3月14日消息，三星電子宣布將批量生產(chǎn)全球容量最大的12GB LPDDR4X（低功耗雙倍數(shù)據(jù)速率4X）移動DRAM。 該產(chǎn)品主要針對高階智能手機(jī)內(nèi)存市場應(yīng)用，包括Galaxy Fold
2019-03-15 14:55:39
5834 美光科技（Micron）16日宣布進(jìn)一步推動DRAM產(chǎn)品的革新，其開始采用業(yè)界首個1z nm的工藝節(jié)點(diǎn)批量生產(chǎn)16Gb DDR4內(nèi)存。 與上一代1Y nm相比，該公司將使用1z nm節(jié)點(diǎn)來改善
2019-08-20 10:22:368531 8Gb DDR4生產(chǎn)率提高20%以上，下半年量產(chǎn) 據(jù)筆者此前獲悉，在今年3月，三星開始大規(guī)模量產(chǎn)12GB 低功耗雙倍數(shù)率的LPDDR4X后，三星又宣布首次開發(fā)出第三代10nm級1z nm 8Gb雙倍
2019-10-22 10:41:215509 三星電子宣布，將從本月開始在全球率先量產(chǎn)30納米級4Gb(bit) DDR3(Double Data Rate 3) DRAM基板的32GB(byte)內(nèi)存模塊
2011-06-01 08:55:552760 在今年宣布以14nm制程制作Galaxy S6系列機(jī)種使用處理器Exynos 7420之后，三星也計劃將在2016年年底進(jìn)入10nm制程技術(shù)量產(chǎn)新款處理器產(chǎn)品。而另一方面，預(yù)期今年第三季進(jìn)入16nm
2015-05-28 10:23:161272 Samsung 5 日宣佈正式量產(chǎn)全球首款採用 10nm 制程生產(chǎn)的 DDR4 DRAM 顆粒，加快半導(dǎo)體市場邁向更精密的 10nm 制程工藝之路，繼 2014 年首個量產(chǎn) 20nm 制程 DDR3 記憶體顆粒，成為業(yè)界領(lǐng)先。
2016-04-06 09:04:56893 臺積電和三星都將在明年規(guī)模量產(chǎn)10nm新工藝，高通、蘋果、三星、聯(lián)發(fā)科的下一代處理器自然都會蜂擁而上，搶占制高點(diǎn)，據(jù)說第一個將是聯(lián)發(fā)科的新十核Helio X30。
2016-07-15 10:30:591311 今日，三星電子正式宣布已經(jīng)開始大規(guī)模生產(chǎn)基于10nm FinFET技術(shù)的SoC，這是業(yè)界內(nèi)首家提供10nm工藝代工廠商。新工藝下的SoC性能可以提供27%，功耗將降低40%。
2016-10-17 14:07:011208 臺積電和三星電子的制程大戰(zhàn)打得如火如荼，據(jù)傳臺積電7nm制程有望提前在明年底量產(chǎn)，遠(yuǎn)遠(yuǎn)超前對手。三星電子不甘示弱，宣布10nm制程已經(jīng)率先進(jìn)入量產(chǎn)，領(lǐng)先同業(yè)。
2016-10-18 09:48:511079 
據(jù)三星官網(wǎng)新聞，韓國巨頭宣布推出業(yè)界首款8GB LPDDR4 DRAM成片。此次的8GB LPDDR4內(nèi)存芯片采用16Gb顆粒，10nm級（10nm~20nm之間）工藝制造，可實(shí)現(xiàn)與20nm級4GB
2016-10-20 10:55:482245 10月份，三星宣布10nm進(jìn)入量產(chǎn)后，市場上的14nm/16nm產(chǎn)品似乎瞬間黯然無光。三星計劃明年初發(fā)布首款10nm產(chǎn)品，預(yù)計是采用10nm LPE的Exynos 8895。顯然，老對手臺積電和它的客戶不愿被動挨打，最新消息顯示，聯(lián)發(fā)科首顆10nm芯片Helio X30定于年底量產(chǎn)亮相。
2016-11-03 11:22:381276 7月17日上午消息，三星今晨宣布，成功開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款LPDDR5-6400內(nèi)存芯片，基于10nm級(10~20nm)工藝。據(jù)悉，該LPDDR5內(nèi)存芯片單顆容8Gb(1GB)，8GB容量的模組原型也做出并完成功能驗(yàn)證。
