大聯大控股宣布，其旗下品佳代理的英飛凌（Infineon）推出革命性的1200V SiC MOSFET，使產品設計可以在功率密度和性能上達到前所未有的水平。它們將有助于電源轉換方案的開發人員節省空間、減輕重量、降低散熱要求，并提高可靠性和降低系統成本。
2018-04-10 14:04:34
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在本文中，我們將討論一些設計技術，以在不影響性能的情況下實現更高的功率密度。
2021-09-13 11:29:541594 
。在碳化硅材料中，垂直界面的缺陷密度明顯低于橫向界面。這就為性能和魯棒性特征與可靠性的匹配提供了新的優化潛力。 安富利合作伙伴英飛凌推出的CoolSiC MOSFET G2溝槽技術繼承了G1的高可靠性。 基于所有已售出的CoolSiC MOSFET G1、分立器件和工
2024-05-16 09:54:311373 
的CoolSiCMOSFET650V和1200VGen2技術在確保質量和可靠性的前提下，進一步提升了MOSFET的主要性能指標，擁有更高的效率和功率密度。Gen2SiC性價比
2025-08-19 14:45:005067 
鐵路牽引變流器作為軌道交通車輛動力系統的核心部件，正朝著高可靠性、高功率密度和高效率方向發展。目前IGBT仍是鐵路牽引領域的主流功率半導體器件，但是SiC MOSFET模塊的應用正在加速。本文重點介紹三菱電機SiC MOSFET模塊的高功率密度和低損耗設計。
2025-09-23 09:26:332066 
CIPOS Maxi IPM集成了改進的6通道1200 V絕緣體上硅（SOI）柵極驅動器和六個CoolSiC? MOSFET，以提高系統可靠性，優化PCB尺寸和系統成本。
2020-12-11 17:01:081369 電子發燒友網報道（文/李寧遠）在現今的電源設計中，更低的靜態電流能夠在不影響系統性能的同時延長電池壽命，更低的EMI通過減少輻射發射降低了系統滿足EMI標準的成本，更低的噪聲和更高的精度增強了功率
2022-11-29 01:04:002449 。英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日推出先進的全新OptiMOS?功率MOSFET，進一步擴大其采用PQFN 2x2 mm2封裝的功率MOSFET的產品陣容，此舉旨在提供功率半導體行業標桿解決方案，在更小的封裝尺寸內實現更高的效率和更加優異的性能。新產品廣
2023-09-06 14:18:432171 
【 2023 年 11 月 29 日 ， 德國慕尼黑訊】 英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日宣布其CoolSiC 1200 V和2000 V MOSFET
2023-12-05 17:03:491311 
了全面的提升。 ? 性能全方面提升 ? 英飛凌在2017年正式推出了第一代溝槽柵SiC MOSFET，即CoolSiC MOSFET G1。在CoolSiC MOSFET G1中，英飛凌采用溝槽柵
2024-03-19 18:13:184422 
? MOSFET 750 V G2。這款新型CoolSiC? MOSFET 750 V G2專為提升汽車及工業功率轉換應用的系統效率和功率密度而設計。它提供一系列精細化的產品組合，在25°C時R?DS(on)?值
2025-07-02 15:00:301604 
7引腳封裝的1200 V CoolSiC? MOSFET （一種表面貼裝器件）。它將三個應用整合在一起，在一個尺寸僅為425 x 865 x 160 mm3的緊湊封裝中實現了三個一系統的設計，具有重要
2022-08-09 15:17:41
40 A 650V IGBT，它與IGBT相同額定電流的二極管組合封裝到表面貼裝TO-263-3（亦稱D2PAK）封裝中。全新D2PAK封裝TRENCHSTOP 5 IGBT可滿足電源設備對功率密度
2018-10-23 16:21:49
通過對同步交流對交流(DC-DC)轉換器的功耗機制進行詳細分析，可以界定必須要改進的關鍵金屬氧化物半導體場效晶體管(MOSFET)參數，進而確保持續提升系統效率和功率密度。分析顯示，在研發功率
2019-07-04 06:22:42
是優化效率。通過控制轉子電流的幅度和相角，使得提供一個真正的無功功率組件成為可能。通常情況下，通過磁場矢量控制可做到這一點。為此，轉子電流按照笛卡兒坐標系統進行轉換，隨后再轉換成復雜數值范圍。該復雜
