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電子發燒友網>存儲技術>超級計算機性能百億億次時代開啟 SK海力士HBM3為超算加速

超級計算機性能百億億次時代開啟 SK海力士HBM3為超算加速

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【晚間三分鐘】董明珠愿投500造芯;中國百億億2020交付;微軟宣布與大疆戰略合作

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2013 年,中國憑借「天河二號(TH-2)」超級計算機成功擊敗美國的「泰坦(Titan,由 Cray——美國著名超級計算機制造商于美國橡樹嶺國家實驗室研造)」,成為世界上運算速度最快的超級計算機
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新基建的春天來了嗎

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瘋搶!HBM成為AI新瓶頸!

SK海力士正忙于處理來自客戶的大量HBM3E樣品請求。英偉達首先要求提供樣品,這次的出貨量幾乎是千鈞一發。這些索取樣品的客戶公司可能會在今年年底收到樣品。全球領先的GPU公司Nvidia此前曾向SK海力士供應HBM3,并已索取HBM3E樣品。各大科技公司都在熱切地等待 SK 海力士的樣品。
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HBM需求高漲 三星、SK海力士投資2萬億韓元積極擴產

據業界透露,三星電子、sk海力士等存儲半導體企業正在推進hbm生產線的擴張。兩家公司計劃到明年年底為止投資2萬億韓元以上,將目前hbm生產線的生產能力增加兩倍以上。sk海力士計劃在利川現有的hbm生產基地后,利用清州工廠的閑置空間。
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三星正與英偉達開展GPU HBM3驗證及先進封裝服務

在此之前,英偉達將大部分gpu的高級成套產品委托給tsmc。半導體方面,將sk海力士hbm3安裝在自主制造的單一gpu芯片上,生產英偉達h100。但是最近隨著生成型人工智能的普及,h100的需求劇增,在處理nvidia的所有訂單上遇到了困難。
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SK海力士開發出全球最高規格HBM3E

sk海力士表示:“以唯一批量生產hbm3的經驗基礎,成功開發出了世界最高性能的擴展版hbm3e?!皩⒁詷I界最大規模的hbm供應經驗和量產成熟度基礎,從明年上半年開始批量生產hbm3e,鞏固在針對ai的存儲器市場上的獨一無二的地位。”
2023-08-21 09:21:491808

SK海力士開發出全球最高規格HBM3E,向英偉達提供樣品

該公司表示,HBM3E(HBM3的擴展版本)的成功開發得益于其作為業界唯一的HBM3大規模供應商的經驗。憑借作為業界最大HBM產品供應商的經驗和量產準備水平,SK海力士計劃在明年上半年量產HBM3E,鞏固其在AI內存市場無與倫比的領導地位。
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SK海力士推全球最高性能HBM3E內存

HBM3E內存(也可以說是顯存)主要面向AI應用,是HBM3規范的擴展,它有著當前最好的性能,而且在容量、散熱及用戶友好性上全面針對AI優化。
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SK海力士成功開發出面向AI的超高性能DRAM新產品HBM3E

與此同時,SK海力士技術團隊在該產品上采用了Advanced MR-MUF*最新技術,其散熱性能與上一代相比提高10%。HBM3E還具備了向后兼容性(Backward compatibility)**,因此客戶在基于HBM3組成的系統中,無需修改其設計或結構也可以直接采用新產品。
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SK海力士三季度虧損97元,SK海力士確認反對西數與鎧俠合并

SK海力士稱,由于高性能半導體存儲器產品的市場需求增加,公司業績開始持續改善。尤其是面向人工智能的存儲器產品,如HBM3、高容量DDR5 DRAM和高性能移動DRAM等,銷售表現良好。因此與上一季度相比,營業收入增長了24%,營業虧損減少了38%。
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SK海力士資本支出大增,HBM是重點

SK海力士明年計劃的設施投資10萬億韓元(76.2美元),超出了市場預期。證券界最初預測“SK海力士明年的投資額將與今年類似,約為6萬億至7萬億韓元”。鑒于經濟挑戰,觀察人士預計嚴格的管理措施將延續到明年。由于存儲半導體價格大幅下跌,SK海力士預計今年赤字將超過8萬億韓元。
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歐盟首臺百億億次級超級計算機JUPITER建設成果顯著,進入新階段