2018-07-17 10:15:015236 汽車越來越聰明，就像是裝了 4 個輪子的電腦，對半導(dǎo)體需求不斷提高。韓國兩大存儲器業(yè)者競相卡位，搶占市場先機(jī)。 韓國時報報導(dǎo)，三星電子推出 10 納米制程的車用 16Gb LPDDR4X DRAM
2018-06-03 09:40:441580 此外，三星還計劃在今年下半年批量生產(chǎn)基于第三代10nm 級(1z)工藝技術(shù)的16Gb LPDDR5產(chǎn)品，以配合6400Mb / s 芯片組的開發(fā)。這將有利于三星進(jìn)一步鞏固其在高端移動設(shè)備、高端個人電腦和汽車應(yīng)用程序等市場的競爭優(yōu)勢。
2020-02-25 18:39:173713 三星今日宣布，其位于韓國平澤的第二條生產(chǎn)線已開始量產(chǎn)業(yè)界首款采用極紫外光（EUV）技術(shù)的16Gb LPDDR5移動DRAM。新的16Gb LPDDR5基于三星第三代10nm級(1z)工藝打造，擁有當(dāng)下最高的移動產(chǎn)品內(nèi)置內(nèi)存性能和最大的容量。
2020-08-31 10:24:543513 6月16日，三星電子宣布，6月開始量產(chǎn)其最新的智能手機(jī)內(nèi)存解決方案，即基于LPDDR5和UFS的多芯片封裝uMCP。三星的uMCP集成了最快的LPDDR5?DRAM 和最新的UFS3.1?NAND
2021-06-17 07:08:004659 5-Ultra-Pro DRAM，除了LPDDR5X數(shù)據(jù)傳輸率為12700MT/s之外，它是一款16Gb內(nèi)存，采用該公司第五代10nm級DRAM工藝制造，行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)電壓為1.05V。即便在0.9伏的低電壓環(huán)境下，也能穩(wěn)定
2025-02-28 00:07:006343 4Gb基本相當(dāng)。明年公司將實(shí)現(xiàn)自研LPDDR4X系列產(chǎn)品的量產(chǎn)，并著手規(guī)劃LPDDR5X小容量產(chǎn)品的研發(fā)。 ? 公司利基型DRAM產(chǎn)品今年一季度末價格回暖，下半年利基型DRAM收入有明顯增長。2025年公司利基型DRAM業(yè)務(wù)營收有望超預(yù)期達(dá)成本年初計劃同比增長50%的目標(biāo)，本年下半年利基型
2025-11-26 11:58:365361 LPDDR4、LPDDR3與LPDDR4X分別是什么？LPDDR4與LPDDR3區(qū)別是什么？LPDDR4X與LPDDR4區(qū)別是什么？
2021-06-18 07:59:30
LPDDR4X與LPDDR4的區(qū)別到底在哪里？LPDDR4X在LPDDR4的基礎(chǔ)上有哪些提升？
2021-06-18 09:07:43
手機(jī)參數(shù)為什么都是8GB+128GB？手機(jī)的這些參數(shù)是越大越好嗎？這些數(shù)字代表什么？LPDDR4X是什么？UFS2.1又是什么？LPDDR4X與UFS2.1有什么差別？
2021-06-18 07:54:29
LPDDR5和LPDDR4X有什么區(qū)別？
2021-06-18 07:01:11
似乎遇到了一些問題 。
另一家韓媒《DealSite》當(dāng)?shù)貢r間17日報道稱，自 1z nm 時期開始出現(xiàn)的電容漏電問題正對三星 1c nm DRAM 的開發(fā)量產(chǎn)造成明顯影響。三星試圖通過適當(dāng)放寬線寬等
2025-04-18 10:52:53
三星電子近日在國際學(xué)會“IEDM 2015”上就20nm工藝的DRAM開發(fā)發(fā)表了演講。演講中稱，三星此次試制出了20nm工藝的DRAM，并表示可以“采用同樣的方法，達(dá)到10nm工藝”。 國際電子器件
2015-12-14 13:45:01
