8Gb DDR4生產(chǎn)率提高20%以上，下半年量產(chǎn) 據(jù)筆者此前獲悉，在今年3月，三星開(kāi)始大規(guī)模量產(chǎn)12GB 低功耗雙倍數(shù)率的LPDDR4X后，三星又宣布首次開(kāi)發(fā)出第三代10nm級(jí)1z nm 8Gb雙倍
2019-10-22 10:41:21
5509 基于臺(tái)積電5nm制程的芯片高出20%-30%，因此三星的5nm也被不少人認(rèn)為是“翻車”的一代產(chǎn)品。 ? 當(dāng)然，如今各家晶圓代工廠對(duì)于工藝節(jié)點(diǎn)上的命名更像是玩“數(shù)字游戲”。比如三星當(dāng)年的8nm工藝就跟臺(tái)積電10nm的晶體管密度幾乎相同，而英特爾最近也將他們?cè)镜?b class="flag-6" style="color: red">10nm Enha
2021-10-09 09:17:004872 FinFET制程技術(shù)量產(chǎn)階段的臺(tái)積電，也傳出將投入大量研發(fā)資金確保10nm制程技術(shù)發(fā)展進(jìn)度，預(yù)期將進(jìn)一步與三星抗衡，至于Intel方面也確定將在 2016年下半年間進(jìn)入10nm制程技術(shù)量產(chǎn)。
2015-05-28 10:23:161272 Samsung 5 日宣佈正式量產(chǎn)全球首款採(cǎi)用 10nm 制程生產(chǎn)的 DDR4 DRAM 顆粒，加快半導(dǎo)體市場(chǎng)邁向更精密的 10nm 制程工藝之路，繼 2014 年首個(gè)量產(chǎn) 20nm 制程 DDR3 記憶體顆粒，成為業(yè)界領(lǐng)先。
2016-04-06 09:04:56893 三星本周宣布，將定于今年晚些時(shí)候投產(chǎn)第二代10nm芯片生產(chǎn)工藝。目前，三星已經(jīng)在美國(guó)硅谷開(kāi)始向多個(gè)半導(dǎo)體公司推廣自家的14nm工藝。臺(tái)積電計(jì)劃在2017年上半年試產(chǎn)7nm工藝，目前有超過(guò)20家客戶正在洽談7nm工藝代工事宜。
2016-04-22 09:40:41677 10nm新工藝難產(chǎn)，Intel不得不臨時(shí)增加了第三代的14nm工藝平臺(tái)Kaby Lake，但即便如此進(jìn)展也不快，Intel甚至將其描述為“2017年平臺(tái)”（2017 Platform）。
2016-07-11 09:44:081482 臺(tái)積電和三星都將在明年規(guī)模量產(chǎn)10nm新工藝，高通、蘋果、三星、聯(lián)發(fā)科的下一代處理器自然都會(huì)蜂擁而上，搶占制高點(diǎn)，據(jù)說(shuō)第一個(gè)將是聯(lián)發(fā)科的新十核Helio X30。
2016-07-15 10:30:591311 TSMC在FinFET工藝量產(chǎn)上落后于Intel、三星，不過(guò)他們?cè)?b class="flag-6" style="color: red">10nm及之后的工藝上很自信，2020年就會(huì)量產(chǎn)5nm工藝，還會(huì)用上EUV光刻工藝。
2016-07-18 10:47:091380 臺(tái)積電和三星電子的制程大戰(zhàn)打得如火如荼，據(jù)傳臺(tái)積電7nm制程有望提前在明年底量產(chǎn)，遠(yuǎn)遠(yuǎn)超前對(duì)手。三星電子不甘示弱，宣布10nm制程已經(jīng)率先進(jìn)入量產(chǎn)，領(lǐng)先同業(yè)。
2016-10-18 09:48:511079 
據(jù)三星官網(wǎng)新聞，韓國(guó)巨頭宣布推出業(yè)界首款8GB LPDDR4 DRAM成片。此次的8GB LPDDR4內(nèi)存芯片采用16Gb顆粒，10nm級(jí)（10nm~20nm之間）工藝制造，可實(shí)現(xiàn)與20nm級(jí)4
2016-10-20 10:55:482245 今日早報(bào)：英特爾收購(gòu)虛擬現(xiàn)實(shí)廠商Voke；三星第三代10nm制程細(xì)節(jié)公布；中芯深圳啟動(dòng)華南首條12英寸集成電路生產(chǎn)線項(xiàng)目；萊迪思半導(dǎo)體接受中資背景Canyon Bridge收購(gòu)要約；我國(guó)可穿戴醫(yī)療
2016-11-04 09:39:033104 今年底明年初TSMC、三星的10nm工藝就會(huì)量產(chǎn)了，Intel的真·10nm處理器也會(huì)在明年下半年發(fā)布，而GlobalFoundries已經(jīng)確定跳過(guò)10nm節(jié)點(diǎn)，他們下一個(gè)高性能工藝直接殺向了7nm，也不再選擇三星授權(quán)，是自己研發(fā)的。
2016-11-08 11:57:171360 我們應(yīng)當(dāng)知道的是，三星目前還沒(méi)有推出很多10nm工藝的產(chǎn)品：只有三星自己的Exynos系列和三星為高通代工的835芯片是使用了三星的10nm工藝。