歐洲超級計算機聯盟 EuroHPC JU 曾于 2023 年 10 月宣布,將投資 2.73 歐元打造歐洲第一臺超大規模超級計算機——JUPITER,預期其性能將達到每秒五億浮點運算的水平。
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SK海力士第四季轉虧HBM3營收增長5倍

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SK海力士將于3月量產HBM3E存儲器

在全球存儲半導體市場的激烈競爭中,SK海力士已正式結束了第五代高帶寬存儲器器(HBM3E)的開發工作,并成功通過了Nvidia長達半年的性能評估。這一里程碑的達成標志著SK海力士即將在今年3月開始量產這款革命性的存儲器產品,并計劃在下個月內向其重要合作伙伴Nvidia供應首批產品。
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SK海力士宣布HBM內存生產配額全部售罄

SK 海力士副總裁 Kim Ki-Tae 對此表示,作為 HBM 行業翹楚,海力士洞察到市場對 HBM 存儲的巨大需求,現已提前調整產量,以期更好地滿足市場需求,保護其市場占有率。
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SK海力士預計3月量產HBM3E,供貨英偉達

近日,全球存儲解決方案領導者SK海力士宣布,他們已成功完成了高性能HBM3E(High-Bandwidth Memory 3rd Generation Enhanced)的開發,并且已經通過了英偉達
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據封裝研發負責人李康旭副社長(Lee Kang-Wook)介紹,SK海力士已在韓國投入逾10美元擴充及改良芯片封裝技術。精心優化封裝工藝是HBM獲青睞的重要原因,實現了低功耗、提升性能等優勢,提升了SK海力士HBM市場的領軍地位。
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SK海力士加大對先進芯片封裝投入

SK海力士作為半導體行業的領軍企業,正積極響應市場需求的變化,并敏銳地把握住了高帶寬內存(HBM)市場的增長潛力。隨著數據處理速度需求的提升,HBM以其卓越的性能和帶寬特性,正成為AI等高性能計算領域的重要支撐。
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SK海力士擴大對芯片投資

SK海力士正積極應對AI開發中關鍵組件HBM(高帶寬存儲器)日益增長的需求,為此公司正加大在先進芯片封裝方面的投入。SK海力士負責封裝開發的李康旭副社長明確指出,公司正在韓國投入超過10美元,以擴大和改進其芯片封裝技術。
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SK海力士HBM3E正式量產,鞏固AI存儲領域的領先地位

SK海力士作為HBM3E的首發玩家,預計這款最新產品的大批量投產及其作為業內首家供應HBM3制造商所累積的經驗,將進一步強化公司在AI存儲器市場的領導者地位。
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SK海力士成功量產超高性能AI存儲器HBM3E

HBM3E的推出,標志著SK海力士在高性能存儲器領域取得了重大突破,將現有DRAM技術推向了新的高度。
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在基礎晶圓上通過硅通孔(TSV)連接多層DRAM,首批HBM3E產品均采用8層堆疊,容量24GB。SK海力士和三星分別在去年8月和10月向英偉達發送了樣品。此前有消息稱,英偉達已經向SK海力士支付了約合5.4至7.7美元的預付款,供應下一代HBM3E。 SK海力士和三星都在推進12層
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SK海力士與臺積電共同研發HBM4,預計2026年投產

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2024-04-19 10:32:071374

SK海力士將采用臺積電7nm制程生產HBM4內存基片

HBM內存基礎裸片即DRAM堆疊基座,兼具與處理器通信的控制功能。SK海力士近期與臺積電簽訂HBM內存合作協議,首要任務便是提升HBM基礎邏輯芯片性能
2024-04-23 16:41:191392

SK海力士:預計其HBM銷售額今年有望超過20美元!