2018-12-04 09:57:08
可靠性是我們在開展電子產品設計過程中常常繞不開的問題。例如，客戶需要我們提供相關的可靠性預計報告，客戶需要我們的產品提供相應的可靠性試驗報告，或者企業內部需要控制產品質量，制定了一系列的可靠性工作
2017-12-08 10:47:19
（low-k）材料在應力下的擊穿風險。
晶圓級可靠性測試系統Sagi. Single site system
WLR的測量儀器主要是搭配的B1500A參數分析儀,WLR測試包括熱載流子注入
2025-05-07 20:34:21
區域。氮化鋁的導熱系數幾乎是氧化鋁的五倍，用于熱跳線芯片，以保持緊湊電子組件冷卻，從而提高產品的可靠性。“對需要板級熱管理的緊湊型大功率組件的需求正在不斷增長，”TT Electronics應用與營銷
2019-05-05 10:27:10
，從而在不改變封裝體積的情況下提高輸出功率。另一個普遍的希望是，能夠最終避免采用插件封裝的器件（比如TO220、TO247）。阻斷電壓為40V和60V的最新一代英飛凌MOSFET，如今可滿足設計工
2018-12-06 09:46:29
所需的組件，降低系統成本，提高可靠性。 英飛凌新型功率晶體管PTVA127002EV非常適用于空中交通管制應用和氣象觀察應用的L波段雷達系統。雷達系統在特定頻率范圍內發射高能電子脈沖，然后檢測脈沖
2018-11-29 11:38:26
，此時由于二極管反向恢復所產生的峰值電壓要遠遠小于其他型號MOSFET. 因此CoolMOS CFD2在LLC拓撲電源系統發生啟機，動態負載，過載，短路等異常情況下表現出更高的可靠性。圖8圖9同時我們在圖
2018-12-05 09:56:02
。所有這些應用都需要具備更高功率密度的先進半導體系統。此類功率模塊的決定性要素是出色的可靠性、堅固性和長使用壽命。 圖1 英飛凌1200V功率模塊振動條件下的堅固性和可靠性不僅是牽引應用關注的焦點，同時也
2018-12-03 13:49:12
` 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:02 編輯
因能源效率標準和最終系統要求的推動，在不影響功率密度的高能的情況下，能縮減應用電源的外形尺寸且有效解決方案是當下電源設計人
2012-04-28 10:21:32
如果基于GaN的HEMT可靠性的標準化測試方法迫在眉睫，那么制造商在幫助同時提供高質量GaN器件方面正在做什么？ GaN高電子遷移率晶體管（HEMT）由于其極高的耐高溫性和高功率密度而在半導體行業中
2020-09-23 10:46:20
功率密度 12V VIN 至 24V/7A 倍壓器如圖 2 所示，該解決方案的大致尺寸為 23mm x 16.5mm x 5mm，而功率密度高達 1500W/in3。圖 2：估計的解決方案尺寸高效率由于在
2018-10-31 11:26:48
覆蓋-40℃至+85℃（部分型號達-40℃至+93℃），適應復雜電磁環境和惡劣工況，確保高功率密度下的穩定性。二、功率密度提升的實際價值空間受限場景的適配性：
在工業機器人關節驅動器、六軸機器人等空間
2025-10-22 09:09:58
的設計而言，它大幅降低了MOSFET導通電阻，并保持了出色的開關性能。 英飛凌推出的OptiMOS 3系列進一步改進了設計，使更高電壓等級的器件能夠受益于這種技術。在150 V 至250 V的電壓
2018-12-07 10:21:41
SiC MOS器件的柵極氧化物可靠性的挑戰是，在某些工業應用給定的工作條件下，保證最大故障率低于1 FIT，這與今天的IGBT故障率相當。除了性能之外，可靠性和堅固性是SiC MOSFET討論最多
2022-07-12 16:18:49
些情況下，也觀察到最小偏差，證實了SiC MOSFET在這些條件下的性能和可靠性。柵極氧化物是碳化硅MOSFET的關鍵元素，因此其可靠性非常重要。柵極氧化物可靠性的評估分為兩部分。第一部分基于TDDB（時間
2019-07-30 15:15:17
問題。（※在SBD和MOSFET的第一象限工作中不會發生這類問題）ROHM通過開發不會擴大堆垛層錯的獨特工藝，成功地確保了體二極管通電的可靠性。在1200V 80Ω的第二代SiC MOSFET產品中，實施了
2018-11-30 11:30:41
什么是功率密度？功率密度的發展史如何實現高功率密度？
2021-03-11 06:51:37
什么是功率密度？限制功率密度的因素有哪些？
2021-03-11 08:12:17
