美國SemiSouth Laboratories公司發布了耐壓為650V和耐壓為1700V的SiC制JFET產品，均為常開型功率元件。耐壓為650V的產品名稱為“SJDA065R055”，導通電阻為55mΩ，漏電流在室溫時（25℃）為30A，在
2012-05-21 10:31:01
2900 探討專為低電池電壓領域的高速開關應用而設計的先進 onsemi M3S 650 V SiC MOSFET 技術。通過各種特性測試和仿真，評估了 MOSFET 相對于同等競爭產品的性能。第一篇介紹SiC MOSFET的基礎知識、M3S 技術和產品組合。本文為第二篇，將介紹電氣特性、參數和品質因數、拓撲與仿真等。
2025-02-21 11:24:201803 
瞻芯電子(IVCT)基于經典壽命模型，對大樣本量的第二代(G2)650V SiC MOSFET 進行了魯棒性驗證試驗(Robustness-Validation)。該試驗嚴格遵循AEC-Q101
2025-12-18 16:35:545786 
Nexperia今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA，宣布其進入氮化鎵場效應管（GaN）市場。
2019-11-22 15:16:322459 隨著新產品的發布，英飛凌完善了其600V/650V細分領域的硅基、碳化硅以及氮化鎵功率半導體產品組合
2020-02-26 08:26:001692 英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管（TO247-3pin和TO-247-4pin）。用最新的650V/SiC/G6/SBD續流二極管，取代了傳統Si的Rapid1快速續流二極管，配合650V/TS5的IGBT芯片（S5/H5），進一步優化了系統效率、性能與成本之間的微妙平衡。
2021-08-31 10:38:422572 
BASiC基本半導體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET，替代30mR 超結MOSFET或者20-30mR的GaN!
BASiC基本半導體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET
2025-01-22 10:43:28
逆變器等中高功率領域，可顯著的減少電路的損耗，提高電路的工作頻率。 關斷波形圖（650V/10A產品） 650V/1200V碳化硅肖特基二極管選型
2020-09-24 16:22:14
0前言家用逆變焊機因其體較小，操作方便，市場接受度逐步提高。因市電220V輸入的特點，一般采用600V/650V規格的IGBT作為逆變主功率器件。IGBT (Insulated Gate
2014-08-13 09:25:59
有使用過SIC MOSFET 的大佬嗎 想請教一下驅動電路是如何搭建的。
2021-04-02 15:43:15
。如果是相同設計，則與芯片尺寸成反比，芯片越小柵極電阻越高。同等能力下，SiC-MOSFET的芯片尺寸比Si元器件的小，因此柵極電容小，但內部柵極電阻增大。例如，1200V 80mΩ產品（S2301為裸芯片
2018-11-30 11:34:24
使用一般IGBT和Si-MOSFET使用的驅動電壓VGS=10~15V不能發揮出SiC本來的低導通電阻的性能，所以為了得到充分的低導通電阻，推薦使用VGS=18V左右進行驅動。原作者：羅姆半導體集團
2023-02-07 16:40:49
設計，且高溫下的導通電阻也很低。※該數據是ROHM在相同條件下測試的結果，僅供參考。此處表示的特性本公司不做任何保證。4. 驅動門極電壓和導通電阻SiC-MOSFET的漂移層阻抗比Si-MOSFET低，但是
2019-04-09 04:58:00
柵極偏壓）試驗（+22V、150℃）中，在裝置中未發生故障和特性波動，順利通過1000小時測試。閾值穩定性（柵極正偏壓）SiC上形成的柵極氧化膜界面并非完全沒有陷阱，因此當柵極被長時間施加直流的正偏壓
2018-11-30 11:30:41
了熱管理，減小了印刷電路板的外形尺寸，有利于提高系統的穩定性。圖1 SiC MOSFET和Si MOSFET性能對比在使用SiC MOSFET進行系統設計時，工程師們通常要考慮如何以最優方式驅動（最大
2019-07-09 04:20:19
= 25 V，高溫柵極偏壓（HTGB）應力測試在175°C下在77個器件上執行，從三個不同的晶圓批次到2300小時。觀察到可忽略的偏差。 另一個被證明長期穩定的參數設置是MOSFET的阻斷電壓和關斷狀態