SK海力士最近透露,預計其HBM銷售額今年將“占其DRAM芯片銷售額的兩位數百分比”。
2024-04-29 10:50:411195

SK海力士明年HBM產能基本售罄

SK海力士近日宣布,其高帶寬內存(HBM)芯片在2025年的產能已經基本售罄。這一成績主要歸功于人工智能(AI)技術的蓬勃發展,極大地推動了市場對HBM芯片的需
2024-05-07 09:48:39927

SK海力士加速HBM4E內存研發,預計2026年面市

HBM 制造商 Kim Gwi-wook 宣布,由于市場需求,SK海力士將提速研發進程,預計最快在 2026 年推出 HBM4E 內存在內存帶寬上比 HBM4 提升 1.4 倍。
2024-05-14 10:23:09978

SK海力士HBM4E存儲器提前一年量產

SK海力士公司近日在首爾舉辦的IEEE 2024國際存儲研討會上,由先進HBM技術團隊負責人Kim Kwi-wook宣布了一項重要進展。SK海力士計劃從2026年開始,提前一年量產其第七代高帶寬存儲器HBM4E。這一消息表明,SK海力士HBM技術領域的研發速度正在加快。
2024-05-15 11:32:131484

SK海力士與臺積電攜手量產下一代HBM

近日,SK海力士與臺積電宣布達成合作,計劃量產下一代HBM(高帶寬內存)。在這項合作中,臺積電將主導基礎芯片的前端工藝(FEOL)和后續布線工藝(BEOL),確?;A芯片的質量與性能。而SK海力士則負責晶圓測試和HBM的堆疊工作,確保產品的最終品質與可靠性。
2024-05-20 09:18:461055

SK海力士HBM3E內存良率已達80%

早在今年3月份,韓國媒體DealSite報道中指出,全球HBM存儲器的平均良率約為65%。據此來看,SK海力士在近期對HBM3E存儲器的生產工藝進行了顯著提升。
2024-05-23 10:22:301079

SK海力士HBM3E量產時間縮短50%,達到大約80%范圍的目標良率

據報道,SK海力士宣布第五代高帶寬存儲(HBM)—HBM3E的良率已接近80%。
2024-05-27 14:38:171888

中國AI芯片和HBM市場的未來

 然而,全球HBM產能幾乎被SK海力士、三星和美光壟斷,其中SK海力士占據AI GPU市場80%份額,是Nvidia HBM3內存獨家供應商,且已于今年3月啟動HBM3E量產。
2024-05-28 09:40:311726

SK海力士創新下一代HBM,融入計算與通信功能

SK海力士正引領半導體行業進入新時代,開發了一種融合計算與通信功能的下一代HBM(高帶寬內存)。這一創新戰略旨在鞏固其在HBM市場中的領先地位,同時進一步拉大與后來者的差距。
2024-05-29 14:11:401164

SK海力士HBM技術再創新高,將集成更多功能

SK海力士正全力開發HBM4E存儲設備,意欲打造集計算、緩存和網絡存儲于一身的新型HBM產品,進而提升性能與數據傳輸速率。
2024-05-29 16:41:271061

SK海力士HBM4芯片前景看好

瑞銀集團最新報告指出,SK海力士HBM4芯片預計從2026年起,每年將貢獻6至15美元的營收。作為高帶寬內存(HBM)市場的領軍企業,SK海力士已在今年2月宣布其HBM產能已全部售罄,顯示其產品的強勁需求。
2024-05-30 10:27:221511

美光HBM市場雄心勃勃,SK海力士加速應對挑戰

雄心勃勃的宣言無疑給當前HBM市場的兩大主要競爭對手——SK海力士和三星帶來了不小的競爭壓力,尤其是SK海力士,作為韓國DRAM行業的領軍企業,正嚴陣以待,積極調整策略以應對美光的挑戰。
2024-07-03 09:28:591061

SK海力士加速布局HBM市場,產能擴增應對爆發式增長

在人工智能與大數據驅動的時代浪潮中,SK海力士正以前所未有的速度調整戰略,全力擁抱高帶寬內存(HBM)市場的蓬勃機遇。據韓國權威媒體最新報道,SK海力士PKG技術開發副總裁Moon Ki-il在近期
2024-07-08 11:54:491125

SK海力士將在HBM生產中采用混合鍵合技術

在半導體技術日新月異的今天,SK海力士再次站在了行業創新的前沿。據最新消息,該公司計劃于2026年在其高性能內存(High Bandwidth Memory, HBM)的生產過程中引入混合鍵合技術,這一舉措不僅標志著SK海力士在封裝技術上的重大突破,也預示著全球半導體行業將迎來新一輪的技術革新。
2024-07-17 09:58:191366