2017-05-09 08:24:35911 此外，三星還計(jì)劃在今年下半年批量生產(chǎn)基于第三代10nm 級(jí)(1z)工藝技術(shù)的16Gb LPDDR5產(chǎn)品，以配合6400Mb / s 芯片組的開(kāi)發(fā)。這將有利于三星進(jìn)一步鞏固其在高端移動(dòng)設(shè)備、高端個(gè)人電腦和汽車應(yīng)用程序等市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。
2020-02-25 18:39:173713 三星今日宣布，其位于韓國(guó)平澤的第二條生產(chǎn)線已開(kāi)始量產(chǎn)業(yè)界首款采用極紫外光（EUV）技術(shù)的16Gb LPDDR5移動(dòng)DRAM。新的16Gb LPDDR5基于三星第三代10nm級(jí)(1z)工藝打造，擁有當(dāng)下最高的移動(dòng)產(chǎn)品內(nèi)置內(nèi)存性能和最大的容量。
2020-08-31 10:24:543513 5月10日消息 南韓近期啟動(dòng)「X-band GaN國(guó)家計(jì)劃」沖刺第三代半導(dǎo)體，三星積極參與。由于市場(chǎng)高度看好第三代半導(dǎo)體發(fā)展，臺(tái)積電、世界等臺(tái)廠均已卡位，三星加入南韓官方計(jì)劃沖刺第三代半導(dǎo)體布局，也
2021-05-10 16:00:573039 較為激進(jìn)的技術(shù)路線，以挽回局面。
4 月 18 日消息，據(jù)韓媒《ChosunBiz》當(dāng)?shù)貢r(shí)間 16 日?qǐng)?bào)道，三星電子在其 4nm 制程 HBM4 內(nèi)存邏輯芯片的初步測(cè)試生產(chǎn)中取得了40% 的良率，這高于
2025-04-18 10:52:53
三星電子近日在國(guó)際學(xué)會(huì)“IEDM 2015”上就20nm工藝的DRAM開(kāi)發(fā)發(fā)表了演講。演講中稱，三星此次試制出了20nm工藝的DRAM，并表示可以“采用同樣的方法，達(dá)到10nm工藝”。 國(guó)際電子器件
2015-12-14 13:45:01
硅材料的研究也非常透徹。基于硅材料上器件的設(shè)計(jì)和開(kāi)發(fā)也經(jīng)過(guò)了許多代的結(jié)構(gòu)和工藝優(yōu)化和更新，正在逐漸接近硅材料的極限，基于硅材料的器件性能提高的潛力愈來(lái)愈小。以氮化鎵、碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體具備優(yōu)異
2017-05-15 17:09:48
３Ｇ定義 ３Ｇ是英文３rd Generation的縮寫，至第三代移動(dòng)通信技術(shù)。相對(duì)于第一代模擬制式手機(jī)（１Ｇ）和第二代GSM、TDMA等數(shù)字手機(jī)（２Ｇ）來(lái)說(shuō)，第三代手機(jī)是指將無(wú)線通信與國(guó)際互聯(lián)網(wǎng)等
2019-07-01 07:19:52
）第三代紅外攝像機(jī)技術(shù)散熱性能好、發(fā)光點(diǎn)大、亮度高等特點(diǎn)大大提高了紅外燈的使用效率，并且采用獨(dú)特的COB封裝技術(shù)能有效地將紅外燈5年內(nèi)的光衰減控制在10%以內(nèi)，比陣列式的使用壽命延長(zhǎng)5年。在使用壽命上
2011-02-19 09:35:33
是激光紅外與傳統(tǒng)紅外的4-5倍，散熱性能良好，質(zhì)量等級(jí)高，將廣泛應(yīng)用安放民用市場(chǎng)與工程項(xiàng)目市場(chǎng)。IR-III與激光紅外差別距離：帕特羅（PATRO）第三代紅外攝像機(jī)產(chǎn)品照射距離30～100米，適合中短
2011-02-19 09:38:46
`第一代沒(méi)有留下痕跡。第二代之前在論壇展示過(guò)：https://bbs.elecfans.com/jishu_282495_1_1.html現(xiàn)在第三代誕生：`
2013-08-10 15:35:19
臺(tái)積電與三星的10nm工藝。智能手機(jī)的普及，大大地改變了現(xiàn)代人們的生活方式，言猶在耳的那句廣告詞——“科技始終來(lái)自于人性”依舊適用，人們對(duì)于智能手機(jī)的要求一直是朝向更好、更快以及更省電的目標(biāo)。就像
2018-06-14 14:25:19
據(jù)業(yè)內(nèi)權(quán)威人士透露，我國(guó)計(jì)劃把大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，寫入“十四五”規(guī)劃，計(jì)劃在2021-2025年期間，在教育、科研、開(kāi)發(fā)、融資、應(yīng)用等等各個(gè)方面，大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，...
