ASML在IEDM 2019大會上披露，截至2019年，總共已經使用EUV設備處理了450萬片晶圓。該公司最新的NXE：3400C系統每小時可生產170個晶圓。

從2011年到2018年末，通過ASML的EUV工具累計運行的450萬片晶圓中，絕大部分（250萬片）僅發生在2018年，自2016年初的60萬片以來，每年大約翻一番。每年要有1200萬個晶圓，盡管應該注意的是，晶圓在其制造過程中可能會經歷數十次光刻曝光。

由于三星和臺積電都已開始生產其7nm和N7 +工藝，因此EUV加工的晶圓數量在2019年可能還會增加?；贓UV的芯片包括三星Exynos 9825，麒麟990 5G，以及明年，高通的 5G Snapdragon芯片組和AMD的Zen3。英特爾將在2021年采用7nm的EUV。

截至2018年第二季度，NXE：3400B系統的安裝基數達到38個，幾乎是2017年的四倍。這表明EUV的采用正在增長，并且客戶對該技術充滿信心。2019年第三季度ASML獲得了23份EUV訂單（并表示它將在2020年交付約35個系統），包括多個DRAM系統。所有這些訂單都是針對新的NXE：3400C系統的，該系統也將于第三季度開始發貨。

NXE：3400C更新

盡管EUV的延遲甚至比英特爾的10納米工藝還要長，但ASML強調了它在EUV吞吐量方面取得的進展，這是限制其經濟可行性的主要因素。五年來增長了17倍以上。最新的NXE：3400C每小時可生產170個晶圓。但是，基于暴露劑量和系統停機時間，商業部署的吞吐量可能會更低。

NXE：3400C的另一項改進是其模塊化容器，該容器提高了可維修性，從而顯著減少了平均維修時間（MTTR），從而提高了可用性指標，據AnandTech稱，這一指標已達到75％至85％。

吞吐量和可用性指標顯示EUV 在過去一年中在商業可行性方面的穩步進步。

NXE：3400C將在2023年推出EXE：5000系列，其數值孔徑（NA）為0.55（前者為0.33NA），與多重圖案化EUV相比，分辨率提高67％，有效晶圓產量提高更多0.33NA系統。