隨著技術(shù)的發(fā)展，宏旺半導(dǎo)體ICMAX LPDDR4X 8GB已經(jīng)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，走在行業(yè)前端，現(xiàn)在部分高端旗艦手機(jī)已經(jīng)使用了LPDDR4X，我們可以將LPDDR4X理解為LPDDR5之前的一個過渡技術(shù)
2019-07-04 14:24:29
以些許性能優(yōu)勢擊敗三星，并使其16nm工藝于隔年獨(dú)拿了Apple的A10處理器(iPhone 7)訂單。2017年，三星卷土重來，自主設(shè)計了10nm技術(shù)工藝的Exynos8895(名稱源于希臘單詞
2018-06-14 14:25:19
Windows 10 IoT2. 三星/KLMAG2GEUF-B04P/16GB eMMC5.1 成功運(yùn)行Windows 10 IoT。3、以上兩臺三星eMMC燒錄ubuntu系統(tǒng)運(yùn)行正常，但在運(yùn)行Wingdows 10 IoT時有區(qū)別。4.圖為操作失敗與成功對比。
2023-03-17 09:03:23
開始生產(chǎn)。此舉也創(chuàng)下二次擊敗勁敵三星、獨(dú)吃蘋果處理器大單的新記錄，2017年?duì)I收持續(xù)增長基本沒什么問題。剛剛失去蘋果訂單的三星，日前宣布Note6將用上基于10nm工藝的6GB LPDDR4內(nèi)存，并將于今年下半年上市。這樣一來，臺積電和三星以及蘋果的性能之爭，就轉(zhuǎn)移到Note 6和iPhone 7身上。`
2016-07-21 17:07:54
`日前，三星宣布已開始批量生產(chǎn)業(yè)界首款基于12GB LPDDR4X和UFS多芯片封裝的uMCP產(chǎn)品。美光也曾推出了uMCP產(chǎn)品，基于1znm LPDDR4X和UFS多芯片封裝的uMCP4，可提供從
2019-12-25 14:38:44
2019年下半年開始了，新一代旗艦手機(jī)內(nèi)存容量越來越大，6GB只是起步，8GB才算是標(biāo)準(zhǔn)，而除了容量更大、頻率越高之外，手機(jī)內(nèi)存還有趨勢，那就是LPDDR4X類型的內(nèi)存越來越多，與標(biāo)準(zhǔn)的LPDDR4
2019-07-03 11:39:09
三星首家量產(chǎn)40nm級工藝4Gb DDR3綠色內(nèi)存芯片
三星電子宣布，該公司已經(jīng)在業(yè)內(nèi)第一家使用40nm級別工藝批量生產(chǎn)低功耗的4Gb DDR3內(nèi)存芯片。
這種內(nèi)存芯片支
2010-02-26 11:33:421106 關(guān)于新一代LPDDR3移動DRAM技術(shù),三星電子表示,這是繼去年12月在電子行業(yè)首次開發(fā)30納米級4Gb LPDDR2移動DRAM之后，不到九個月又成功開發(fā)出使用30納米級工藝的4Gb LPDDR3移動DRAM技術(shù)的新一代產(chǎn)
2011-09-30 09:30:132597 南韓媒體朝鮮日報、聯(lián)合新聞通訊社（Yonhap News ）日文版18日報導(dǎo)，全球DRAM龍頭廠三星電子于17日宣布，已領(lǐng)先全球于前（4）月開始量產(chǎn)采用20nm制程技術(shù)的低耗電力（LP）DDR2 Mobile DRA
2012-05-19 08:19:501305 日前在深圳召開的2016三星移動解決方案論壇上，這家韓國OEM廠商宣布了最新的6GB LPDDR4內(nèi)存。和現(xiàn)有芯片和6GB內(nèi)存芯片最大的區(qū)別在于使用了最新的10nm制造生產(chǎn)工藝，承諾帶來更快更高效的內(nèi)存。
2016-05-23 15:20:391455 2016年半導(dǎo)體的主流工藝是14/16nm FinFET工藝，主要有Intel、TSMC及三星/GlobalFoundries（格羅方德）三大陣營，下一個節(jié)點(diǎn)是10nm，三方都會在明年量產(chǎn)，不過
2016-05-30 11:53:531179 近日，三星電子宣布已經(jīng)開始采用10nm FinFET工藝量產(chǎn)邏輯芯片，三星也成為了業(yè)內(nèi)首家大規(guī)模采用10納米工藝的廠商。前段時間，韓國《電子時報》報道，高通的下一代旗艦處理器高通驍龍830（或835