SK海力士探索無焊劑鍵合技術,引領HBM4創新生產

在半導體存儲技術的快速發展浪潮中,SK海力士,作為全球領先的內存芯片制造商,正積極探索前沿技術,以推動高帶寬內存(HBM)的進一步演進。據最新業界消息,SK海力士正著手評估將無助焊劑鍵合工藝引入其下一代HBM4產品的生產中,這一舉措標志著公司在追求更高性能、更小尺寸內存解決方案上的又一大膽嘗試。
2024-07-17 15:17:471889

SK海力士與Amkor攜手推進硅中介層合作,強化HBM市場競爭力

)合作展開深入協商。這一合作旨在通過整合雙方優勢資源,進一步提升SK海力士在高性能內存(HBM)領域的市場競爭力。
2024-07-18 09:42:511223

SK海力士攜手臺積電,N5工藝打造高性能HBM4內存

在半導體技術日新月異的今天,SK海力士再次引領行業潮流,宣布將采用臺積電先進的N5工藝版基礎裸片來構建其新一代HBM4內存。這一舉措不僅標志著SK海力士在高性能存儲解決方案領域的持續深耕,也預示著HBM內存技術即將邁入一個全新的發展階段。
2024-07-18 09:47:531329

標普上調SK海力士評級至BBB,看好其HBM領域主導地位

近日,國際知名評級機構標準普爾全球評級(S&P Global Ratings)宣布了一項重要決策,將SK海力士的長期發行人信用及發行評級從BBB-提升至BBB,并維持穩定的評級展望。此次上調評級,主要基于SK海力士在高性能內存(HBM)領域的顯著“主導地位”以及全球內存市場的積極復蘇趨勢。
2024-08-08 09:48:321042

SK海力士DDR5芯片價格或將大幅上漲

近日,據外媒報道,SK海力士已宣布將其DDR5 DRAM芯片價格上調15%至20%,這一舉動在業界引起了廣泛關注。供應鏈內部人士透露,此次漲價的主要原因在于HBM3/3E產能的大幅擴張,對DDR5的生產資源造成了明顯擠占。
2024-08-14 15:40:461516

SK海力士9月底將量產12層HBM3E高性能內存

自豪地宣布,SK 海力士當前市場上的旗艦產品——8層HBM3E,已穩坐行業領導地位,而更進一步的是,公司即將在本月底邁入一個新的里程碑,正式啟動12層HBM3E的量產。這一舉措不僅鞏固了SK 海力士
2024-09-05 16:31:361645

SK海力士開始先進人工智能芯片生產

SK海力士宣布,公司已正式踏入人工智能芯片生產的新階段,批量生產業界領先的12層HBM3E芯片。這款芯片不僅代表了SK海力士在內存技術上的重大突破,更以36GB的超大容量刷新了現有HBM產品的記錄,全球人工智能領域的發展注入了強勁動力。
2024-09-26 14:24:41878

SK海力士引領未來:全球首發12層HBM3E芯片,重塑AI存儲技術格局

今日,半導體巨頭SK海力士震撼宣布了一項業界矚目的技術里程碑,該公司已成功在全球范圍內率先實現12層HBM3E芯片的規?;a,此舉不僅將HBM存儲器的最大容量推升至史無前例的36GB新高度,更進一步鞏固了SK海力士在AI應用存儲器市場的領軍地位。
2024-09-26 16:30:311987

SK海力士HBM生產效率驚人,或引領存儲器市場格局轉變

在9月25日(當地時間)于美國加利福尼亞州圣克拉拉會議中心舉行的一場半導體行業盛會上,SK海力士發布的一項關于其高帶寬內存(HBM)的驚人數據——“TAT 8.8:1”引起了廣泛關注。這一數據揭示了SK海力士HBM生產效率上的巨大優勢。
2024-10-08 16:19:321679

英偉達加速推進HBM4需求,SK海力士等存儲巨頭競爭加劇

在財報中曾表示,計劃在2025年下半年向大客戶(市場普遍猜測英偉達及AMD)提供HBM存儲系統。對此,SK海力士的發言人證實了這一時間表確實比最初目標有所提前,但并未提供更多細節。
2024-11-04 16:17:001707

