意法半導體宣布，其28納米FD-SOI技術(shù)平臺在測試中取得又一項重大階段性成功:其應用處理器引擎芯片工作頻率達到3GHz，在指定的工作頻率下新產(chǎn)品能效高于其它現(xiàn)有技術(shù)。
2013-03-13 09:40:24
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意法半導體獨有的FD-SOI技術(shù)配備嵌入式存儲器，有望突破更高性能，以實現(xiàn)更低工作功耗和更低待機功耗。
2013-11-09 08:54:091663 近日Global Foundries(以下簡稱GF)宣布其14nm FinFET和22nm FD-SOI工藝都取得了突破，成功量產(chǎn)，這似乎為半導體代工廠GF近數(shù)年的頹勢帶來一股希望，不過在筆者看來，GF未必能就此扭轉(zhuǎn)命運，不過是GF與那些半導體廠商豪門恩怨的延續(xù)。
2015-07-25 22:16:208213 半導體晶圓代工公司格羅方德（Globalfoundries）日前開發(fā)出支援4種技術(shù)制程的22nm FD-SOI平臺，以滿足新一代物聯(lián)網(wǎng)（IoT）裝置的超低功耗要求——這主要來自于該公司與意法半導體
2015-10-08 08:29:221285 耗盡型絕緣上覆矽（FD-SOI）制程技術(shù)正從原本的“遲到”（too-late）位置搖身一變，成為可望在物聯(lián)網(wǎng)（IoT）與汽車市場取代鰭式場效電晶體（FinFET）的理想替代方案了。對于許多人來說，業(yè)界主導廠商代表出席一場相關(guān)領(lǐng)域的業(yè)界活動，象征著為這項技術(shù)背書。
2016-04-18 10:16:033433 
芯片制造的重點永遠是成本。從28nm HKMG工藝轉(zhuǎn)換到14nm FinFET工藝，將會增加50%的成本，這個代價值得嗎？雖然FinFET能實現(xiàn)令人印象深刻的性能數(shù)據(jù)。
2016-05-11 09:33:191777 
Globalfoundries技術(shù)長Gary Patton透露，其22FDX全空乏絕緣上覆矽（FD-SOI）制程技術(shù)可望今年稍晚上市，而目前該公司正在開發(fā)后續(xù)制程。
2016-05-27 11:17:321545 Samsung Foundry行銷暨業(yè)務開發(fā)負責人Kelvin Low在接受EE Times歐洲版訪問時表示，該公司的技術(shù)藍圖顯示，28納米FD-SOI嵌入式非揮發(fā)性記憶體將分兩階段發(fā)展，首先是在
2016-07-28 08:50:141435 獲得英 特爾（Intel）、三星、臺積電（TSMC）等大廠采用的FinFET制程，號稱能提供最高性能與最低功耗；但Jones指出，在約當14納米節(jié) 點，FD-SOI每邏輯閘成本能比FinFET低16.8%，此外其設計成本也低25%左右，并降低了需要重新設計的風險。
2016-09-14 11:39:022462 
晶體管（FinFET）制程技術(shù)外，也投入全耗盡型絕緣層上覆硅（FD-SOI）市場，并推出22納米及12納米FDX制程平臺，搶攻物聯(lián)網(wǎng)商機。
2016-11-17 14:23:221271 22納米 FD-SOI (22FDX)平臺的可微縮嵌入式磁性隨機存儲器（eMRAM）技術(shù)。作為業(yè)界最先進的嵌入式內(nèi)存解決方案，格芯22FDX eMRAM，為消費領(lǐng)域、工業(yè)控制器、數(shù)據(jù)中心、物聯(lián)網(wǎng)及汽車等廣泛應用提供優(yōu)越的性能和卓越可靠性。 正如近期在美國所展示的，格芯22FDX eMRAM具有業(yè)界領(lǐng)先的存儲
2017-09-25 17:21:098685 5G時代將對半導體的移動性與對物聯(lián)網(wǎng)時代的適應性有著越來越高的要求。此時，FD-SOI與RF-SOI技術(shù)的優(yōu)勢日漸凸顯，人們對SOI技術(shù)的關(guān)注也與日俱增。
2017-09-29 11:22:5713150 格芯Fab1廠總經(jīng)理兼高級副總裁Thomas Morgenstern表示，FD-SOI（全耗盡平面晶體管）工藝將是格芯當前戰(zhàn)略中心與創(chuàng)新的源泉。
