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三星西安廠計劃將NAND工藝升級為236層 明年初更換設(shè)備

微云疏影 ? 來源:綜合整理 ? 作者:綜合整理 ? 2023-11-03 11:48 ? 次閱讀
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據(jù)業(yè)界2日透露,三星電子計劃對中國西安nand閃存工廠進行改造,將目前正在生產(chǎn)的128段(v6) nand閃存生產(chǎn)線擴大到236段(v8)。三星決定從明年初開始更換設(shè)備,并向業(yè)界通報了到2025年分階段完成的目標(biāo)。

三星決定在因經(jīng)濟不景氣而堆積庫存的128段nand中減少舊型產(chǎn)品,供應(yīng)未來需求較多的236段nand等,正在加快向先進工程的轉(zhuǎn)型。

隨著西安工廠的升級,平澤第1工廠(p1)的nand工藝也將從128段轉(zhuǎn)換為236段,已經(jīng)開始轉(zhuǎn)換。

西安工程升級備受關(guān)注的原因是此前禁止向中國出口可以生產(chǎn)200段以上nand的設(shè)備的《美國半導(dǎo)體設(shè)備法》。

西安工廠是占三星nand生產(chǎn)量約40%的核心工廠。128 nand由于市場狀況的惡化,生產(chǎn)越多,庫存就越堆積。三星急需改進工程。

今年10月,美國將三星和sk海力士指定為“經(jīng)過驗證的最終用戶(veu)”,三星無需另外申請也可以進口設(shè)備。之后,三星決定改編工廠的前臺生產(chǎn)線。

nand閃存端口的數(shù)量是指堆疊的內(nèi)存單元的數(shù)量,這個數(shù)量越多,容量就越大。三星電子目前擁有的236段nand閃存計劃明年初批量生產(chǎn)約300段的新一代nand閃存(v9)。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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