2016-10-18 14:06:101450 現(xiàn)在有消息稱，三星的Galaxy S8有可能會采用8GB內(nèi)存和UFS 2.1閃存芯片，而今年的10月份，他們就曾發(fā)布公告稱，基于10nm工藝的首款8GB LPDDR4 DRAM成片。
2016-12-26 10:52:432687 三星是目前唯一宣布量產(chǎn)10nm芯片的代工廠，涉及驍龍835、Exynos 8895等移動SoC。
2017-03-15 08:30:35670 三星今天宣布，繼去年10月率先量產(chǎn)10nm工藝移動芯片后，日前已經(jīng)完成了第二代10nm的質(zhì)量驗(yàn)證工作，即將量產(chǎn)。
2017-04-22 01:08:12883 據(jù)韓媒報道，高通已經(jīng)與三星攜手，合作開發(fā)下一代手機(jī)處理器。繼去年10月份三星率先量產(chǎn)第一代10nm LPE（low-power early）工藝處理器后，日前已經(jīng)完成第二代10nm LPP
2017-04-25 10:39:02938 昨天上午，三星官方發(fā)言，宣稱已經(jīng)成功研制開發(fā)出全球第一個10nm 8-gigabit（Gb）LPDDR5 DRAM，并將在2019年批量生產(chǎn)。眾所周知，三星企業(yè)在批量生產(chǎn)8GB LPDDR4內(nèi)存之后，就已經(jīng)開始著手投入LPDDR5的研究。
2018-07-19 09:47:001824 據(jù)報道，三星第二代10nm級別的1y-nm 8Gb DDR4顆粒已經(jīng)正式投產(chǎn)了，8Gb DDR4顆粒采取了先進(jìn)的專用電路設(shè)計技術(shù)，比初代10nm級別（1x-nm）的高30%，并且高頻內(nèi)存要以3600MHz起步。
2017-12-21 11:42:513481 三星在DRAM市場的霸主再一次的得到了增強(qiáng)。據(jù)報道，三星利用第一代10nm 制程工藝研發(fā)出了8Gb DDR4 芯片，這是目前“全球最小”的 DRAM 芯片。
2017-12-21 13:49:012033 三星被人稱為世界最賺錢的公司之一，三星Q3凈利潤高達(dá)98.7億美元。近日三星又公布了第二代10納米級8Gb DDR4 DRAM芯片的消息，更是讓人羨慕不已。
2017-12-22 15:31:331812 據(jù)韓聯(lián)社北京時間12月20日報道，三星電子今天宣布，已開始量產(chǎn)第二代10納米級制程工藝DRAM內(nèi)存芯片。
2017-12-29 11:15:417019 業(yè)界首款16Gb GDDR6顯存芯片即將投入量產(chǎn)，傳可提供72GB/s的數(shù)據(jù)傳輸率，使用的是10nm級工藝，三星稱功耗會降低35%。
2018-01-19 14:34:371348 三月份首次公開展示之后，三星電子今天宣布，已經(jīng)全球第一個開始量產(chǎn)基于16Gb(2GB) Die顆粒的新一代64GB DDR4 RDIMM內(nèi)存條，主要面向企業(yè)和云服務(wù)應(yīng)用。
2018-06-13 15:09:004819 三星今天正式宣布開始生產(chǎn)16Gb GDDR6顯存，全新的GDDR6顯存將用在高端游戲設(shè)備和顯卡以及汽車，網(wǎng)絡(luò)設(shè)備以及人工智能系統(tǒng)等地方。三星存儲業(yè)務(wù)高級副總裁Jinman Han表示三星將為行業(yè)提供
2018-01-23 11:23:486685 三星 17 日宣布，量產(chǎn)首批 8GB LPDDR5 存儲器顆粒，速率可達(dá) 6，400Mbps，比現(xiàn)有 LPDDR4-4266 存儲器快了 50%，同時功耗降低 30%，三星現(xiàn)在已經(jīng)完成了 8GB
2018-07-18 17:56:004088 作為DRAM芯片的龍頭企業(yè)，三星目前已經(jīng)能量產(chǎn)10nm級、最大容量16Gb的LPDDR4內(nèi)存、GDDR5顯存和DDR4內(nèi)存等。據(jù)報道，三星悄悄啟動了引入EUV（極紫外光）光刻工藝的DRAM內(nèi)存芯片研發(fā)，基于1ynm。