2023-02-27 13:48:12
可以通過在SiC功率器件上運行HTGB（高溫柵極偏壓）和HTRB（高溫反向偏壓）應力測試來評估性能。Littelfuse在溫度為175°C的1200V，80mΩSiCMOSFET上進行了壓力測試，具有
2019-07-30 15:15:17
在內的各種應用中的采用。當前的SiC-SBD產品結構分為耐壓為650V與1200V、額定電流為5A～40A的產品，具體因封裝而異。其概要如下表所示。另外，ROHM正在開發650V產品可支持達100A
2018-12-04 10:09:17
設計，且高溫下的導通電阻也很低。※該數據是ROHM在相同條件下測試的結果，僅供參考。此處表示的特性本公司不做任何保證。4. 驅動門極電壓和導通電阻SiC-MOSFET的漂移層阻抗比Si-MOSFET低，但是
2019-05-07 06:21:55
、SCT50N120 （Vbr=1200v（SCT*N120），Vbr=650v（SCT*N65G2/G2V））.高溫時功率損耗低.高溫工作性能（200C）.無恢復損耗的體二極管.驅動方便.低柵極充電（SCT*N65G2V）了解更多信息，請關注英特洲電子，QQ584140894
2017-07-27 17:50:07
SiC MOSFET“S4101”和650V SiC SBD“S6203”是以裸芯片的形式提供的，采用ROHM的這些產品將有助于應用的小型化并提高模塊的性能和可靠性。另外
2023-03-29 15:06:13
；TSD5N60MTruesemi 其它相關產品請 點擊此處 了解特性：3.0A，650V，最大RDS（on）= 3.0Ω@ VGS = 10V低柵極電荷（典型值為16nC）快速切換經過100％雪崩測試改進的dv/dt功能主要參數：應用：高效開關模式電源，基于半橋拓撲的有源功率因數校正`
2020-04-30 15:13:55
項目名稱：SiC MOSFET元器件性能研究試用計劃：申請理由本人在半導體失效分析領域有多年工作經驗，熟悉MOSET各種性能和應用，掌握各種MOSFET的應用和失效分析方法，熟悉MOSFET的主要
2020-04-24 18:09:12
項目名稱：SiC mosfet 測試試用計劃：申請理由：公司開發雙脈沖測試儀對接觸到Sic相關的資料。想通過此次試用進一步了解相關性能。試用計劃：1、測試電源輸入輸出性能。2、使用公司設備測試Sic器件相關參數。3、編寫測試報告。
2020-04-21 15:54:54
性能如何？650V-1200V電壓等級的SiC MOSFET商業產品已經從Gen 2發展到了Gen 3，隨著技術的發展，元胞寬度持續減小，比導通電阻持續降低，器件性能超越Si器件，浪涌電流、短路能力、柵
2022-03-29 10:58:06
CRD-60DD12N，60 kW交錯式升壓轉換器演示板基于1200 V，75mΩ（C3M）SiC MOSFET。該演示板由四個15 kW交錯升壓級組成，每個級使用CGD15SG00D2隔離式柵極驅動板
2019-04-29 09:18:26
電壓范圍為 250 至 450V。基于650V 60mohm SiC MOSFET C3M0060065D工程樣品構建了原型，驗證了設計的性能和熱完整性。該原型展示了 54 W/in3 的功率密度和充電
2023-02-27 09:44:36
：
VDS = 650V （類型：730V） IDM =14A
RDS(ON) < 650mΩ @ VGS=10V （類型：560mΩ）
應用：
不間斷電源
功率因數校正 (PFC)
深圳市芯
2025-07-15 16:22:02
特性：
VDS = 650V （類型：730V） IDM =14A
RDS(ON) < 650mΩ @ VGS=10V （類型：560mΩ）
應用：
不間斷電源
功率因數校正 (PFC
2025-07-09 13:35:13
650V耐壓的buck電路夠不夠用
2023-08-01 14:38:42
，使得電路能夠達到±3%以內的恒流精度，具有優異的線型調整率和負載調整率，并且通過RADJ引腳外接電阻可以方便地控制LED開路保護電壓。■SIC9654內部集成了650V功率MOSFET，采用雙繞組原邊
2022-02-17 15:42:55
用于AC/DC變換器應用的新型650V GaNFast半橋IC(氮化鎵)
2023-06-19 07:57:31
