1月7日消息，三星電子已開(kāi)始批量生產(chǎn)基于極紫外（EUV）技術(shù)的6nm（nm）半導(dǎo)體芯片。該公司自開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)7nm產(chǎn)品以來(lái)，僅在八個(gè)月內(nèi)就推出了6nm產(chǎn)品。三星的微加工工藝技術(shù)升級(jí)周期正在縮短。特別是，向6nm EUV工藝的過(guò)渡有望縮小與***臺(tái)積電（TSMC）的差距，臺(tái)積電是全球第一大晶圓代工廠。

三星電子去年12月在京畿道華城校區(qū)S3線開(kāi)始批量生產(chǎn)基于EUV技術(shù)的6nm產(chǎn)品。三星合作伙伴公司的一位人士說(shuō)：“我知道6nm產(chǎn)品已經(jīng)交付給北美的大型企業(yè)客戶。”半導(dǎo)體行業(yè)觀察家認(rèn)為，三星的6nm產(chǎn)品將提供給全球第二大無(wú)晶圓廠公司高通。

此前，三星電子于去年4月向全球客戶提供7nm產(chǎn)品。生產(chǎn)6nm產(chǎn)品僅用了八個(gè)月的時(shí)間。與7nm產(chǎn)品相比，6nm產(chǎn)品提供了改進(jìn)的半導(dǎo)體邏輯尺寸，功率和性能。

通過(guò)開(kāi)始批量生產(chǎn)6nm產(chǎn)品，三星電子給臺(tái)積電施加了壓力。全球市場(chǎng)研究公司TrendForce表示，去年第四季度，臺(tái)積電占全球晶圓代工市場(chǎng)的52.7％，與三星電子的差距擴(kuò)大到17.8％。

三星電子未能趕超臺(tái)積電的主要原因是，這家韓國(guó)半導(dǎo)體巨頭在16nm和12nm工藝之后開(kāi)發(fā)7nm工藝的時(shí)間很晚。臺(tái)積電實(shí)際上通過(guò)其7nm技術(shù)，（最大的無(wú)晶圓廠客戶）壟斷了蘋(píng)果的AP供應(yīng)。

相比之下，三星電子在2014年首次將14nm鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FinFET）工藝商業(yè)化，但在7nm工藝開(kāi)發(fā)中卻失去了臺(tái)積電的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。目前，7nm產(chǎn)品在三星銷(xiāo)售中所占的份額很小。為了克服這個(gè)問(wèn)題，三星正在加緊努力以縮短7nm以下亞微米制造工藝的開(kāi)發(fā)周期。

繼大量生產(chǎn)6nm產(chǎn)品之后，三星電子計(jì)劃在今年上半年推出5nm產(chǎn)品。此外，三星電子可能會(huì)在今年上半年量產(chǎn)3nm產(chǎn)品，這是基于GAA技術(shù)的3nm工藝的開(kāi)發(fā)，該工藝克服了半導(dǎo)體的局限性。一些業(yè)內(nèi)人士表示，小型化也處于發(fā)展的最后階段。