擴展了其650伏(V) SiC二極管系列，提供更高的能效、更高的功率密度和更低的系統成本。工程師在設計用于太陽能光伏逆變器、電動車/混和動力電動車（EV / HEV）充電器、電信電源和數據中心電源等
2018-10-29 08:51:19
相較于硅，碳化硅（SiC）肖特基二極管采用全新的技術，提供更出色的開關性能和更高的可靠性。SiC無反向恢復電流，且具有不受溫度影響的開關特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導體。
2020-07-30 07:14:58
泛的現代電子系統。現代電子系統的可靠性表現為，在規定條件下，系統準確無誤運行的能力．突出了可靠性的軟件和運行中的失誤概率。可靠性設計則是在產品開發過程中，保證運行可靠的全部設計手段，甚至包括了產品
2021-01-11 09:34:49
可靠性設計是單片機應甩系統設計必不可少的設計內容。本文從現代電子系統的可靠性出發，詳細論述了單片機應用系統的可靠性特點。提出了芯片選擇、電源設計、PCB制作、噪聲失敏控制、程序失控回復等集合硬件系統
2021-02-05 07:57:48
相較于硅，碳化硅（SiC）肖特基二極管采用全新的技術，提供更出色的開關性能和更高的可靠性。SiC無反向恢復電流，且具有不受溫度影響的開關特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導體。
2019-07-25 07:51:59
，但經過多年的研究、實際驗證和 可靠性測試，GaN定會成為解決功率密度問題的最佳技術。德州儀器已經在高于硅材料的工作溫度和電壓下，對GaN裝置進行了2000萬小時的加速可靠性測試。在此測試時間內，遠程
2019-03-01 09:52:45
設計帶來更低的溫升更高的可靠性。 那么，在設計過程中如何才能提高電源模塊產品的功率密度呢?工程師可以從下面三個方向入手：第一，工程師可以在線路設計過程中采用先進的電路拓樸和轉換技術，實現大功率低損耗
2016-01-25 11:29:20
什么是微波功率晶體管？如何提高微波功率晶體管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
）5mm×6mm FET這類更新的方形扁平無引線（QFN）封裝在硅片和源極管腳之間能提供更小的封裝電阻。單位面積的電阻較小意味著單位面積的傳導損耗較少，也意味著更高的電流能力和更高的功率密度。因此
2017-08-21 14:21:03
。因此，硬件可靠性設計在保證元器件可靠性的基礎上，既要考慮單一控制單元的可靠性設計，更要考慮整個控制系統的可靠性設計。
2021-01-25 07:13:16
從“磚頭”手機到笨重的電視機，電源模塊曾經在電子電器產品中占據相當大的空間，而且市場對更高功率密度的需求仍是有增無減。硅電源技術領域的創新曾一度大幅縮減這些應用的尺寸，但卻很難更進一步。在現有尺寸
2019-08-06 07:20:51
面向電動汽車的全新碳化硅功率模塊 碳化硅在電動汽車應用中代表著更高的效率、更高的功率密度和更優的性能，特別是在800 V 電池系統和大電池容量中，它可提高逆變器的效率，從而延長續航里程或降低電池成本
2021-03-27 19:40:16
阻并提高可靠性。東芝實驗證實，與現有SiC MOSFET相比，這種設計結構在不影響可靠性的情況下[1]，可將導通電阻[2]（RonA）降低約20%。功率器件是管理各種電子設備電能，降低功耗以及實現碳中和
2023-04-11 15:29:18
的計算能力、感應能力和功能集提出了更高要求。 然而，分配于執行上述任務的空間并未增加，并且在很多情況下還要求減少占用的空間。這種形勢不斷提高了市場對密度更大和集成度更高的解決方案的需求，供電系統也不
2018-12-03 10:00:34
的情況下無縫更換這些模塊。非穩壓可變 5-8V 電壓也可由 5-8V 穩壓代替，不會對整個系統造成任何干擾，從而可以保持互操作性。第二級第二級完全取決于所分配的電源。在1毫安負載情況下，第二級就像
2021-05-26 19:13:52
開發人員來說，功率密度是一個始終存在的挑戰，對各種電壓下更高電流的需求（通常遠低于系統總線）帶來了對更小的降壓穩壓器的需求，這樣的穩壓器可通過一個單極里的多個放大器，將電壓從高達48 V降至1 V，使其
2020-10-28 09:10:17
如果您想根據功率密度比較電源，則需要對這個簡單的定義作出充分的說明。這里的輸出功率是指轉換器在最壞的環境條件下可以提供的連續輸出功率。環境溫度、最大可接受外殼溫度、方向、海拔高度和預期壽命都可能會影響相關功率能力…