具有明顯的優勢。UnitedSiC的1200V和650V器件除了導通電阻低，還利用了低內感和熱阻的SiC性能。 1200V和650V第三代器件的導通電阻值比較 Anup Bhalla說，碳化硅的優點
2023-02-27 14:28:47
了一個基于650V 60mohm SiC MOSFET C3M0060065D的工程樣品??的原型，以驗證設計的性能和熱完整性。該原型展示了54 W / in3的功率密度以及在充電和放電模式下的峰值效率
2019-10-25 10:02:58
母線電路需設計極小寄生電感。因此，可選用具備軟開關特性的專用IGBT，例如全新的650V IGBT4。如圖2所示， 600V IGBT3（快速）和650V IGBT4（軟度）在開關性能方面差別明顯，采用
2018-12-07 10:16:11
摘要新一代CoolMOS? 650V CFD2技術為具備高性能體二極管的高壓功率MOSFET樹立了行業新桿標。該晶體管將650V的擊穿電壓、超低通態電阻、低容性損耗特性與改進反向恢復過程中的體二極管
2018-12-03 13:43:55
異的高溫和高頻性能。
案例簡介：SiC MOSFET 的動態測試可用于獲取器件的開關速度、開關損耗等關鍵動態參數，從而幫助工程師優化芯片設計和封裝。然而，由于 SiC MOSFET 具備極快的開關特性
2025-04-08 16:00:57
英飛凌科技股份公司近日推出全新的650V CoolMOS C6/E6高性能功率MOSFET系列。該產品系列將現代超級結（SJ）器件的優勢（如低導通電阻和低容性開關損耗）與輕松控制的開關行為、及
2010-07-05 08:48:262309 英飛凌目前正推出另一項重要的創新型高壓CoolMOS MOSFET。這種全新的650V CoolMOS CFD2是全球首款具備650V漏源電壓并集成快速體二極管的高壓晶體管。
2011-02-16 09:11:172280 意法半導體推出新款M系列650V IGBT，為電源設計人員提供一個更快捷經濟的能效解決方案,新款M系列650V IGBT，為電源設計人員提供一個更快捷經濟的能效解決方案，適用于暖通空調系統（HVAC
2016-11-02 17:19:432436 STM32-3.2寸TFT示波器60M采樣+萬用表+波形發生器sch
2016-12-14 21:27:39
29 ROHM第三代碳化硅MOSFET特點（相比第二代）ROHM第三代設計應用于650V和1200V產品之中，包括分立或模組封裝。本報告深入分析了650V和1200V第三代溝槽MOSFET，并利用光學顯微鏡和掃描電鏡研究復雜的碳化硅溝槽結構。
2018-08-20 17:26:2910826 碳化硅（SiC）功率半導體制造商UnitedSiC/美商聯合碳化硅股份有限公司 宣布，已經為UJ3C（通用型）和UF3C（硬開關型）系列650V SiC FET新增加了7種新的TO220-3L和D2PAK-3L器件/封裝組合產品。
2019-05-08 09:04:022246 英飛凌宣布推出650V SiC MOSFET，標志著公司進一步增強了在低壓SiC領域的布局，650V CoolSiC MOSFET系列。
2020-05-09 15:07:505544 和熱導率高等特性。世強代理的的SiC MOSFET管具有阻斷電壓高、工作頻率高且耐高溫能力強，同時又具有通態電阻低和開關損耗小等特點，是高頻高壓場合功率密度提高和效率提高的應用趨勢。
2020-09-29 10:44:009 新一代SiC MOSFET采用新穎的有源單元設計，結合先進的薄晶圓技術，可在650 V擊穿電壓實現同類最佳的品質因數Rsp （Rdson * area）。
2021-02-19 14:09:221594 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（東芝）宣布，在其TOLL（TO-無引線）封裝的DTMOSVI系列中推出650V超級結功率MOSFET-
2021-03-15 15:44:231813 
，配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5)，進一步優化了系統效率、性能與成本之間的微妙平衡。 IGBT混搭SiC SBD續流二極管，在硬換流的場合，至少有兩個主要優勢： 沒有Si二極管的反向恢復
2021-03-26 16:40:203459 