2018-09-20 09:30:1910317 萊迪思半導體位居全球FPGA廠商第三，雖然與前兩大公司賽靈思和英特爾（收購Altera）的營收有所差距，但作為以低功耗、小型化著稱的FPGA廠商在消費類電子、工業(yè)等領(lǐng)域取得了成功。近年，其策略發(fā)生了重要的變化，推出了轉(zhuǎn)型之作。
2019-12-16 11:24:332235 絕緣體上硅(FD-SOI)技術(shù)開發(fā)10納米低功耗工藝技術(shù)模塊，該技術(shù)未來將進一步向7納米拓展，這也是浸沒式DUV光刻技術(shù)的極限。該機構(gòu)透露，FD-SOI新一代工藝將與18、22和28nm的現(xiàn)有設計兼容，并且還將包括嵌入式非易失性存儲器(eNVM)工藝。該項目由法國政府獨立于《歐盟芯片法案》提供資金。
2023-07-20 10:54:19666 半導體領(lǐng)域的頂尖專家、企業(yè)高管及學術(shù)代表，圍繞
FD-SOI （全耗盡絕緣體上硅）
工藝的技術(shù)優(yōu)勢、發(fā)展趨勢、設計實現(xiàn)等核心議題展開深入探討，為推動
FD-SOI 技術(shù)在邊緣 AI 、智能物聯(lián)網(wǎng)、汽車電子等領(lǐng)域的創(chuàng)新應用搭建了高效交流平臺。 電子發(fā)燒友網(wǎng)今年繼續(xù)在現(xiàn)場為大家?guī)?/div>
2025-09-25 14:11:367748 
第十屆上海 FD-SOI 論壇 ? 2025 年 9 月 15 日 下午的專題二環(huán)節(jié) ， 繼續(xù) 聚焦 FD-SOI 的設計實現(xiàn)， 來自多家全球半導體領(lǐng)導公司的 專家 、 國內(nèi)大學 學者和企業(yè)代表
2025-09-25 17:41:258710 
32位量子虛擬機有什么功能？32位量子虛擬機是如何助力量子編程快速實現(xiàn)的？
2021-06-17 10:42:13
，隨著RF開關(guān)變得越來越復雜，這兩種工藝變得太貴了。RF SOI不同于完全耗盡的SOI（FD-SOI），適用于數(shù)字應用。與FD-SOI類似，RF SOI在襯底中具有很薄的絕緣層，能夠?qū)崿F(xiàn)高擊穿電壓和低
2017-07-13 08:50:15
個掩模，而某些基板CMOS則需要多達50個掩模。FD-SOI縮減制造工序15%，縮短交貨期10%，這兩大優(yōu)點可大幅降低成本。此外，采用FD-SOI工藝制造的芯片在功耗上可以大幅降低，還可以縮小面積節(jié)約
2016-04-15 19:59:26
工藝節(jié)點中設計，但是 FD-SOI 技術(shù)提供最低的功率，同時可以承受輻射效應。與體 CMOS 工藝相比，28 納米 FD-SOI 芯片的功耗將降低 70%。射頻數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器需要同時具有高帶寬和低功耗，以
2023-02-07 14:11:25
，隨著RF開關(guān)變得越來越復雜，這兩種工藝變得太貴了。RF SOI不同于完全耗盡的SOI（FD-SOI），適用于數(shù)字應用。與FD-SOI類似，RF SOI在襯底中具有很薄的絕緣層，能夠?qū)崿F(xiàn)高擊穿電壓和低
2017-07-13 09:14:06
開發(fā)的 CMP 工藝，我們平面化了沉積在 SOI 波導電路上的 BCB 層，并成功地將 III-V 芯片粘合到這種平面化的 SOI 波導上。接合后BCB層的總厚度為200nm，而接合層本身的厚度為
2021-07-08 13:14:11
量產(chǎn)中利用意法半導體的FD-SOI技術(shù)。也是在這一年，三星成功生產(chǎn)了8Mb eMRAM，并利用28nmFDS，在2019年成功量產(chǎn)首款商用eMRAM。 據(jù)三星介紹，利用其28nmFDS工藝技術(shù)制作
2023-03-21 15:03:00
基于FD-SOI的FPGA芯片有哪些技術(shù)優(yōu)勢？基于FD-SOI的FPGA芯片有哪些主要應用？
2021-06-26 07:14:03
如何開始著手學習或者說有哪些相關(guān)的書籍
2017-08-01 16:30:30
尊敬的先生/女士，您能否提供步驟和可能的圖表，以便在ADS仿真中獲得N-MOS FD-SOI晶體管的C-V曲線？提前謝謝Gadora 以上來自于谷歌翻譯 以下為原文Dear Sir/Madam