2022-11-07 06:45:10
對于現代的數據與電信電源系統，更高的系統效率和功率密度已成為核心焦點，因為小型高效的電源系統意味著節省空間和電費賬單。
2011-07-14 09:15:133531 在紐倫堡 PCIM Europe 2013 展會中（2013 年 5 月 14 日至 16 日），英飛凌科技股份有限公司 （FSE:IFX / OTCQX:IFNNY） 推出完全符合汽車標準的全新 EconoDUAL? 3 IGBT 模塊。
2013-07-09 15:49:212454 2016年5月10日，德國慕尼黑訊——英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）推出革命性的碳化硅（SiC）MOSFET技術，使產品設計可以在功率密度和性能上達到前所未有的水平。英飛凌的CoolSiC? MOSFET具備更大靈活性，可提高效率和頻率。
2016-05-10 18:14:091448 大聯大旗下品佳代理的英飛凌（Infineon）推出革命性的1200V SiC MOSFET，使產品設計可以在功率密度和性能上達到前所未有的水平。它們將有助于電源轉換方案的開發人員節省空間、減輕重量、降低散熱要求，并提高可靠性和降低系統成本。
2018-04-23 16:18:004336 
英飛凌宣布推出650V SiC MOSFET，標志著公司進一步增強了在低壓SiC領域的布局，650V CoolSiC MOSFET系列。
2020-05-09 15:07:505544 什么樣的MOSFET才適合儲能系統？英飛凌全新推出了碳化硅MOSFET：650V CoolSiC MOSFET產品系列，幫助儲能系統輕松實現更高效、更高功率密度以及雙向充/放電的設計。
2020-08-21 14:01:251416 
功率密度在現代電力輸送解決方案中的重要性和價值不容忽視。 為了更好地理解高功率密度設計的基本技術，在本文中，我將研究高功率密度解決方案的四個重要方面： 降低損耗 最優拓撲和控制選擇 有效的散熱 通過
2020-10-20 15:01:151460 英飛凌推出采用全新D2PAK-7L封裝的1200V CoolSiC MOSFET，導通電阻從30m?到350m?，可助力不同功率的工業電源、充電器及伺服驅動器（不同的電流額定值）實現最高效率。 了解
2020-11-03 14:09:493799 效率。 了解使用此 SMD 封裝從而提高應用性能的多種方法：被動冷卻解決方案、增大功率密度、延長使用壽命等等。 CoolSiC?溝槽 MOSFET 技術經過優化，將性能與可靠性相結合，并具有 3μs 的短路時間。由于采用 .XT 連接技術，其小巧封裝外形的散熱性能得到顯著改善。相比標準封裝的連接技術，
2021-03-01 12:16:023163 LTM4600-10A DC/DC uModule在緊湊的封裝中提供更高的功率密度
2021-05-10 12:28:17
5 英飛凌科技股份公司將EasyDUAL? CoolSiC? MOSFET模塊升級為新型氮化鋁（AIN） 陶瓷。
2021-08-06 15:25:301618 CoolSiC? MOSFET集高性能、堅固性和易用性于一身。由于開關損耗低，它們的效率很高，因此可以實現高功率密度。
2022-06-22 10:22:225141 
V 阻斷電壓的六組全橋模塊，針對電動汽車 (EV) 中的牽引逆變器進行了優化。該功率模塊建立在英飛凌的 CoolSiC 溝槽 MOSFET 技術之上，能夠在高性能應用中實現高功率密度，并保持高可靠性
2022-08-04 17:09:472100 
更高的開關速度和更低的傳導損耗來減小電路磁性元件和其他無源元件的尺寸和成本，從而在不影響效率和成本的情況下實現顯著的功率密度改進。
2022-08-04 09:01:58998 
電力電子領域的各種應用。MOSFET 的基本特性之一是其能夠承受甚至非常高的工作電流、卓越的性能、穩健性和可靠性。該LFPAK88 MOSFET 提供出色的性能和高可靠性。LFPAK88 封裝設計用于比 D2PAK 等舊金屬電纜封裝小尺寸和更高的功率密度，適用于當今空間受限的高功率汽車應用。
2022-08-09 08:02:114328 
幾十年來，能夠為長壽命的一次性軍事應用提供高速率功率的電池幾乎沒有變化。現在，新一代大功率鋰電池已經上市，提供獨特的性能，功能，包括更高的容量和能量密度，可靠性，瞬時激活和COTS優勢。