2018-06-25 09:09:001128 三星17日宣布，量產(chǎn)首批8GB LPDDR5存儲器顆粒，速率可達(dá)6,400Mbps，比現(xiàn)有LPDDR4-4266存儲器快了50%，同時功耗降低30%，三星現(xiàn)在已經(jīng)完成了8GB LPDDR5存儲器的測試。
2018-07-20 10:39:445216 根據(jù)報道，三星第二代10nm級別工藝的LPDDR4X內(nèi)存已經(jīng)量產(chǎn)，相比第一代，雖然性能沒有提升，但是功耗再降10％，可使手機(jī)平板等移動設(shè)備更省電。
2018-07-26 16:56:231229 LPDDR5的數(shù)據(jù)傳輸速率將達(dá)到 6400 Mps，大約是現(xiàn)在 iPhone X 上所采用的 LPDDR4X 的 1.5 倍。三星方面表示，LPDDR5 內(nèi)存可以每秒傳輸 51.2G 的數(shù)據(jù)，相當(dāng)于 14 部 3.7G 大的 1080P 高清視頻文件。
2018-07-29 10:28:005226 12月20日，三星宣布已開始量產(chǎn)第二代10nm級8Gb DDR4 DRAM，并持續(xù)擴(kuò)大整體10nm級DRAM的生產(chǎn)，有助于滿足全球不斷飆升的DRAM芯片需求，繼續(xù)加強(qiáng)三星市場競爭力。
2018-07-31 14:55:251102 三星宣布推出基于10nm級（指10~18nm）的DDR4 SO-DIMM內(nèi)存模組，用于高性能筆記本產(chǎn)品。新的內(nèi)存模組容量達(dá)到32GB單條，頻率2666MHz，結(jié)構(gòu)上是由16個16Gb DDR4
2018-08-06 16:38:015722 三星宣布成功開發(fā)業(yè)界首款10nm級8Gb LPDDR5 DRAM。自從2014年8Gb LPDRD4投入量產(chǎn)以來，三星就開始向LPDDR5標(biāo)準(zhǔn)過渡。LPDDR5 DRAM芯片主要應(yīng)用于移動設(shè)備如手機(jī)、平板、二合一電腦等，5G和AI將是其主要應(yīng)用領(lǐng)域。
2018-08-08 15:22:281625 如之前預(yù)告的那樣，在三星開始量產(chǎn)基于第二代 10nm 制程的 8Gb DDR4 RAM 芯片后不久，16Gb 的 GDDR6 內(nèi)存芯片現(xiàn)在也已經(jīng)拍馬趕到了。早些時候官方公布了開始大規(guī)模量產(chǎn)這款零件
2018-08-13 11:16:004093 三星在1月18日宣布開始正式量產(chǎn)業(yè)內(nèi)首款16Gb（2GB）容量的GDDR6顯存芯片。不僅僅在單顆容量上提升了兩倍，在速度上也提升了兩倍。三星方面稱，新的顯存將用在下一代圖形顯卡中，主要面向提供8K
2018-09-06 14:54:561018 三星電子今天宣布，開始量產(chǎn)業(yè)界首款、采用第二代10nm工藝（1y-nm）級別的DRAM芯片。
2018-12-11 09:40:551196 三星電子14日表示，將批量生產(chǎn)史上最大容量的移動式DRAM“12GB LPDDR4X”（Low Power Double Data Rate 4X）。
2019-03-18 16:52:13950 3月21日，三星電子宣布開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級工藝的DRAM內(nèi)存芯片，將服務(wù)于高端應(yīng)用場景，這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過去16個月。
2019-03-21 16:43:083840 ，動態(tài)隨機(jī)存取存儲器）。自開始批量生產(chǎn)第二代10nm級（1y-nm）8Gb DDR4以來僅僅16個月，三星不再使用Extreme Ultra-Violet（EUV）處理的情況下開發(fā)1z-nm 8Gb DDR4，說明三星突破了DRAM的擴(kuò)展極限。