2021-07-27 07:58:41
什么是第三代移動(dòng)通信答復(fù)：第三代移動(dòng)通信系統(tǒng)IMT2000，是國(guó)際電信聯(lián)盟（ITU）在1985年提出的，當(dāng)時(shí)稱為陸地移動(dòng)系統(tǒng)（FPLMTS）。1996年正式更名為IMT2000。與現(xiàn)有的第二代移動(dòng)
2009-06-13 22:49:39
隨著第三代移動(dòng)通信技術(shù)的興起，UMTS網(wǎng)絡(luò)的建立將帶來(lái)一場(chǎng)深刻的革命，這對(duì)網(wǎng)絡(luò)規(guī)劃也提出了更高的要求。在德國(guó)轟動(dòng)一時(shí)的UMTS執(zhí)照拍賣，引起了公眾對(duì)這一新技術(shù)的極大興趣。第三代移動(dòng)通信網(wǎng)絡(luò)的建設(shè)正方
2019-08-15 07:08:29
IR-III技術(shù)定義(IR-III Technology Definition)IR-III技術(shù)即紅外夜視第三代技術(shù)，根植于上世紀(jì)60年代美國(guó)貝爾實(shí)驗(yàn)室發(fā)明的紅外夜視技術(shù)，屬于一種主動(dòng)式紅外
2011-02-19 09:34:33
基于第三代移動(dòng)通信系統(tǒng)標(biāo)準(zhǔn)的ALC控制方案的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)
2021-01-13 06:07:38
家族中的新成員。 相較于前兩代二極管，基本半導(dǎo)體第三代碳化硅肖特基二極管在沿用6英寸晶圓工藝基礎(chǔ)上，實(shí)現(xiàn)了更高的電流密度、更小的元胞尺寸、更低的正向?qū)▔航怠！ 』景雽?dǎo)體第三代碳化硅肖特基二極管繼承
2023-02-28 17:13:35
淺析第三代移動(dòng)通信功率控制技術(shù)
2021-06-07 07:07:17
本文討論了移動(dòng)通信向第三代(3G)標(biāo)準(zhǔn)的演化與發(fā)展，給出了范圍廣泛的3G發(fā)射機(jī)關(guān)鍵技術(shù)與規(guī)范要求的概述。文章提供了頻分復(fù)用(FDD)寬帶碼分多址(WCDMA)系統(tǒng)發(fā)射機(jī)的設(shè)計(jì)和測(cè)得的性能數(shù)據(jù)，以Maxim現(xiàn)有的發(fā)射機(jī)IC進(jìn)行展示和說(shuō)明。
2019-06-14 07:23:38
開(kāi)始生產(chǎn)。此舉也創(chuàng)下二次擊敗勁敵三星、獨(dú)吃蘋果處理器大單的新記錄，2017年?duì)I收持續(xù)增長(zhǎng)基本沒(méi)什么問(wèn)題。剛剛失去蘋果訂單的三星，日前宣布Note6將用上基于10nm工藝的6GB LPDDR4內(nèi)存，并將于今年下半年上市。這樣一來(lái)，臺(tái)積電和三星以及蘋果的性能之爭(zhēng)，就轉(zhuǎn)移到Note 6和iPhone 7身上。`
2016-07-21 17:07:54
第三代LonWorks技術(shù)和產(chǎn)品介紹
文章介紹了第三代LonWorks技術(shù)的應(yīng)用方向和結(jié)構(gòu)，以及美國(guó)Echelon公司新推出的一系列的第三代LonWorks產(chǎn)品以及它們的主要技術(shù)特點(diǎn)
2010-03-18 09:55:04
17 Intel Xeon?鉑金處理器（第三代）Intel? Xeon?鉑金處理器（第三代）是安全、敏捷、數(shù)據(jù)中心的基礎(chǔ)。這些處理器具有內(nèi)置AI加速、先進(jìn)的安全技術(shù)和出色的多插槽處理性能，設(shè)計(jì)用于任務(wù)關(guān)鍵
2024-02-27 11:57:15
Intel Xeon?金牌處理器（第三代）Intel? Xeon?金牌處理器（第三代）支持高內(nèi)存速度和增加內(nèi)存容量。Intel? Xeon?金牌處理器具有更高性能、先進(jìn)的安全技術(shù)以及內(nèi)置工作負(fù)載加速
2024-02-27 11:57:49
Intel Xeon?可擴(kuò)展處理器（第三代）Intel?Xeon?可擴(kuò)展處理器（第三代）針對(duì)云、企業(yè)、HPC、網(wǎng)絡(luò)、安全和IoT工作負(fù)載進(jìn)行了優(yōu)化，具有8到40個(gè)強(qiáng)大的內(nèi)核和頻率范圍、功能和功率級(jí)別
