1月7日消息，三星電子已開始批量生產基于極紫外（EUV）技術的6nm（nm）半導體芯片。該公司自開始大規模生產7nm產品以來，僅在八個月內就推出了6nm產品。三星的微加工工藝技術升級周期正在縮短。特別是，向6nm EUV工藝的過渡有望縮小與***臺積電（TSMC）的差距，臺積電是全球第一大晶圓代工廠。

三星電子去年12月在京畿道華城校區S3線開始批量生產基于EUV技術的6nm產品。三星合作伙伴公司的一位人士說：“我知道6nm產品已經交付給北美的大型企業客戶。”半導體行業觀察家認為，三星的6nm產品將提供給全球第二大無晶圓廠公司高通。

此前，三星電子于去年4月向全球客戶提供7nm產品。生產6nm產品僅用了八個月的時間。與7nm產品相比，6nm產品提供了改進的半導體邏輯尺寸，功率和性能。

通過開始批量生產6nm產品，三星電子給臺積電施加了壓力。全球市場研究公司TrendForce表示，去年第四季度，臺積電占全球晶圓代工市場的52.7％，與三星電子的差距擴大到17.8％。

三星電子未能趕超臺積電的主要原因是，這家韓國半導體巨頭在16nm和12nm工藝之后開發7nm工藝的時間很晚。臺積電實際上通過其7nm技術，（最大的無晶圓廠客戶）壟斷了蘋果的AP供應。

相比之下，三星電子在2014年首次將14nm鰭式場效應晶體管（FinFET）工藝商業化，但在7nm工藝開發中卻失去了臺積電的領先優勢。目前，7nm產品在三星銷售中所占的份額很小。為了克服這個問題，三星正在加緊努力以縮短7nm以下亞微米制造工藝的開發周期。

繼大量生產6nm產品之后，三星電子計劃在今年上半年推出5nm產品。此外，三星電子可能會在今年上半年量產3nm產品，這是基于GAA技術的3nm工藝的開發，該工藝克服了半導體的局限性。一些業內人士表示，小型化也處于發展的最后階段。