2023年，中國化合物半導體產業實現歷史性突破。在碳化硅（SiC）晶體生長領域，中國尤其獲得國際IDM的認可，導致產量大幅增長。此前中國碳化硅材料僅占全球約5%的產能，然而業界樂觀預計，2024年中國碳化硅晶圓在全球的占比有望達到50%。

天岳先進、天科合達、三安光電等公司均斥資提高碳化硅晶圓/襯底產能，目前這些中國企業每月的總產能約為6萬片。隨著各公司產能釋放，預計2024年月產能將達到12萬片，年產能150萬。

根據行業消息和市調機構的統計，此前天岳先進、天科合達合計占據全球5%的市場份額，而全球四大碳化硅領先廠商的份額要大得多，其中Wolfspeed占比60%，Coherent占比15%，羅姆電子占比13%，SK Siltron占比5%。

業界稱，此前不少海外研究機構對中國企業的制造能力表示懷疑，然而近期博世、意法半導體、英飛凌等都與中國企業簽訂碳化硅合約，足以證明中國在供應鏈中的地位快速提升。

今年5月，天岳先進、天科合達兩大廠商均在其官微宣布，與國際半導體大廠英飛凌簽訂了供貨協議。根據協議，天科合達和天岳先進將為英飛凌供應用于生產SiC半導體的6英寸（150mm）碳化硅晶圓和晶錠，兩家企業的供應量均將占到英飛凌未來長期預測需求的兩位數份額。未來也將提供200mm直徑碳化硅材料，助力英飛凌向200mm直徑晶圓的過渡。

今年6月，意法半導體在官網宣布，將同三安光電在中國重慶建立一個新的8英寸碳化硅器件合資制造廠。新的SiC制造廠計劃于2025年第四季度開始生產，預計將于2028年全面落成，屆時將更好地支持中國的汽車電氣化、工業電力和能源等應用日益增長的需求。同時，三安光電將利用自有SiC襯底工藝，單獨建造和運營一個新的8英寸SiC襯底制造廠，以滿足該合資廠的襯底需求。

分析人士表示，目前全球市場主要使用150mm碳化硅晶圓，預計到2024年隨著制造商的擴產，產品價格將明顯下滑，這會給競爭力較弱的制造商帶來挑戰。

根據TrendForce集邦咨詢此前研究，從產業結構來看，中國的SiC功率半導體產值以功率元件業（包含Fabless、IDM以及Foundry）占比最高，達42.4%，接續為襯底片制造業及外延片制造業。

對于SiC襯底及外延材料環節，中國廠商已逐漸贏得海外領先業者的認可，尤其體現在外延片環節。須留意的是，在SiC晶體厚度與一致性指標上，本土廠商仍需付出諸多努力，以期實現在汽車電驅系統等更多高端場景中的應用。當前中國正在展開大規模的SiC材料擴產行動，TrendForce集邦咨詢預估2023年中國N-Type SiC襯底產能（折合6英寸）可達1020Kpcs，其中以天科合達份額續居首位。

隨著新能源汽車、光伏、儲能、充電樁等下游市場的快速爆發，中國的SiC功率元件市場規模正在迅速擴大。據TrendForce集邦咨詢統計，按2022年應用結構來看，光伏儲能為中國SiC市場最大應用場景，占比約38.9%，接續為汽車、工業以及充電樁等。當然，汽車市場作為未來發展主軸，即將超越光伏儲能應用，其份額至2026年有望攀升至60.1%。

在此情況下，中國已有約70家廠商切入SiC功率元件業務，整體市場進入高度競爭階段。尤其針對低階二極管，不少廠商深感無力而陸續退出，進一步聚焦凸顯核心競爭力的MOSFET業務。

再觀察SiC晶圓產線情況，據TrendForce集邦咨詢不完全統計，截至3Q23，中國已有約24家廠商涉足SiC晶圓制造。其中IDM廠商15家，7家實現量產；Foundry廠商9家，5家實現量產。以各家晶圓產能來看，三安光電與積塔半導體分別位居IDM與Foundry廠商首位。

整體來看，盡管中國SiC晶圓廠產能擴張的步伐仍在繼續，但有效的MOSFET產能并不理想。TrendForce集邦咨詢統計2022年由中國廠商釋放的SiC MOSFET晶圓產能尚不足全球10%，不過這一情況預計自4Q23開始會有所好轉。

如今，無論是上游材料、晶圓代工廠、器件、封裝，國內在SiC的各個細分供應鏈環節都已有玩家在積極參與。但目前海外廠商在碳化硅領域仍占據先發優勢，國內企業仍在起步階段，技術不斷追趕同時產能尚在爬坡。雖然市場產銷兩旺，但中國碳化硅功率器件仍處于早期階段，如何降低成本、穩定質量、提升良率，是國產碳化硅功率半導體大規模應用的關鍵。