2024-02-27 11:58:54
三星首家量產(chǎn)40nm級(jí)工藝4Gb DDR3綠色內(nèi)存芯片
三星電子宣布，該公司已經(jīng)在業(yè)內(nèi)第一家使用40nm級(jí)別工藝批量生產(chǎn)低功耗的4Gb DDR3內(nèi)存芯片。
這種內(nèi)存芯片支
2010-02-26 11:33:421106 三星電子今天宣布，已經(jīng)完成了歷史上第一款DDR4 DRAM規(guī)格內(nèi)存條的開(kāi)發(fā)，并采用30nm級(jí)工藝制造了首批樣品。
2011-01-05 09:23:451660 據(jù)一向不靠譜的臺(tái)灣媒體DigiTimes報(bào)道，蘋果將于今年夏季發(fā)布新款第三代iPad。新款第三代iPad將配備來(lái)自夏普的IGZO顯示屏，這種技術(shù)將使iPad變得更薄，電池更耐用。在第三代iPad發(fā)布之
2012-06-30 11:48:16724 本月，三星電子宣布實(shí)現(xiàn)10nm級(jí)別工藝DDR4 DRAM內(nèi)存顆粒的量產(chǎn)，再次拉大與“三國(guó)殺”剩下兩個(gè)玩家——SK海力士和美光的差距。
2016-04-25 10:32:031381 日前在深圳召開(kāi)的2016三星移動(dòng)解決方案論壇上，這家韓國(guó)OEM廠商宣布了最新的6GB LPDDR4內(nèi)存。和現(xiàn)有芯片和6GB內(nèi)存芯片最大的區(qū)別在于使用了最新的10nm制造生產(chǎn)工藝，承諾帶來(lái)更快更高效的內(nèi)存。
2016-05-23 15:20:391455 2016年半導(dǎo)體的主流工藝是14/16nm FinFET工藝，主要有Intel、TSMC及三星/GlobalFoundries（格羅方德）三大陣營(yíng)，下一個(gè)節(jié)點(diǎn)是10nm，三方都會(huì)在明年量產(chǎn)，不過(guò)
2016-05-30 11:53:531179 導(dǎo)語(yǔ)：聯(lián)發(fā)科和華為均已確定下一代處理器將采用10nm工藝制程，高通也緊追其后遞交10nm芯片樣品給客戶，據(jù)悉，高通10nm訂單均交給三星代工生產(chǎn)。
2016-07-28 19:00:27868 近日，三星電子宣布已經(jīng)開(kāi)始采用10nm FinFET工藝量產(chǎn)邏輯芯片，三星也成為了業(yè)內(nèi)首家大規(guī)模采用10納米工藝的廠商。前段時(shí)間，韓國(guó)《電子時(shí)報(bào)》報(bào)道，高通的下一代旗艦處理器高通驍龍830（或835
2016-10-18 14:06:101450 特爾的10nm工藝可是要完全領(lǐng)先臺(tái)積電和三星的10nm工藝。
2017-01-09 11:46:041029 %的性能提升。 那么我們不禁要問(wèn)，Intel的10nm怎么了? 先就本次投資會(huì)議，Intel表示，數(shù)據(jù)中心所用的Xeon高端多核處理器將首批用上下一代制程，也就是10nm。另外在CES上，CEO柯再奇曾證實(shí)，搭載10nm芯片筆記本產(chǎn)品會(huì)在今年底出貨。 這其實(shí)不難理解。由于8代酷睿還是下半年上市，局面很可能是
2017-02-11 02:23:11431 三星Galaxy S8和蘋果的iPhone 8都將進(jìn)入10nm時(shí)代，兩者將分別搭載基于10nm工藝的驍龍835和A11芯片，不過(guò)現(xiàn)據(jù)臺(tái)媒《電子時(shí)報(bào)》報(bào)道，業(yè)內(nèi)10nm工藝陷入良品率不理想的困境，預(yù)計(jì)Galaxy S8和iPhone 8將出現(xiàn)供不應(yīng)求的情況，而由于三星S8發(fā)布更早，遭受的影響也更大。
2017-03-03 22:39:21679 三星今天宣布，繼去年10月率先量產(chǎn)10nm工藝移動(dòng)芯片后，日前已經(jīng)完成了第二代10nm的質(zhì)量驗(yàn)證工作，即將量產(chǎn)。
2017-04-22 01:08:12883 三星今天宣布，繼去年10月率先量產(chǎn)10nm工藝移動(dòng)芯片后，日前已經(jīng)完成了第二代10nm的質(zhì)量驗(yàn)證工作，即將量產(chǎn)。下面就隨網(wǎng)絡(luò)通信小編一起來(lái)了解一下相關(guān)內(nèi)容吧。下面就隨半導(dǎo)體小編一起來(lái)了解一下相關(guān)內(nèi)容吧。