2019-03-21 17:30:542123 三星電子宣布開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級工藝的DRAM內(nèi)存芯片，將服務(wù)于高端應(yīng)用場景，這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過去16個月。
2019-03-24 11:36:164320 關(guān)鍵詞：DRAM , DDR4 三星電子宣布開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級工藝的DRAM內(nèi)存芯片，將服務(wù)于高端應(yīng)用場景，這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過去16個月。量產(chǎn)時間
2019-03-29 07:52:01592 韓國三星官方在18日宣布，量產(chǎn)全球首款12Gb LPDDR5 DRAM。該款DRAM針對未來智能手機(jī)中的5G和AI功能進(jìn)行了優(yōu)化。此外，三星還計劃本月底開始大量生產(chǎn)12Gb的LPDDR5模組，每個
2019-07-18 16:10:563645 據(jù)安兔兔消息，三星宣布量產(chǎn) 12GB LPDDR5 內(nèi)存顆粒，計劃將于本月量產(chǎn) 容量為12GB的LPDDR5內(nèi)存。三星方面稱 LPDDR5 內(nèi)存要比目前的 LPDDR4X 內(nèi)存快 0.3 倍，同時
2019-07-23 17:38:073556 近日，三星官方宣布，公司將量產(chǎn)全球首款12Gb LPDDR5 DRAM。據(jù)了解，三星12Gb LPDDR5 DRAM主要針對未來智能手機(jī)，優(yōu)化其5G和AI功能。
2019-07-31 15:45:473256 日前美光公司宣布量產(chǎn)了1Znm工藝的16Gb DDR4內(nèi)存，這是第三代10nm級內(nèi)存工藝，這次量產(chǎn)也讓美光成為業(yè)界第一個量產(chǎn)1Znm工藝的公司，這一次進(jìn)度比以往的標(biāo)桿三星公司還要快。
2019-08-26 12:43:004364 美光科技股份有限公司推出業(yè)內(nèi)容量最高的單片式 16Gb 低功耗雙倍數(shù)據(jù)率 4X （LPDDR4X） DRAM。美光16Gb LPDDR4X 能夠在單個智能手機(jī)中提供高達(dá) 16GB1 的低功耗 DRAM （LPDRAM），顯示了美光為當(dāng)前和下一代移動設(shè)備提供卓越內(nèi)存容量和性能的前沿地位。
2019-09-10 10:28:005101 三星電子有限公司（Samsung Electronics）在其官網(wǎng)上發(fā)布消息，該公司正式宣布，首次開發(fā)了第三代 10nm 制程工藝（1z-nm）8GB 超高性能和高功效的 DRAM（Dynamic Random Access Memory，動態(tài)隨機(jī)存取存儲器）。
2019-09-27 17:23:291500 10月24日，三星電子宣布，在業(yè)內(nèi)率先開始量產(chǎn)12GB容量、基于UFS的LPDDR4X多芯片內(nèi)存。
2019-11-27 17:20:061305 三星電子今天宣布已經(jīng)開始大規(guī)模生產(chǎn)業(yè)內(nèi)第一個16GB 的 LPDDR5移動 DRAM 封裝，基于三星第二代10nm級工藝技術(shù)，可提供業(yè)界最高的性能和最大的容量，用于下一代高端智能手機(jī)。繼2019年7
2020-02-25 13:48:202465 三星今日宣布，已開始量產(chǎn)單封片16GB容量的LPDDR5內(nèi)存，追上高端筆記本、游戲PC的水準(zhǔn)。
2020-02-25 13:53:423606 
近日三星宣布開始量產(chǎn)單封片16GB容量LPDDR5內(nèi)存，而16GB LPDDR5的內(nèi)存速率可以達(dá)5500Mps，是LPDDR4X-4266的1.3倍，功耗也降低了不少。