在開關頻率、散熱、耐壓、功率密度方面優勢更為凸顯。 下文主要對國產SiC MOSFET進行介紹并與國外相近參數的主流產品相對比。 國產1700V SiC MOSFET 派恩杰2018年開始專注于第三代半導體SiC、GaN的功率器件的研究。公司成立半年后就研制出了首款650V GaN功率器件，在基于
2021-09-16 11:05:375744 TP650H070L系列650V，72m? 氮化鎵（GaN）FET是常關器件。它們結合了最先進的技術高壓GaN HEMT和低壓硅MOSFET提供卓越可靠性和性能的技術。
2022-03-31 15:03:3510 英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD續流二極管，取代了傳統Si的Rapid1快速續流二極管，配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5)，進一步優化了系統效率、性能與成本之間的微妙平衡。
2022-08-01 10:11:291160 
Wolfspeed 新款車規級 E-系列（E3M）650V、60 mΩ MOSFET 系列幫助設計人員滿足 EV 車載充電機應用。采用 Wolfspeed 第三代 SiC MOSFET 技術
2022-11-07 09:59:211907 650V 快速恢復 SuperFET? II MOSFET 在諧振拓撲中實現高系統效率和可靠性
2022-11-14 21:08:360 SiC MOSFET：SCT3xxx xR系列是面向服務器用電源、太陽能逆變器和電動汽車充電站等要求高效率的應用開發而成的溝槽柵極結構SiC MOSFET，采用4引腳封裝。此次共推出6款機型（650V耐壓和1200V耐壓）。
2023-02-09 10:19:223467 
ROHM的1,200VSiC MOSFET“S4101”和650V SiC SBD“S6203”是以裸芯片的形式提供的，采用ROHM的這些產品將有助于應用的小型化并提高模塊的性能和可靠性。
2023-04-10 09:34:291413 引言： 在現代電源轉換和電子系統中，高壓MOSFET扮演著重要的角色。其中，CMW65R041DFD是一款備受矚目的650V SJ MOSFET型號，具備許多引人注目的特點和廣泛應用領域。本文將從
2023-06-13 14:06:481244 摘要：碳化硅（SiC）由于其優異的電學及熱學特性而成為一種很有發展前途的寬禁帶半導體材料。SiC材料制作的功率MOSFET很適合在大功率領域中使用，高溫柵氧的可靠性是大功率MOSFET中最應注意
2023-04-04 10:12:343038 
圳市森國科科技股份有限公司日前發布了第五代Thinned MPS SiC二極管KS04065（650V/4A）、KS06065（650V/6A）
2023-07-12 17:06:272048 
繼先后推出成熟化的全系列碳化硅二極管、碳化硅MOSFET以及碳化硅模塊產品后，2023年7月 森國科正式對外推出650V超結MOSFET系列新品 ，相較于傳統的功率MOSFET，SJMOSFET具有
2023-07-20 11:09:162412 
Ω? ? 650V? ?? ? SOP7? ?? ?? ?? ?? ? SIC9773? ?? ?0.9? ?? ?? ?4.5Ω? ? 650V? ?? ? SOP7/DIP7
2023-08-24 09:53:371369 電子發燒友網站提供《SLP12N65C美浦森高壓MOSFET 650V 12A.pdf》資料免費下載
2022-04-29 14:06:570 電子發燒友網站提供《SLP10N65C美浦森高壓MOSFET 650V 12A.pdf》資料免費下載
2022-04-29 14:12:250 電子發燒友網站提供《SLP8N65C美浦森高壓MOSFET 650V 7.5A.pdf》資料免費下載
2022-04-29 14:30:151 電子發燒友網站提供《SLP5N65C美浦森高壓MOSFET 650V 4.5A.pdf》資料免費下載
2022-04-29 14:33:490 近日，芯塔電子自主研發的1200V/80mΩTO-263-7封裝?SiC MOSFET器件成功獲得第三方權威檢測機構（廣電計量）全套AEC-Q101車規級可靠性認證。包括之前通過測試認證的650V
2023-12-06 14:04:491013 
近日，瞻芯電子采用TO263-7封裝的第二代SiC MOSFET中650V 40mΩ產品IV2Q06040D7Z通過了嚴苛的車規級可靠性認證，該產品采用TO263-7貼片封裝，具有體積較小，安裝簡便，損耗更低的特點。