2022-10-27 14:18:293846 電子發燒友網報道（文/李寧遠）在現今的電源設計中，更低的靜態電流能夠在不影響系統性能的同時延長電池壽命，更低的EMI通過減少輻射發射降低了系統滿足EMI標準的成本，更低的噪聲和更高的精度增強了功率
2022-11-29 07:15:101577 隨著汽車行業逐步縱深電氣化，我們已經創造出了顯著減少碳排放的可能性。然而，由此而來的是，增加的電子設備使得汽車對電力運作的需求日益攀升，這無疑對電源網絡提出了更高的功率密度和效率的要求。在其中，MOSFET以其在電源管理設計中的關鍵切換功能，成為了提升功率密度不可或缺的元素。
2023-11-20 14:10:061580 
碳化硅MOSFET在材料與器件特性上不同于傳統硅，如何保證性能和可靠性的平衡是所有廠家需要面對的首要問題，英飛凌作為業界為數不多的采用溝槽柵做SiCMOSFET的企業，如何使用創新的非對稱溝槽柵既
2023-11-28 08:13:571746 
英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）近日宣布其CoolSiC1200V和2000VMOSFET模塊系列新添全新工業標準封裝產品。其采用新推出的增強型M1H碳化硅
2023-12-02 08:14:011647 英飛凌推出業內首款采用全新 OptiMOS 7 技術的 15 V 溝槽功率 MOSFET。這項技術經過系統和應用優化，主要應用于服務器和計算應用中的低輸出電壓 DC-DC 轉換。英飛凌是首家推出15
2023-12-29 12:30:491820 
英飛凌科技股份公司近日發布了全新的CoolSiC? 2000V SiC MOSFET系列。這款產品采用了先進的TO-247PLUS-4-HCC封裝，規格為12-100mΩ，旨在滿足高壓應用的需求。
2024-02-01 10:51:001646 另外，CoolSiC MOSFET產品組合還成功實現了SiC MOSFET市場中的最低導通電阻值（Rdson），這大大提高了能效、功率密度，以及在電力系統中的可靠性，降低了零件使用數量。
2024-03-10 12:32:411774 英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術，開啟功率系統和能量轉換的新篇章。與上一代產品相比，英飛凌全新
2024-03-12 08:13:021124 英飛凌最近發布了全新的750VG1分立式CoolSiC?MOSFET，滿足工業和汽車領域對更高能效和功率密度的不斷增長需求。這款產品系列包含了專為圖騰柱PFC、T型、LLC/CLLC、雙有源橋
2024-03-15 16:31:451256 
英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）推出采用TO-247PLUS-4-HCC封裝的全新CoolSiCMOSFET2000V。這款產品不僅能夠滿足設計人員對更高功率密度
2024-03-20 08:13:051068 英飛凌科技股份公司，作為全球領先的半導體公司，近日推出了全新的CoolSiC? 2000V SiC MOSFET系列，這一創新產品采用TO-247PLUS-4-HCC封裝，為設計人員提供了滿足更高功率密度需求的解決方案。
2024-03-20 10:27:291466 英飛凌科技股份公司推出的新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術，無疑為功率系統和能量轉換領域帶來了革命性的進步。與上一代產品相比，全新的CoolSiC? MOSFET 650V和1200V
2024-03-20 10:32:361715 CoolSiC 2000V SiC MOSFET系列采用TO-247PLUS-4-HCC封裝，規格為12-100mΩ。由于采用了.XT互聯技術，CoolSiC技術的輸出電流能力強，可靠性提高。
2024-03-22 14:08:351310 英飛凌科技近日推出750V G1分立式CoolSiC? MOSFET，以滿足工業和汽車功率應用對更高能效和功率密度日益增長的需求。該產品系列包含工業級和車規級SiC? MOSFET，針對圖騰柱
2024-04-19 14:45:26788 
英飛凌科技推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術，開啟功率系統和能量轉換的新篇章。與上一代產品相比，英飛凌全新的 CoolSiC? MOSFET 650 V 和 1200 V
2024-04-20 10:41:201986 