英偉達向SK海力士提出提前供應HBM4芯片要求

4。 HBM4作為高帶寬內存的最新一代產品,具有出色的數據傳輸速度和存儲能力,對于提升計算機系統的整體性能具有重要意義。因此,英偉達作為全球領先的圖形處理器(GPU)制造商,對于HBM4的需求自然不言而喻。 對于SK海力士而言,黃仁勛的這一要求無
2024-11-05 10:52:481202

SK海力士推出48GB 16層HBM3E產品

的領先地位,更為未來的高性能計算市場帶來了全新的可能性。 SK海力士CEO郭魯正(Kwak Noh-Jung)表示,盡管業界普遍認為16層HBM市場將從HBM4時代開始興起,但SK海力士憑借前瞻性的技術布局
2024-11-05 15:01:201231

SK海力士展出全球首款16層HBM3E芯片

在近日舉行的SK AI峰會上,韓國存儲巨頭SK海力士向全球展示了其創新成果——全球首款48GB 16層HBM3E產品。這一產品的推出,標志著SK海力士在高端存儲技術領域的又一重大突破。
2024-11-13 14:35:051189

SK海力士發布HBM3e 16hi產品

在近日舉辦的SK AI Summit 2024活動中,SK hynix(SK海力士)透露了一項令人矚目的新產品計劃。據悉,該公司正在積極開發HBM3e 16hi產品,這款產品的每顆HBM芯片容量高達48GB,將為用戶帶來前所未有的存儲體驗。
2024-11-14 18:20:201364

特斯拉或向SK海力士、三星采購HBM4芯片

科技巨頭主要采購定制化芯片不同,特斯拉此次選擇的是通用HBM4芯片。特斯拉的這一選擇旨在強化其超級計算機Dojo的性能,以滿足自動駕駛技術開發和訓練中對高存儲器帶寬的需求。 HBM4技術以其更高的傳輸帶寬、更高的存儲密度、更低的功耗以及更小的尺寸
2024-11-21 14:22:441524

SK海力士加速16Hi HBM3E內存量產準備

近日,SK海力士正全力加速其全球首創的16層堆疊(16Hi)HBM3E內存的量產準備工作。這一創新產品的全面生產測試已經正式啟動,明年初的樣品出樣乃至2025年上半年的大規模量產與供應奠定了
2024-12-26 14:46:241050

SK海力士強化HBM業務實力的戰略規劃

隨著人工智能技術的迅猛發展,作為其核心支撐技術的高帶寬存儲器(以下簡稱HBM)實現了顯著的增長,SK海力士在去年實創下歷史最佳業績做出了不可或缺的重要貢獻。業內普遍認為,SK海力士的成長不僅體現在銷售額的大幅提升上,更彰顯了其在引領AI時代技術變革方面所發揮的重要作用。
2025-04-18 09:25:59993

SK海力士HBM技術的發展歷史

SK海力士在鞏固其面向AI的存儲器領域領導地位方面,HBM1無疑發揮了決定性作用。無論是率先開發出全球首款最高性能HBM,還是確立并保持其在面向AI的存儲器市場的領先地位,這些成就的背后皆源于SK海力士秉持的“一個團隊”協作精神(One Team Spirit)。
2025-06-18 15:31:021667

英偉達、微軟、亞馬遜等排隊求購SK海力士HBM芯片,這些國產設備廠迎機遇

AMD、微軟和亞馬遜等。 ? HBM(高帶寬存儲器),是由AMD和SK海力士發起的基于3D堆棧工藝的高性能DRAM,適用于高存儲器帶寬需求的應用場合。如今HBM已經發展出HBM2、HBM2e以及HBM3。HBM3E是HBM3的下一代產品,SK海力士目前是唯一能量產HBM3的廠商。 ? HBM 成為
2023-07-06 09:06:313695

HBM格局生變!傳三星HBM3量產供貨英偉達,國內廠商積極布局

電子發燒友網報道(文/吳子鵬)根據韓媒sedaily 的最新報道,三星華城17號產線已開始量產并向英偉達供應HBM3內存。同時,美光已經英偉達供應HBM3E。至此,高端HBM內存的供應由SK海力士
2024-07-23 00:04:005534

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