2024-01-16 10:16:243320 
上海瞻芯電子科技有限公司（簡稱“瞻芯電子”）近期取得了一項重要的技術突破。該公司推出的兩款第二代SiC MOSFET產品，分別為650V 40mΩ規格的IV2Q06040D7Z和650V 60m
2024-03-07 09:43:181605 3月8日，瞻芯電子開發的3款第二代650V SiC MOSFET產品通過了嚴格的車規級可靠性認證（AEC-Q101 Qualified）。
2024-03-11 09:24:381469 
近日，瞻芯電子宣布其研發的三款第二代650V SiC MOSFET產品成功通過了嚴格的AEC-Q101車規級可靠性認證，這一里程碑式的成就標志著瞻芯電子在功率電子領域的持續創新與技術突破。
2024-03-12 11:04:241748 瞻芯電子近日宣布成功推出三款第二代650V SiC MOSFET產品，這些產品不僅通過了嚴格的車規級可靠性認證（AEC-Q101 Qualified），還具備業界領先的低損耗水平。這些新型MOSFET的推出，標志著瞻芯電子在半導體技術領域的又一重要突破。
2024-03-13 09:24:131664 電子發燒友網站提供《具有集成驅動器的650V 270m? GaN FETLMG3616數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-21 10:19:400 電子發燒友網站提供《650V 60A溝槽和場阻IGBT JJT60N65HE數據手冊.pdf》資料免費下載
2024-04-10 17:56:151 電子發燒友網站提供《650V 60A溝槽和場阻IGBT JJT60N65UH數據手冊.pdf》資料免費下載
2024-04-10 17:57:221 納芯微推出1200V首款SiC MOSFET NPC060N120A系列產品，該產品RDSon為60mΩ，具有通孔式TO-247-4L與表面貼裝TO-263-7L兩種封裝形式，可提供車規與工規兩種等級。
2024-04-17 14:02:491619 
納芯微近日重磅推出了其首款1200V SiC MOSFET系列產品NPC060N120A，其RDSon值低至60mΩ，展現了出色的導電性能。這款產品提供了通孔式TO-247-4L和表面貼裝TO-263-7L兩種封裝形式，滿足車規與工規不同等級的需求。
2024-05-06 15:20:521273 納芯微近期發布了其首款1200V SiC MOSFET產品——NPC060N120A系列，該系列產品的RDSon值低至60mΩ，展現了出色的性能。這款MOSFET提供了兩種封裝形式，包括通孔式的TO-247-4L和表面貼裝的TO-263-7L，以滿足不同應用場景的需求。
2024-05-13 15:27:391829 Navitas半導體公司日前宣布擴展其第三代“快速”系列(G3F)650V碳化硅(SiC)MOSFET，新增一款耐用且高效的表面貼裝TOLL(無引腳晶體管外形)封裝。這種新型封裝專門針對高功率
2024-08-05 11:25:201265 
電子發燒友網站提供《汽車650V GaN功率級頂部冷卻QFN 12x12封裝的熱設計和性能.pdf》資料免費下載
2024-09-24 11:27:100 森國科近期推出的650V/60A IGBT（型號：KG060N065LD-R），憑借其業界領先的低傳導損耗和高速開關性能，在電力電子領域引起了廣泛關注。
2024-10-17 15:41:59898 納芯微推出1200V首款SiC MOSFET NPC060N120A系列產品，該產品RDSon為60mΩ，具有通孔式TO-247-4L與表面貼裝TO-263-7L兩種封裝形式，可提供車規與工規兩種等級。
2024-10-29 13:54:371063 
650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結MOSFET和高壓GaN氮化鎵器件
2025-01-23 16:27:431780 
) B3M040065Z （650V/67A）和 B3M040120Z （1200V/64A）的耐壓能力均適配該需求，且冗余設計增強可靠性。 高頻性能優勢 SiC MOSFET的快速開關特性（如 B3M040120Z 的開關延遲僅12ns，關斷延
2025-02-24 22:30:201065 
系數、高浪涌電流、100% UIS測試等特性，可提高系統效率，減少散熱需求，在并聯使用時無熱失控風險。 *附件：SiC SBD-P3D06002E2 650V SiC 肖特基二極管.pdf 電氣特性
