們需要采用具備高功率密度
2023-06-22 10:14:43865 
增強型1代1200V CoolSiC? MOSFET的EasyDUAL? 1B半橋模塊，采用PressFIT壓接式安裝技術和溫度檢測NTC，并有使用預涂的熱界面材料（TIM）版本。
2023-07-28 14:22:44707 隨著汽車行業逐步縱深電氣化，我們已經創造出了顯著減少碳排放的可能性。然而，由此而來的是，增加的電子設備使得汽車對電力運作的需求日益攀升，這無疑對電源網絡提出了更高的功率密度和效率的要求。在其中，MOSFET以其在電源管理設計中的關鍵切換功能，成為了提升功率密度不可或缺的元素。
2023-11-20 14:10:061580 
提高4.5kV IGBT模塊的功率密度
2023-11-23 15:53:382051 
功率半導體冷知識：功率器件的功率密度
2023-12-05 17:06:451652 
英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）近日宣布其CoolSiC1200V和2000VMOSFET模塊系列新添全新工業標準封裝產品。其采用新推出的增強型M1H碳化硅
2023-12-02 08:14:011647 在電力電子系統的設計和優化中，功率密度是一個不容忽視的指標。它直接關系到設備的體積、效率以及成本。以下提供四種提高電力電子設備功率密度的有效途徑。
2023-12-21 16:38:072526 
另外，CoolSiC MOSFET產品組合還成功實現了SiC MOSFET市場中的最低導通電阻值（Rdson），這大大提高了能效、功率密度，以及在電力系統中的可靠性，降低了零件使用數量。
2024-03-10 12:32:411773 隨著人工智能（AI）技術的飛速發展，全球數據生成量呈現出爆炸式增長，進而推動了芯片對能源需求的急劇上升。在這一背景下，英飛凌科技近日宣布推出TDM2254xD系列雙相功率模塊，旨在為AI數據中心提供卓越的功率密度、質量和總體成本（TCO）優化方案。
2024-03-12 09:58:241526 德州儀器（TI）近日推出兩款創新的功率轉換器件產品系列，旨在幫助工程師在更緊湊的空間內實現更高的功率輸出，從而以更低的成本提供卓越的功率密度。這一突破性的技術進展，無疑將推動汽車和工業系統等領域的技術革新和性能提升。
2024-03-15 09:55:131303 英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）推出采用TO-247PLUS-4-HCC封裝的全新CoolSiCMOSFET2000V。這款產品不僅能夠滿足設計人員對更高功率密度
2024-03-20 08:13:051068 英飛凌科技股份公司，作為全球領先的半導體公司，近日推出了全新的CoolSiC? 2000V SiC MOSFET系列，這一創新產品采用TO-247PLUS-4-HCC封裝，為設計人員提供了滿足更高功率密度需求的解決方案。
2024-03-20 10:27:291466 英飛凌科技近日推出了其最新的OptiMOS? 7 80 V系列首款產品——IAUCN08S7N013。這款MOSFET技術不僅顯著提升了功率密度，還采用了通用且堅固的SSO8 5x6mm2 SMD封裝。
2024-05-07 15:08:071440 在日新月異的電力電子行業，對更高效、更強大、更緊湊元器件的需求持續存在。對于新一代硅基MOSFET，英飛凌進行了巨大的研發投入，以重新定義系統集成標準，使其在廣泛的電力電子應用中能夠實現更高功率密度和效率。
2024-08-02 16:47:57817 
基于最新的TRENCHSTOPIGBT71200V和快速二極管EmCon7技術。由于采用了最新的微溝槽設計，該產品具有卓越的控制能力和性能。這大大降低了損耗，提高了效率和功率密度。該產品組合包
2024-08-14 08:14:45958 在技術進步和低碳化日益受到重視的推動下，電子行業正在向結構更緊湊、功能更強大的系統轉變。英飛凌科技股份公司推出的Thin-TOLL 8x8和TOLT封裝正在積極支持并加速這一趨勢。這些產品能夠更大
2024-09-07 10:02:072095 Wolfspeed碳化硅助力實現高性能功率系統
2024-10-24 10:51:362 和優越性能。 創新型銅夾片設計能夠承載高電流、寄生電感更低且熱性能出色，因此這些器件非常適合電機控制、電源、可再生能源系統和其他耗電應用。該系列還包括專為AI服務器熱插拔功能設計的特定應用MOSFET (ASFET)。采用CCPAK封裝的MOSFET提供頂部和底部散熱選項，可實現高功率密度
2024-12-12 11:35:134678 和高性能計算方面發揮關鍵作用。全新OptiMOS TDM2454xx四相功率模塊通過提升系統性能并結合英飛凌一貫的穩健性，為AI數據中心運營商實現業界領先的功率密度，降低總體擁有成本（TCO
2025-03-19 16:53:22737 
各行業對高功率密度和能效解決方案日益增長的需求。新推出的SiCMOSFET模塊采用強大的平面技術制造，具備耐用的柵氧化物結構，并集成了可靠的體二極管，從而顯著提升
2025-04-17 11:23:54723 
新品采用高性能DCB的EasyB系列CoolSiC2kVSiCMOSFET模塊英飛凌EasyDUAL和EasyPACK2B2kV、6mΩ半橋和三電平模塊采用CoolSiCSiCMOSFET增強型1代
2025-06-03 17:34:31906 的CoolSiCMOSFET1200VG2。這款新型半導體器件能夠提供更加出色的熱性能、系統效率和功率密度，專為應對工業應用的高性能和高可靠性要求而設計，例如電動汽車充電
2025-08-01 17:05:091507 加大的爬電距離和電氣間隙，使用.XT焊接芯片技術。芯片同時用于62mm封裝的半橋模塊和EasyPACK3B封裝的升壓模塊。這些產品的性能提高了系統功率密度，可靠性和效
2025-08-29 17:10:021599 。新的CoolSiC? MOSFET具有更優的熱性能、系統效率和功率密度。其專為滿足高功率與計算密集型應用需求而設計，涵蓋了AI服務器電源、光伏逆變器、不
2025-10-31 11:00:59297
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