2020-02-26 16:52:293372 三星現(xiàn)在已經(jīng)開始在旗艦智能手機(jī)上部署業(yè)界首個16GB LPDDR5內(nèi)存顆粒封裝，新的內(nèi)存顆粒不僅比上一代擁有更高的容量，速率也比上一代LPDDR4X-4266快30%。
2020-02-29 10:22:493177 三星電子已開始批量生產(chǎn)業(yè)界首款用于下一代高級智能手機(jī)的16GB LPDDR5移動DRAM封裝。三星表示，它將領(lǐng)導(dǎo)高端移動存儲市場，并實(shí)現(xiàn)增強(qiáng)的5G和AI功能，包括游戲和智能攝影。
2020-03-01 13:06:333963 根據(jù)外媒WCCFTECH的報道，爆料消息稱英偉達(dá)的下一代GPU架構(gòu)將基于三星10nm制程，而不是之前報道的臺積電7nm工藝，據(jù)稱使用的10nm制程更接近于三星提供的8LPP技術(shù)，另外新的Tegra芯片也將使用相同的制程。
2020-03-12 16:28:463370 三星電子（Samsung Electronics）今天宣布，已經(jīng)出貨100萬業(yè)界首款10nm EUV級（D1x）DDR4 DRAM模組。新的基于EUV的DRAM模塊已經(jīng)完成了全球客戶評估，并將為在高端PC、移動終端、企業(yè)級服務(wù)器等等應(yīng)用領(lǐng)域開啟新大門。
2020-03-25 16:53:572848 韓國三星電子于25日宣布,已經(jīng)成功出貨100 萬個極紫外光刻技術(shù)(EUV)生產(chǎn)的業(yè)界首款10nm級DDR4 DRAM 模組,將為高端PC、移動設(shè)備、企業(yè)服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心應(yīng)用等提供更先進(jìn)EUV制程技術(shù)產(chǎn)品,開啟新里程碑。
2020-03-29 14:39:282880 
EUV，依靠現(xiàn)有的DUV（深紫外光刻）是玩不轉(zhuǎn)的。 有意思的是，三星最近竟然將EUV與相對上古的10nm工藝結(jié)合，用于量產(chǎn)旗下首批16Gb容量的LPDDR5內(nèi)存芯片。 據(jù)悉，三星的新一代內(nèi)存芯片是基于第三代10nm級（1z）工藝打造，請注意16Gb容量的后綴，是Gb而不是GB，16Gb對應(yīng)的其實(shí)是
2020-09-01 14:00:293544 三星宣布量產(chǎn)業(yè)內(nèi)首款12Gb LPDDR5，距離12Gb LPDDR4X量產(chǎn)僅僅5個月的時間，三星將晚些時候開始大規(guī)模生產(chǎn)基于8個12Gb芯片封裝的12GB LPDDR5產(chǎn)品，2020年開發(fā)16Gb LPDDR5，以鞏固其在全球DRAM市場的競爭優(yōu)勢。
2020-07-30 11:28:481789 近日，據(jù)外媒報道，三星電子平澤工廠的第二生產(chǎn)線正式開工，首發(fā)量產(chǎn)的產(chǎn)品是采用極紫外光刻技術(shù)制造的16Gb?LPDDR5移動DRAM芯片。
2020-09-18 14:08:052594 （nm）級工藝技術(shù)打造的16Gb DDR5 DRAM，并與AMD一起完成了兼容性方面的產(chǎn)品評估。? “ ?三星電子高級副總裁兼DRAM產(chǎn)品與技術(shù)負(fù)責(zé)人Jooyoung?Lee表示： 三星12nm級
2022-12-21 11:08:291205 款采用12納米（nm）級工藝技術(shù)打造的16 Gb DDR5 DRAM，并與AMD一起完成了兼容性方面的產(chǎn)品評估。 三星電子首款12納米級DDR5 DRAM 三星電子高級副總裁兼DRAM產(chǎn)品與技術(shù)負(fù)責(zé)人
2022-12-21 21:19:541342 
的內(nèi)存速度和更低的功耗。 LPDDR4和LPDDR4X的主要區(qū)別在于功耗上的優(yōu)化。 LPDDR4內(nèi)存 LPDDR4內(nèi)存是一種第四代低功耗DDR內(nèi)存，是DDR4和DDR3的改進(jìn)版本。該內(nèi)存的最大優(yōu)點(diǎn)是速度