2025-02-25 14:18:58844 
P3D06006T2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO - 220 - 2 封裝，符合 AEC - Q101 標準和 RoHS標準。具備超快速開關、零反向恢復電流、高頻操作、正向
2025-02-26 16:54:52783 
開關、零反向恢復電流、適用于高頻操作、正向電壓正溫度系數、高浪涌電流、100% 經過 UIS測試等特性。 *附件：SiC SBD-P3D06006E2 650V 碳化硅肖特基二極管數據手冊.pdf 特性
2025-02-26 18:01:16854 
開關、零反向恢復電流、適用于高頻操作、正向電壓正溫度系數、高浪涌電流、100% 經過 UIS測試等特性。 *附件：SiC SBD-P3D06008T2 650V 碳化硅肖特基二極管數據手冊.pdf
2025-02-27 17:11:28675 
隨著BASiC基本半導體等企業的650V碳化硅MOSFET技術升級疊加價格低于進口超結MOSFET，不少客戶已經開始動手用國產SiC碳化硅MOSFET全面取代超結MOSFET,電源客戶從超結MOSFET升級至650V碳化硅MOSFET的根本驅動力分析。
2025-03-01 08:53:441053 
內置650V MOSFET的高可靠性PSR AC-DC轉換器CN1812
2025-03-05 10:09:23890 
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）宣布，推出四款最新650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和“TW123V
2025-05-22 14:51:22901 
新品650VCoolMOS8超結(SJ)MOSFET英飛凌推出全新650VCoolMOS8引領全球高壓超結SJMOSFET技術，為行業技術和性價比樹立了全球標準。該系列為高功率應用提供了額外的50V
2025-07-04 17:09:031016 
的26mΩ和33mΩ型號，將導通電阻(RDS(on))的覆蓋范圍擴展至20mΩ到60mΩ，提供更精細的選型梯度。ThinTOLL封裝是標準8x8尺寸下發揮CoolS
2025-07-08 17:08:311020 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出三款650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW027U65C”、“TW048U65C”和“TW083U65C”。這三款產品配備其最新[1
2025-09-01 16:33:492082 
龍騰半導體最新推出650V/40A/99mΩ超結MOSFET，其內置FRD，適應LLC應用，并適合多管應用，具有更快的開關速度，更低的導通損耗；極低的柵極電荷（Qg），大大提高系統效率和優異的EMI性能。
2025-09-26 17:39:511274 
安森美 (onsemi) NXVF6532M3TG01 650V EliteSiC H橋功率MOSFET模塊專為汽車及工業環境中要求嚴苛的功率轉換應用而設計。安森美 (onsemi
2025-11-22 11:16:271163 
作為電子工程師，我們一直在尋找性能卓越、能滿足各種復雜應用需求的電子元件。今天要給大家介紹的是 onsemi 的 NTH4L023N065M3S 碳化硅（SiC）MOSFET，它屬于
2025-11-27 10:55:14245 在電子工程領域，功率MOSFET一直是電源設計中的關鍵元件。今天要給大家詳細介紹的是安森美（onsemi）的NTH4L060N065SC1，一款650V、44mΩ、47A的N溝道SiC功率MOSFET，采用TO247 - 4L封裝。
2025-12-08 15:02:32326 
650 V SuperGaN? FET.pdf 一、產品概述 TP65H050G4YS是一款650V、50mΩ的氮化鎵（GaN）FET，采用了Transphorm的Gen IV平臺，屬于常關型器件。它將先進的高壓GaN HEMT與低壓硅MOSFET相結
2025-12-29 10:05:1576
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