2017-04-23 10:19:411823 據(jù)韓媒報(bào)道，高通已經(jīng)與三星攜手，合作開(kāi)發(fā)下一代手機(jī)處理器。繼去年10月份三星率先量產(chǎn)第一代10nm LPE（low-power early）工藝處理器后，日前已經(jīng)完成第二代10nm LPP
2017-04-25 10:39:02938 臺(tái)積電的10nm工藝眼下還處于提升良率中，三星則宣布已推出第二代10nm工藝，這是前者繼14/16nmFinFET工藝敗給后者后再次在10nm工藝上落敗，而且這可能會(huì)影響到它在7nm工藝上再次落后。
2017-04-28 14:28:461758 三星利用二代10納米工藝研發(fā)出了全球最小的DRAM芯片—8Gb DDR4芯片。其中第二代10納米級(jí)芯片相比第一代速度提升10%。
2017-12-20 15:40:331582 據(jù)報(bào)道，三星第二代10nm級(jí)別的1y-nm 8Gb DDR4顆粒已經(jīng)正式投產(chǎn)了，8Gb DDR4顆粒采取了先進(jìn)的專用電路設(shè)計(jì)技術(shù)，比初代10nm級(jí)別（1x-nm）的高30%，并且高頻內(nèi)存要以3600MHz起步。
2017-12-21 11:42:513481 三星在DRAM市場(chǎng)的霸主再一次的得到了增強(qiáng)。據(jù)報(bào)道，三星利用第一代10nm 制程工藝研發(fā)出了8Gb DDR4 芯片，這是目前“全球最小”的 DRAM 芯片。
2017-12-21 13:49:012033 三星被人稱為世界最賺錢的公司之一，三星Q3凈利潤(rùn)高達(dá)98.7億美元。近日三星又公布了第二代10納米級(jí)8Gb DDR4 DRAM芯片的消息，更是讓人羨慕不已。
2017-12-22 15:31:331812 目前在售的紫光DDR4內(nèi)存并沒(méi)有使用國(guó)產(chǎn)顆粒，而是SK Hynix顆粒，是韓國(guó)公司的顆粒，也就是說(shuō)現(xiàn)在的國(guó)內(nèi)DDR4內(nèi)存依然是掛羊頭賣狗肉，跟市場(chǎng)上其他內(nèi)存條沒(méi)有什么區(qū)別，國(guó)產(chǎn)的只是PCB之類的。不過(guò)店家也很坦誠(chéng)，說(shuō)紫光顆粒的DDR4內(nèi)存下半年問(wèn)世。
2018-03-05 09:36:013569 作為DRAM芯片的龍頭企業(yè)，三星目前已經(jīng)能量產(chǎn)10nm級(jí)、最大容量16Gb的LPDDR4內(nèi)存、GDDR5顯存和DDR4內(nèi)存等。據(jù)報(bào)道，三星悄悄啟動(dòng)了引入EUV（極紫外光）光刻工藝的DRAM內(nèi)存芯片研發(fā)，基于1ynm。
2018-06-25 09:09:001128 繼5G、新基建后，第三代半導(dǎo)體概念近日在市場(chǎng)上的熱度高居不下。除了與5G密切相關(guān)外，更重要是有證券研報(bào)指出，第三代半導(dǎo)體有望納入重要規(guī)劃，消息傳出后多只概念股受到炒作。證券業(yè)人士提醒，有個(gè)人投資者
2020-09-21 11:57:554538 根據(jù)報(bào)道，三星第二代10nm級(jí)別工藝的LPDDR4X內(nèi)存已經(jīng)量產(chǎn)，相比第一代，雖然性能沒(méi)有提升，但是功耗再降10％，可使手機(jī)平板等移動(dòng)設(shè)備更省電。
2018-07-26 16:56:231229 12月20日，三星宣布已開(kāi)始量產(chǎn)第二代10nm級(jí)8Gb DDR4 DRAM，并持續(xù)擴(kuò)大整體10nm級(jí)DRAM的生產(chǎn)，有助于滿足全球不斷飆升的DRAM芯片需求，繼續(xù)加強(qiáng)三星市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。
2018-07-31 14:55:251102 三星宣布推出基于10nm級(jí)（指10~18nm）的DDR4 SO-DIMM內(nèi)存模組，用于高性能筆記本產(chǎn)品。新的內(nèi)存模組容量達(dá)到32GB單條，頻率2666MHz，結(jié)構(gòu)上是由16個(gè)16Gb DDR4
2018-08-06 16:38:015722 如之前預(yù)告的那樣，在三星開(kāi)始量產(chǎn)基于第二代 10nm 制程的 8Gb DDR4 RAM 芯片后不久，16Gb 的 GDDR6 內(nèi)存芯片現(xiàn)在也已經(jīng)拍馬趕到了。早些時(shí)候官方公布了開(kāi)始大規(guī)模量產(chǎn)這款零件