2023-08-21 17:16:4412273 lpddr4x過時了嗎？lpddr4x顯卡怎么樣？電腦LPDDR4X夠用嗎？? LPDDR4X是低功耗雙數(shù)據(jù)速率第四代SDRAM的一種版本，主要用于低功耗移動設(shè)備。它在功耗、性能和尺寸上，都有了很大
2023-08-21 17:16:468082 能力的優(yōu)化，同時也為設(shè)備提供了更好的性能。雖然這兩種方法很相似，但它們之間還存在一些區(qū)別。下面將詳細(xì)討論LPDDR4X和LPDDR5之間的區(qū)別，以及它們?nèi)绾斡绊懺O(shè)備的性能和使用情況。 1. 存儲速度和容量 LPDDR4X的最大存儲容量為16GB，而LPDDR5的最大容量為32GB。這意味著使
2023-08-21 17:28:278802 LPDDR4X和LPDDR5（低功耗DDR4和DDR5）都是移動設(shè)備和嵌入式設(shè)備中最流行的內(nèi)存技術(shù)。它們被廣泛應(yīng)用于智能手
2023-08-21 17:28:2934839 已保留有6位SDR空間。最后，它占用的片上空間更少，單個封裝最多可以包含12GB的DRAM。不利的一面是，LPDDR4X不能與LPDDR4向后兼容。即使設(shè)備與更快的LPDDR4內(nèi)存兼容，它也可能不適用于LPDDR4X。
2023-09-19 11:09:3624151 
三星將從明年開始批量生產(chǎn)LPDDR5T DRAM芯片。三星電子副總裁Ha-Ryong Yoon最近在投資者論壇上介紹了公司狀況和今后計劃等。當(dāng)投資者詢問三星今后將開發(fā)的技術(shù)時，管理人員公開了有關(guān)LPDDR5T DRAM的信息。
2023-12-01 09:45:161330 值得注意的是，此前市場上其他品牌的LPDDR5X DRAM內(nèi)存最高速度僅為9.6Gbps。三星表示，新款10.7Gbps LPDDR5X內(nèi)存采用12納米級制程工藝，相較前代產(chǎn)品性能提升超過25%，容量增加30%。
2024-04-17 16:29:161383 據(jù)報道，三星Galaxy S24 Ultra已現(xiàn)身市場，其存儲版本分別有256GB、512GB及1TB三款，但內(nèi)存皆為12GB。然而，最新傳聞稱三星將于明年推出的Galaxy S25 Ultra或?qū)?nèi)存提升至16GB。
2024-05-10 14:25:371353 深圳2024年8月6日?/美通社/ -- 2024年8月6日，三星電子今日宣布其業(yè)內(nèi)最薄的12納米(nm)級LPDDR5X DRAM（內(nèi)存）開始量產(chǎn)，支持12GB和16GB容量。這將進(jìn)一步鞏固三星在
2024-08-06 08:32:461003 三星電子于6日正式宣布，其已成功實(shí)現(xiàn)業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的12納米級低功耗雙倍數(shù)據(jù)速率動態(tài)隨機(jī)存儲器（LPDDR5X DRAM）的量產(chǎn)，這款存儲器以驚人的0.65毫米封裝厚度引領(lǐng)行業(yè)，同時提供12GB及16GB的存儲容量選項(xiàng)。
2024-08-06 15:30:421414 三星電子近日宣布了一項(xiàng)重要進(jìn)展，其專為高級車載信息娛樂系統(tǒng)(IVI)及高級駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)設(shè)計的LPDDR4X車載內(nèi)存已成功通過高通最新驍龍數(shù)字底盤平臺的嚴(yán)格驗(yàn)證。這一成就不僅標(biāo)志著三星在汽車電子領(lǐng)域的技術(shù)實(shí)力獲得行業(yè)巨頭認(rèn)可，也為未來智能汽車的發(fā)展注入了新的動力。
2024-08-27 16:02:561054
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