三星已將下一代嵌入式半導體存儲器產品MRAM納入生產制造范疇，并在韓國器興廠區率先進入大規模生產。MRAM號稱是“次世代記憶體”，是繼半導體存儲器DRAM和NAND Flash之后又一劃時代的創新存儲器。

由于DRAM和NAND Flash微制成工藝已近乎接近極限，存儲晶圓廠亟需另辟蹊徑，尋求技術創新迭代，MRAM（磁電阻式隨機存取記憶體）、PRAM(相變化記憶體）和RRAM（電阻式動態隨機存取記憶體）三大存儲記憶體的出現滿足終端市場需求。

就筆者得知，目前三星和臺積電主攻MRAM記憶體芯片，同時后者兼具RRAM的創新研發，英特爾（Intel）基于3D XPoint技術發力MRAM和PRAM記憶體芯片。

我們再看下三星，據其表示，該公司的MRAM采用28nm制程工藝，并基于FD-SOI的技術集成沖壓處理，目前已經開始批量生產嵌入式磁性隨機存取內存eMRAM。該公司計劃年內開始生產1千兆位(Gb）eMRAM測試芯片，繼續擴展其嵌入式存儲器解決方案。

對于FD-SOI工藝，半導體業界同行應該并不陌生，在全球半導體晶圓市場上，三星、NXP、ST、Cadence等已經各自在FD-SOI技術領域的產品布局。

那么，為什么三星對MRAM記憶體芯片情有獨鐘？

因為，內置MRAM結合了DRAM和NAND閃存的特性，具備高性能、低功耗和處理速度更快等優勢，并具有成本競爭優勢，可替換內置小型電子產品，如物聯網（IoT）設備上網使用的NAND閃存。此外，內置MRAM記憶體芯片比現有的嵌入式NAND閃存具有更快的數據處理能力。

另外據悉，英特爾的MRAM也已經開始投產，采用22nm制成工藝，相關參數如下表：

結論：隨著次世代記憶體芯片MRAM、PRAM和RRAM開始布局市場，32層、64層等的NAND Flash閃存短期影響不大。不過，如未來次世代記憶體技術步入成熟期，并進入利基市場，其他競品的空間或將會受限。