2018-08-13 11:16:004093 在Samsung Tech Day上，三星宣布7LPP工藝進(jìn)入量產(chǎn)，并表示基于EUV光刻技術(shù)的7LPP工藝對(duì)比現(xiàn)有的10nm FinFET工藝，可以提高20%性能、降低50%功耗、提升40%面積能效。
2018-10-22 10:05:404449 三星電子今天宣布，開(kāi)始量產(chǎn)業(yè)界首款、采用第二代10nm工藝（1y-nm）級(jí)別的DRAM芯片。
2018-12-11 09:40:551196 3月21日，三星電子宣布開(kāi)發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級(jí)工藝的DRAM內(nèi)存芯片，將服務(wù)于高端應(yīng)用場(chǎng)景，這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過(guò)去16個(gè)月。
2019-03-21 16:43:083840 ，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）。自開(kāi)始批量生產(chǎn)第二代10nm級(jí)（1y-nm）8Gb DDR4以來(lái)僅僅16個(gè)月，三星不再使用Extreme Ultra-Violet（EUV）處理的情況下開(kāi)發(fā)1z-nm 8Gb DDR4，說(shuō)明三星突破了DRAM的擴(kuò)展極限。
2019-03-21 17:30:542123 三星電子宣布開(kāi)發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級(jí)工藝的DRAM內(nèi)存芯片，將服務(wù)于高端應(yīng)用場(chǎng)景，這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過(guò)去16個(gè)月。
2019-03-24 11:36:164320 華虹半導(dǎo)體有限公司（“華虹半導(dǎo)體”）宣布其第三代90納米嵌入式閃存（90nm eFlash）工藝平臺(tái)已成功實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
2019-06-27 16:22:384416 柏燕民表示，中興的5G芯片已經(jīng)發(fā)展到了第三代產(chǎn)品，基于7納米工藝，相關(guān)產(chǎn)品將在下半發(fā)布
2019-06-28 10:27:403883 除了臺(tái)積電，三星如今在工藝方面也是十分激進(jìn)：7nm 7LPP去年十月投產(chǎn)之后，按照官方最新給出的時(shí)間表，6nm 6LPP將在今年下半年如期投入量產(chǎn)，5nm 5LPE今年內(nèi)完成流片、明年上半年量產(chǎn)，4nm 4LPE也會(huì)在年內(nèi)設(shè)計(jì)完畢。
2019-08-02 15:45:433408 日前美光公司宣布量產(chǎn)了1Znm工藝的16Gb DDR4內(nèi)存，這是第三代10nm級(jí)內(nèi)存工藝，這次量產(chǎn)也讓美光成為業(yè)界第一個(gè)量產(chǎn)1Znm工藝的公司，這一次進(jìn)度比以往的標(biāo)桿三星公司還要快。
2019-08-26 12:43:004364 三星電子有限公司（Samsung Electronics）在其官網(wǎng)上發(fā)布消息，該公司正式宣布，首次開(kāi)發(fā)了第三代 10nm 制程工藝（1z-nm）8GB 超高性能和高功效的 DRAM（Dynamic Random Access Memory，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）。
2019-09-27 17:23:291500 10月21日，SK海力士宣布開(kāi)發(fā)適用第三代1Z納米的16Gb（Gigabits）DDR4（Double Data Rate 4） DRAM。
2019-10-21 16:10:363786 日前，三星正式宣布推出名為Flashbolt的第三代HBM2(HBM2E)存儲(chǔ)芯片。
2020-02-05 13:49:114064 高通昨晚發(fā)布了第三代5G基帶芯片——驍龍X50，使用的是5nm工藝。高通對(duì)5nm工藝的代工廠來(lái)源守口如瓶，不過(guò)外媒報(bào)道稱驍龍X60首發(fā)了三星的5nm工藝。