英飛凌科技近日推出了其最新的OptiMOS? 7 80 V系列首款產品——IAUCN08S7N013。這款MOSFET技術不僅顯著提升了功率密度，還采用了通用且堅固的SSO8 5x6mm2 SMD封裝。
2024-05-07 15:08:071440 擴展至400V領域，并推出了全新的CoolSiC?400VMOSFET系列。這一創新產品不僅滿足了AI服務器電源(PSU)日益增長的功率需求，同時保持了服務器機架規
2024-05-29 11:36:221603 
電子發燒友網站提供《在不影響性能或占用空間的情況下隔離您的CAN系統.pdf》資料免費下載
2024-08-29 10:49:290 英飛凌再次引領行業潮流，最新推出的600V CoolMOS? 8 SJ MOSFET系列，以其卓越的技術創新和卓越性價比，在全球范圍內樹立了高壓超級結MOSFET技術的新標桿。作為英飛凌新一代硅基
2024-09-03 14:50:451266 半導體器件 650 V產品組合。 這兩個產品系列基于CoolSiC 第2代（G2）技術，在性能、可靠性和易用
2024-09-07 10:02:072096 市場對于30V解決方案需求的持續增長。這款經過精心設計的功率MOSFET，憑借高可靠性和易用性，專為滿足廣泛的大眾市場應用需求而生，提供了極大的設計靈活性。其適用場景涵蓋了工業開關模式電源（SMPS）、電機驅動器、電池供電設備、電池管理系統以及不間斷電源（UPS）等多個領域。
2024-09-30 16:15:581767 如今，許多工業應用可以通過提高直流母線電壓，在力求功率損耗最低的同時，向更高的功率水平過渡。為滿足這一需求，全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX
2024-10-25 08:04:451458 在當今快速發展的工業應用中，追求更低功率損耗與更高功率水平已成為行業共識。為了滿足這一迫切需求，全球功率系統和物聯網領域的領軍企業英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）近日推出了革命性的CoolSiC?肖特基二極管2000V G5。
2024-10-29 11:34:311073 公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）正在擴展其CoolSiC MOSFET 650 V單管產品組合，推出了采用Q-DPAK和TOLL封裝的兩個全新產品系列。 CoolSiC MOSFET
2025-02-21 16:38:52758 
日前，瞻芯電子正式推出3B封裝的2000V 碳化硅(SiC) 4相升壓功率模塊產品(IV3B20023BA2)，為光伏等領域提供了高電壓、高功率密度的解決方案。該產品已通過工業級可靠性測試，并在光伏客戶導入驗證。
2025-03-01 09:27:101307 
的CoolSiCMOSFET650V和1200VGen2技術在確保質量和可靠性的前提下，進一步提升了MOSFET的主要性能指標，擁有更高的效率和功率密度。Gen2SiC性價比提高了15%，是各種
2025-06-09 17:45:191087 的CoolSiCMOSFET1200VG2。這款新型半導體器件能夠提供更加出色的熱性能、系統效率和功率密度，專為應對工業應用的高性能和高可靠性要求而設計，例如電動汽車充電
2025-08-01 17:05:091507 加大的爬電距離和電氣間隙，使用.XT焊接芯片技術。芯片同時用于62mm封裝的半橋模塊和EasyPACK3B封裝的升壓模塊。這些產品的性能提高了系統功率密度，可靠性和效
2025-08-29 17:10:021599 。新的CoolSiC? MOSFET具有更優的熱性能、系統效率和功率密度。其專為滿足高功率與計算密集型應用需求而設計，涵蓋了AI服務器電源、光伏逆變器、不
2025-10-31 11:00:59297 EVAL-COOLSIC-2kVHCC評估板：2000V CoolSiC? MOSFET的理想測試平臺 在電力電子領域，工程師們一直在尋找性能更優、可靠性更高的功率器件及測試方案。今天，我們就來深入
2025-12-19 17:00:15447 探索英飛凌最新120V溝槽功率MOSFET技術：從原理到應用 在電子工程領域，功率MOSFET技術的不斷創新推動著各類電力電子設備向更高效率、更高功率密度和更高系統可靠性邁進。英飛凌作為行業的領軍者
2025-12-20 10:35:06518
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