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電子發燒友網>電源/新能源>穩壓電源>好消息 東芝650V超級結功率提高大電流設備效率的MOSFET問市

好消息 東芝650V超級結功率提高大電流設備效率的MOSFET問市

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2023-08-01 16:09:541

東芝第3代碳化硅MOSFET為中高功率密度應用賦能

MOSFET也已經發展到了第3代,新推出的650V和1200V電壓產品現已量產。其柵極驅動電路設計簡單,可靠性得到進一步的提高。 碳化硅MOSFET的優勢 相同功率等級的硅MOSFET相比,新一代碳化硅MOSFET導通電阻、開關損耗大幅降低,適用于更高的工作頻率,
2023-10-17 23:10:021787

SLP12N65C美浦森高壓MOSFET 650V 12A

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2022-04-29 14:06:570

SLP10N65C美浦森高壓MOSFET 650V 12A

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2022-04-29 14:12:250

SLP8N65C美浦森高壓MOSFET 650V 7.5A

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2022-04-29 14:30:151

SLP5N65C美浦森高壓MOSFET 650V 4.5A

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2022-04-29 14:33:490

SVSP35NF65P7D3 士蘭微高壓超mos管650V

SVSP35NF65P7D3士蘭微高壓超mos管650V,35A,提供SVSP35NF65P7D3關鍵參數,更多產品手冊、應用料資請向士蘭微mos代理驪微電子申請。>>
2022-09-06 14:57:508

SVSP11N65DD2 11A,650V士蘭微超MOS-士蘭微mos管規格書

供應SVSP11N65DD211A,650V士蘭微超MOS,提供SVSP11N65DD211A,650V士蘭微超MOS關鍵參數,更多產品手冊、應用料資請向士蘭微mos代理驪微電子申請。>>
2022-11-02 15:17:062

東芝推出高速二極管型功率MOSFET助力提高電源效率

東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,在新一代[1]具有超結結構的DTMOSVI系列中推出高速二極管型功率MOSFET——DTMOSVI(HSD),
2024-02-22 18:22:412195

MPRA1C65-S61 650V 碳化硅功率模塊詳解

帶有散熱片的S6小型封裝,具有體積小、結構緊湊、功能強大、用戶使用簡單靈活的特點,是焊接切割設備,開關電源充電設備等領域的理想功率模塊。快速參考數據:650V/10
2024-05-27 11:16:471408

新品 | 650V高速半橋柵極驅動器2ED2388S06F

新品650V高速半橋柵極驅動器2ED2388S06F650V高速半橋柵極驅動器,具有典型的0.29A源電流和0.7A灌電流,采用DSO-8封裝,用于驅動功率MOSFET和IGBT。產品型號
2024-07-27 08:14:36869

Navitas推出新一代650V SiC MOSFET,采用高效TOLL封裝

Navitas半導體公司日前宣布擴展其第三代“快速”系列(G3F)650V碳化硅(SiC)MOSFET,新增一款耐用且高效的表面貼裝TOLL(無引腳晶體管外形)封裝。這種新型封裝專門針對高功率
2024-08-05 11:25:201265

評估超功率 MOSFET 的性能和效率

產品。然而,由于這類器件能夠持續在性能、效率和成本效益之間達到平衡,因此在優化許多新應用的電子電源設計時不可或缺。 硅基超級 MOSFET 早在本世紀初就已投入商業應用,它是通過交替堆疊 p 型和 n
2024-10-02 17:51:001664

汽車650V GaN功率級頂部冷卻QFN 12x12封裝的熱設計和性能

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2024-09-24 11:27:100

NSG6000 650V單通道半橋柵極驅動芯片介紹

NSG6000是650V電壓功率MOSFET和IGBT半橋柵驅動器。自帶死區保護、高低側互鎖功能,防止高低側直通。具有較強的VS負偏壓、負過沖耐受能力。輸入電平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL邏輯輸出電平。具有寬VCC范圍、帶滯后的欠壓鎖定。
2025-01-07 10:58:261547

為什么650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超MOSFET和高壓GaN氮化鎵器件?

650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超MOSFET和高壓GaN氮化鎵器件
2025-01-23 16:27:431780

650V碳化硅MOSFET在AI服務器電源中的高能效解決方案

650V碳化硅MOSFET(如BASiC基本股份)在AI服務器電源中的高能效解決方案 一、AI服務器電源的核心需求與挑戰 AI服務器電源需滿足高效率、高功率密度、低熱耗散和高可靠性四大核心需求。隨著
2025-02-08 07:56:071203

ROHM攜手ATX量產650V耐壓GaN HEMT

全球知名半導體制造商ROHM近日宣布,其采用TOLL(TO-LeadLess)封裝的650V耐壓GaN HEMT(高電子遷移率晶體管)“GNP2070TD-Z”已成功投入量產。這一里程碑式的進展
2025-02-18 10:03:531194