2020-02-19 15:09:363574 根據(jù)外媒WCCFTECH的報(bào)道，爆料消息稱英偉達(dá)的下一代GPU架構(gòu)將基于三星10nm制程，而不是之前報(bào)道的臺(tái)積電7nm工藝，據(jù)稱使用的10nm制程更接近于三星提供的8LPP技術(shù)，另外新的Tegra芯片也將使用相同的制程。
2020-03-12 16:28:463370 EUV，依靠現(xiàn)有的DUV（深紫外光刻）是玩不轉(zhuǎn)的。 有意思的是，三星最近竟然將EUV與相對(duì)上古的10nm工藝結(jié)合，用于量產(chǎn)旗下首批16Gb容量的LPDDR5內(nèi)存芯片。 據(jù)悉，三星的新一代內(nèi)存芯片是基于第三代10nm級(jí)（1z）工藝打造，請(qǐng)注意16Gb容量的后綴，是Gb而不是GB，16Gb對(duì)應(yīng)的其實(shí)是
2020-09-01 14:00:293544 昨晚，Redmi Note 9 Pro正式發(fā)布，全球首發(fā)第三代一億像素相機(jī)傳感器三星HM2，號(hào)稱將一億像素相機(jī)高端影像技術(shù)大眾化。
2020-11-27 09:43:095275 今晚，Redmi Note 9 Pro正式發(fā)布，全球首發(fā)第三代一億像素相機(jī)傳感器三星HM2，號(hào)稱將一億像素相機(jī)高端影像技術(shù)大眾化。
2020-11-27 10:08:5310835 Intel首次采用10nm工藝的第三代可擴(kuò)展至強(qiáng)“Ice Lake-SP”已經(jīng)推遲到2021年第一季度，將會(huì)和AMD 7nm工藝、Zen3架構(gòu)的的第三代霄龍正面對(duì)決，無(wú)論規(guī)格還是性能都討不到什么便宜。
2020-11-30 09:56:203100 在跳票多次之后，明年第一季度，Intel將推出代號(hào)Ice Lake-SP的單/雙路第三代至強(qiáng)可擴(kuò)展處理器，首次用上10nm工藝，并有全新的Sunny Cove CPU架構(gòu)。
2020-12-08 09:40:063130 
今日，七彩虹宣布 iGame 內(nèi)存全面升級(jí)，正式發(fā)布了 iGame VULCAN DDR4 內(nèi)存。 iGame VULCAN DDR4 延續(xù)了 VULCAN 顯卡紋理設(shè)計(jì)。值得一提的是，經(jīng)過(guò)網(wǎng)友命名
2020-12-25 10:31:313302 隨著Tiger Lake處理器的量產(chǎn)，Intel的10nm工藝已經(jīng)解決了產(chǎn)能、性能等問(wèn)題，現(xiàn)在使用的是10nm SuperFin（以下簡(jiǎn)稱10nm SF）工藝，下半年則會(huì)有更新的增強(qiáng)版10nm SF工藝，12代酷睿會(huì)首發(fā)。
2021-01-14 09:48:283786 
隨著Tiger Lake處理器的量產(chǎn)，Intel的10nm工藝已經(jīng)解決了產(chǎn)能、性能等問(wèn)題，現(xiàn)在使用的是10nm SuperFin（以下簡(jiǎn)稱10nm SF）工藝，下半年則會(huì)有更新的增強(qiáng)版10nm SF工藝，12代酷睿會(huì)首發(fā)。
2021-01-14 10:26:572757 。 中興通訊呂錢浩指出，2020年9月上市的中興A20不僅是全球首款商用屏下攝像手機(jī)，采用的是到現(xiàn)在依然全球獨(dú)步的第三代屏下攝像技術(shù)！ 包含第三代CUD（Camera Under Display）屏下攝像、屏幕發(fā)聲、屏下光感、屏下指紋等業(yè)界領(lǐng)先或首創(chuàng)技術(shù)。今年下半年后甚至
2021-02-22 09:03:172527 AMD將在這個(gè)月正式發(fā)布代號(hào)“Milan”（米蘭）的第三代霄龍7003系列數(shù)據(jù)中心處理器，基于7nm工藝、Zen3架構(gòu)，最多還是64核心128線程，支持八通道DDR4-3200內(nèi)存、128條PCIe 4.0通道。
2021-03-01 11:15:542947 數(shù)據(jù)處理和計(jì)算力日益提升的需求。 第三代津逮CPU是面向中國(guó)市場(chǎng)設(shè)計(jì)的本土服務(wù)器處理器，適用于x86通用服務(wù)器平臺(tái)，其功能、性能及可靠性與第三代英特爾至強(qiáng)可擴(kuò)展處理器（Ice Lake）一致。相較上一代產(chǎn)品，第三代津逮CPU采用先進(jìn)的10nm制程工藝，支