2018-11-15 16:42:08
SOI 和體硅集成電路工藝平臺互補問題的探討上海鐳芯電子有限公司鮑榮生摘要本文討論的SOI（Silicon On Insulator）是BESOI(Bonding and Etch back SOI)，由于在SOI 材料上制造的集成電
2009-12-14 11:35:16
10 22nm以后的晶體管技術(shù)領(lǐng)域，靠現(xiàn)行Bulk MOSFET的微細化會越來越困難的，為此，人們關(guān)注的是平面型FD-SOI（完全空乏型SOI）元件與基于立體通道的FinFET。由于這些技術(shù)都不需要向通
2010-06-23 08:01:42888 22nm以后的晶體管技術(shù)領(lǐng)域，靠現(xiàn)行BulkMOSFET的微細化會越來越困難的，為此，人們關(guān)注的是平面型FD-SOI（完全空乏型SOI）元件與基于立體通道的FinFET。
2011-01-18 17:53:421852 IBM、ARM同一批半導體生產(chǎn)商正在進行一項關(guān)于小功率SOI芯片組的研究計劃，打算將采用體硅制成的CMOS設計轉(zhuǎn)換成全耗盡型FD-SOI裝配。
2011-11-15 08:56:56658 意法半導體（ST）、Soitec與CMP（Circuits Multi Projets）攜手宣佈，大專院校、研究實驗室和設計公司將可透過CMP的硅中介服務採用意法半導體的CMOS 28奈米FD-SOI （Fully Depleted Silicon-on-Insulator，
2012-10-25 09:42:501589 日前，意法半導體（ST）宣布位于法國Crolles的12寸（300mm）晶圓廠即將擁有28奈米 FD-SOI技術(shù)，這證明了意法半導體以28奈米技術(shù)節(jié)點提供平面完全空乏型（planar fully-depleted）技術(shù)的能力。
2012-12-14 08:45:271206 意法半導體（ST）宣布意法半導體完全空乏型矽絕緣層金氧半電晶體元件（FD-SOI）技術(shù)榮獲2013年度電子成就獎（ACE）能源技術(shù)獎。根據(jù)客戶的節(jié)能與性能權(quán)衡策略，FD-SOI芯片本身可節(jié)約20%至50%的能耗，使終端設備可更快散熱，并實現(xiàn)更長的使用壽命。
2013-05-10 09:06:431211 28納米以后邏輯工藝開始分岔：立體工藝FinFET由于獲得英特爾與臺積電的主推成為主流，14/16納米都已量產(chǎn)，10納米工藝也有可能在2017年量產(chǎn)；體硅工藝停止在28納米，想增加集成度而又對FinFET開發(fā)成本望而卻步的半導體公司另辟蹊徑。
2016-11-04 19:12:111160 
AMD剝離出來的代工廠GlobalFoundries(經(jīng)常被戲稱為AMD女友)近日迎來好消息，上海復旦微電子已經(jīng)下單采納其22nm FD-SOI工藝(22FDX)。
2017-07-11 08:56:221284 據(jù)報道,意法半導體公司決定選擇格芯22FDX?用來提升其FD-SOI平臺和技術(shù)領(lǐng)導力，格芯FDX技術(shù)將賦能ST為新一代消費者和工業(yè)應用提供高性能、低功耗的產(chǎn)品。
2018-01-10 16:04:426591 集微網(wǎng)消息，格羅方德（GlobalFoundries）于 10 日宣布，全球半導體供應商意法半導體（ST）選擇采用格羅方德 22 納米 FD-SOI（22FDX）制程技術(shù)平臺，以支持用于工業(yè)及消費性
2018-01-10 20:44:021155 GlobalFoundries的FD-SOI技術(shù)已經(jīng)略有成效，近日傳來消息，又迎來意法半導體（ST）的大單進補，在第二代FD-SOI技術(shù)解決方案領(lǐng)域吧徹底取代三星。
2018-01-15 14:16:031813 在工藝節(jié)點進展方面，三星電子晶圓代工業(yè)務執(zhí)行副總裁兼總經(jīng)理 ES Jung表示，三星晶圓代工業(yè)務發(fā)展路線將包括FinFET和FD-SOI兩個方向，FD-SOI平臺路線如下圖。目前FD-SOI工藝主要