MOSFET升級至650V碳化硅MOSFET的根本驅動力分析

隨著BASiC基本半導體等企業的650V碳化硅MOSFET技術升級疊加價格低于進口超MOSFET,不少客戶已經開始動手用國產SiC碳化硅MOSFET全面取代超MOSFET,電源客戶從超MOSFET升級至650V碳化硅MOSFET的根本驅動力分析。
2025-03-01 08:53:441053

內置650V MOSFET的高可靠性PSR AC-DC轉換器CN1812

內置650V MOSFET的高可靠性PSR AC-DC轉換器CN1812
2025-03-05 10:09:23890

GNP1070TC-Z 650V GaN HEMT 數據手冊

GNP1070TC-Z是一款650V GaN HEMT,實現了業內出色的FOM 。該產品屬于EcoGaN?系列產品,利用該系列產品低導通電阻和高速開關的特性,有助于提高功率轉換效率并減小產品尺寸
2025-03-07 15:46:54909

LP8728副邊控制反激PWM控制器,集成 650V 高壓 MOSFET

LP8728是一款適合于副邊控制反激應用的PWM控制器,集成 650V 高壓 MOSFET。PWM 工作狀態時,采用峰值電流控制模式,并且在中載以下開始降低頻率以提升平均效率,在輕載或者空載時,系統
2025-04-27 09:35:390

東芝推出新型650V第3代SiC MOSFET

東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)宣布,推出四款最新650V碳化硅(SiC)MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和“TW123V
2025-05-22 14:51:22901

新品 | 650V CoolMOS? 8超 (SJ) MOSFET

新品650VCoolMOS8超(SJ)MOSFET英飛凌推出全新650VCoolMOS8引領全球高壓超SJMOSFET技術,為行業技術和性價比樹立了全球標準。該系列為高功率應用提供了額外的50V
2025-07-04 17:09:031016

東芝推出三款最新650V SiC MOSFET

東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,推出三款650V碳化硅(SiC)MOSFET——“TW027U65C”、“TW048U65C”和“TW083U65C”。這三款產品配備其最新[1
2025-09-01 16:33:492082

龍騰半導體650V 99mΩ超MOSFET重磅發布

龍騰半導體最新推出650V/40A/99mΩ超MOSFET,其內置FRD,適應LLC應用,并適合多管應用,具有更快的開關速度,更低的導通損耗;極低的柵極電荷(Qg),大大提高系統效率和優異的EMI性能。
2025-09-26 17:39:511274

選型手冊:MOT65R380D 系列 N 溝道超級功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子(MOT)推出的MOT65R380D是一款面向高壓功率轉換場景的N溝道超級功率MOSFET,憑借650V耐壓、低導通損耗及高魯棒性,廣泛適用于功率因數校正(PFC)、開關模式電源(SMPS
2025-10-29 10:31:10190

選型手冊:MOT65R600F 系列 N 溝道超級功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子(MOT)推出的MOT65R600F是一款基于超級技術的N溝道功率MOSFET,憑借650V耐壓、低導通損耗及高魯棒性,廣泛適用于功率因數校正(PFC)、開關模式電源(SMPS
2025-10-31 17:28:48199

選型手冊:MOT70R280D N 溝道超級功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子(MOT)推出的MOT70R280D是一款N溝道超級功率MOSFET,憑借700V耐壓、超低導通電阻及高頻開關特性,適用于功率因數校正、開關模式電源、不間斷電源等領域。一、產品基本信息器件
2025-11-07 10:54:01164

選型手冊:MOT70R380D N 溝道超級功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子(MOT)推出的MOT70R380D是一款N溝道超級功率MOSFET,憑借700V耐壓、低導通電阻及高頻開關特性,適用于功率因數校正(PFC)、電源功率級、適配器、電機控制、DC-DC
2025-11-10 15:42:30277

選型手冊:MOT65R380F N 溝道超級功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子(MOT)推出的MOT65R380F是一款N溝道超級功率MOSFET,憑借650V耐壓、低導通電阻及高頻開關特性,適用于功率因數校正、開關模式電源、不間斷電源等領域。一、產品基本信息器件
2025-11-18 15:32:14203

選型手冊:MOT65R180HF N 溝道超級功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子(MOT)推出的MOT65R180HF是一款N溝道超級功率MOSFET,憑借650V耐壓、低導通電阻及高頻開關特性,適用于功率因數校正、開關模式電源、不間斷電源等領域。一、產品基本信息器件
2025-11-18 15:39:25204

探索TP65H050G4YS 650V SuperGaN? FET的卓越性能與設計要點

探索TP65H050G4YS 650V SuperGaN? FET的卓越性能與設計要點 在電子設備不斷追求高效、小型化的今天,功率半導體器件的性能起著至關重要的作用。今天我們就來詳細探討一下
2025-12-29 10:05:1576

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