2021-04-12 14:26:293795 要比基于臺(tái)積電5nm制程的芯片高出20%-30%，因此三星的5nm也被不少人認(rèn)為是“翻車”的一代產(chǎn)品。 當(dāng)然，如今各家晶圓代工廠對(duì)于工藝節(jié)點(diǎn)上的命名更像是玩“數(shù)字游戲”。比如三星當(dāng)年的8nm工藝就跟臺(tái)積電10nm的晶體管密度幾乎相同，而英特爾最近也將他們?cè)镜?b class="flag-6" style="color: red">10nm Enh
2021-10-12 11:16:232425 的3nm工藝還得等到今年下半年才能量產(chǎn)，并且三星稱之前飽受詬病的良率問(wèn)題也已得到解決。 美國(guó)總統(tǒng)近日參觀了三星的全球唯一能夠進(jìn)行3nm工藝量產(chǎn)的晶圓代工廠，三星為了在晶圓代工行業(yè)趕超臺(tái)積電，投入了大量資金進(jìn)行高端制程的研
2022-05-22 16:30:312676 隨著英特爾和amd將新的pc/筆記本電腦和服務(wù)器平臺(tái)更換為ddr4， ddr4的需求開(kāi)始減少。因此，三星大幅減少ddr4的生產(chǎn)，轉(zhuǎn)向ddr5，試圖鞏固業(yè)界第一的位置。
2023-09-15 11:40:331381 三星公司計(jì)劃在下半年再次削減DRAM制程的產(chǎn)能，而今年以來(lái)這一減產(chǎn)主要針對(duì)DDR4。業(yè)界普遍預(yù)期，三星的目標(biāo)是在今年年底之前將庫(kù)存水平降至合理水平。這一減產(chǎn)舉措可能會(huì)導(dǎo)致DDR4市場(chǎng)價(jià)格上漲，而目前
2023-09-15 17:42:081808 新芯片將由三星sf4p（第三代4納米）工藝制作，g3將由第二代sf4工藝制作。另外，xenos 2400處理器也將使用sf4p，預(yù)計(jì)將用于galaxy s24和galaxy s24 +的部分機(jī)器。
2023-10-31 14:25:361349 三星已制定了Mach-1的生產(chǎn)計(jì)劃：預(yù)計(jì)今年下半年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，年底完成芯片交付，明年第一季度推出基于此芯片的推理服務(wù)器。此外，三星已獲得Naver高達(dá)1萬(wàn)億韓元（約合52.8億元人民幣）的預(yù)訂訂單。
2024-05-10 10:45:071441 近日，三星和SK海力士宣布，將于下半年停止生產(chǎn)并供應(yīng)DDR3內(nèi)存，轉(zhuǎn)向利潤(rùn)更高的DDR5內(nèi)存和HBM系列高帶寬內(nèi)存。此舉標(biāo)志著內(nèi)存行業(yè)的一次重要轉(zhuǎn)型。
2024-05-17 10:12:211563 據(jù)報(bào)道，業(yè)內(nèi)人士透露，全球三大DRAM內(nèi)存制造商——三星電子、SK海力士和美光，有望在2025年內(nèi)正式停產(chǎn)已有多年歷史的DDR3和DDR4兩代內(nèi)存。 隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步和消費(fèi)級(jí)平臺(tái)的更新?lián)Q代
2025-02-19 11:11:513468 據(jù)外媒曝料稱三星已量產(chǎn)第四代4nm芯片。報(bào)道中稱三星自從2021年首次量產(chǎn)4nm芯片以來(lái)，每年都在改進(jìn)技術(shù)。三星現(xiàn)在使用的是其最新的第四代4nm工藝節(jié)點(diǎn)（SF4X）進(jìn)行大規(guī)模生產(chǎn)。第四代4nm工藝
2025-03-12 16:07:1713208 給大家?guī)?lái)一些業(yè)界資訊： 三星DDR4內(nèi)存漲價(jià)20%? 存儲(chǔ)器價(jià)格跌勢(shì)結(jié)束，在2025年一季度和第二季度，價(jià)格開(kāi)始企穩(wěn)反彈。 據(jù)TrendForce報(bào)道稱，三星公司DDR4內(nèi)存開(kāi)始漲價(jià)，在本月初三星
2025-05-13 15:20:111206
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論