來源：英飛凌官微

CoolGaN BDS 650V G5雙向開關。這款基于氮化鎵（GaN）技術的單片雙向開關，憑借其卓越的性能和創新的設計，正在成為高效電力轉換領域的明星產品。

核心技術規格

電壓等級

650V，能夠滿足多種高壓應用場景的需求。

導通電阻

不同型號的導通電阻范圍從80mΩ到240mΩ不等，具體取決于產品型號。

開關頻率

支持高頻操作，最高可達2MHz，這使得它在高頻應用中表現出色。

封裝形式

采用頂部散熱的封裝設計，如TOLT-16L，這種設計有助于提高散熱效率，確保在高功率密度應用中的穩定性。

技術優勢

雙向阻斷能力

CoolGaN BDS 650V G5能夠在兩個方向上阻斷電壓和電流，這在傳統的背靠背單向開關中是難以實現的。

集成設計

通過單片集成兩個開關，大幅減少了芯片尺寸和系統復雜性，同時也降低了成本。

低開關損耗

由于其低柵極和輸出電荷特性，CoolGaN BDS 650V G5能夠顯著減少開關損耗，提高系統效率。

高功率密度

支持更高的功率輸出，同時實現更緊湊的系統設計，這對于空間受限的應用場景非常有利。

應用場景

太陽能微逆變器

在太陽能微逆變器中，CoolGaN BDS 650V G5能夠實現無需直流母線電容的單級隔離拓撲，如循環轉換器和矩陣型轉換器，取代了傳統的基于背靠背單向開關的設計。這種設計不僅提高了效率和功率密度，還具備升降壓能力和雙向功率流動。

服務器和電信

在服務器和電信領域，維也納型轉換器（如維也納整流器、H4 PFC和單相維也納）因其簡單性和低元件數量而被廣泛使用。這些拓撲結構通過采用CoolGaN BDS HV，用其取代現有的背靠背開關，設計人員可以輕松實現更高的開關頻率，并通過減小被動元件尺寸來增加功率密度。

數據中心SMPS

基于半橋硬開關和軟開關拓撲的圖騰柱PFC和高頻LLC，CoolGaN BDS 650V G5能夠顯著提高系統的效率和功率密度。

CoolGaN BDS 650V G5是英飛凌在氮化鎵技術領域的一次重大創新。它以其卓越的性能和廣泛的應用前景，為電力轉換的未來發展提供了無限可能。開啟高效電力轉換的新時代。

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