據businessKorea報道，三星電子已開始批量生產基于極紫外（EUV）技術的6納米芯片。

三星于去年4月向全球客戶提供7納米產品，自開始大規模生產7納米產品以來，三星僅在八個月內就推出了6納米產品。三星的微加工工藝技術升級周期正在縮短，特別是向6納米EUV工藝的過渡有望縮小與全球第一大晶圓代工廠臺積電（TSMC）的差距。

據介紹，三星電子去年12月在京畿道華城校區S3線開始批量生產基于EUV技術的6納米芯片。三星合作伙伴公司的一位官員說：“據我所知，6納米產品已經交付給北美的大型企業客戶。”行業專家認為，三星的6納米產品將提供給高通公司。

三星希望通過開始批量生產6納米產品給臺積電施加壓力。全球市場研究公司TrendForce表示，去年第四季度，臺積電的市場份額占全球晶圓代工市場的52.7％，與三星的差距擴大到17.8％。

三星未能趕超臺積電的主要原因是三星在16納米和12納米工藝之后開發7納米工藝的時間很晚。臺積電通過其7納米技術，壟斷了蘋果（最大的無晶圓廠客戶）的AP供應。

此前，三星電子在2014年首次將14納米鰭式場效應晶體管（FinFET）工藝商業化，但在7納米工藝開發中卻失去了領先臺積電的優勢。目前，7納米產品在三星銷售中所占的份額很小。為了克服這個問題，三星正在加緊努力以縮短 7nm以下微加工工藝的開發周期。

繼大量生產6納米產品之后，三星電子計劃在今年上半年推出5納米產品。此外，三星電子有在今年上半年采用正在研發中的最新3納米全柵極（GAA）工藝技術來制造尖端芯片的計劃。GAA被認為是當前FinFET技術的升級版，能確保芯片制造商進一步縮小芯片體積。