2018-04-10 17:30:002144 ST表示，與傳統(tǒng)的塊狀硅技術(shù)相較，FD-SOI能提供更好的晶體管靜電特性，而埋入氧化層能降低源極(source)與汲極(drain)之間的寄生電容；此外該技術(shù)能有效限制源極與汲極之間的電子流
2018-03-10 01:25:001097 物聯(lián)網(wǎng)FD-SOI制程 若要說2018以及未來五年最受矚目的半導體制程技術(shù)，除了即將量產(chǎn)的7奈米FinFET尖端制程，以及預計將全面導入極紫外光(EUV)微影技術(shù)的5奈米制程節(jié)點，各家晶圓代工
2018-03-15 10:54:002872 晶圓代工廠格芯日前宣布其22納米全耗盡型絕緣上覆硅(FD-SOI)制程技術(shù)取得了36項設計訂單，其中有超過十幾項設計將會在今年出樣(tape-out)。另一方面，其競爭對手三星則預計今年將采用其28nm FD-SOI制程出樣20余款芯片。
2018-05-02 16:16:135272 格羅方德半導體今日發(fā)布了全新的12nm FD-SOI半導體工藝平臺12FDXTM，實現(xiàn)了業(yè)內(nèi)首個多節(jié)點FD-SOI路線圖，從而延續(xù)了其領(lǐng)先地位。新一代12FDXTM平臺建立在其22FDXTM平臺的成功基礎之上，專為未來的移動計算、5G連接、人工智能、無人駕駛汽車等各類應用智能系統(tǒng)而設計。
2018-05-14 15:54:003070 
加利福尼亞州圣克拉拉，2018年5月23日——格芯宣布，其22nm FD-SOI (22FDX?)技術(shù)平臺已通過AEC-Q100(2級)認證，準備投入量產(chǎn)。作為業(yè)內(nèi)符合汽車標準的先進FD-SOI
2018-05-25 11:20:001951 生產(chǎn)FD-SOI工藝的公司有ST Micro（其正在將此工藝用作28納米IDM的生產(chǎn)），三星代工廠（28納米工藝投產(chǎn)中，18納米工藝計劃投產(chǎn)），以及格芯代工廠（22納米工藝投產(chǎn)中，12納米計劃投產(chǎn)）。
2018-08-02 11:35:245500 今天，Globalfoundries（簡稱GF）宣布無限期停止7nm工藝的投資研發(fā)，轉(zhuǎn)而專注現(xiàn)有14/12nm FinFET工藝及22/12nm FD-SOI工藝。
2018-08-31 15:03:013623 日前，格羅方德宣布停止7nm工藝的投資研發(fā)，轉(zhuǎn)而專注現(xiàn)有14/12nm FinFET工藝和22/12nm FD-SOI工藝。
2018-09-03 16:41:425853 三星高管表示2018年晚些時候會推出7nm FinFET EUV工藝，而8nm LPU工藝也會開始風險試產(chǎn)，2019年則會推出5/4nm FinFET EUV工藝，同時開始18nm FD-SOI工藝的風險試產(chǎn)，后者主要面向RF射頻、eMRAM等芯片產(chǎn)品。
2018-09-08 10:03:173810 Soitec與三星晶圓代工廠擴大合作 保障FD-SOI晶圓供應，滿足當下及未來消費品、物聯(lián)網(wǎng)和汽車應用等領(lǐng)域的需求，確保FD-SOI技術(shù)大量供應。
2019-01-22 09:07:00871 隨著FD-SOI技術(shù)在系統(tǒng)芯片(SoC)設備的設計中越發(fā)受到關(guān)注，Soitec的業(yè)務也迎來了蒸蒸日上的發(fā)展，從其最新的財務報表即可見一斑。
2018-12-23 16:45:123407 研發(fā)自適應體偏置(ABB)系列解決方案，提升格芯22nm FD-SOI (22FDX)工藝技術(shù)芯片上系統(tǒng)(SoC)的能效和可靠性，支持5G、物聯(lián)網(wǎng)和汽車等多種高增長應用。 作為合作事宜的一部分
2019-02-24 15:56:01574 三星宣布已經(jīng)開始大規(guī)模生產(chǎn)首款商用EMRAM產(chǎn)品，該產(chǎn)品基于28nm FD-SOI工藝技術(shù)，并計劃在今年擴大高密度新興的非易失存儲器解決方案，包括1Gb EMRAM芯片。
2019-03-09 09:26:581340 據(jù)韓國媒體報道，近日，三星宣布已在一條基于28納米FD-SOI工藝的生產(chǎn)線上，開始大規(guī)模生產(chǎn)和商業(yè)運輸嵌入式MRAM(eMRAM)解決方案。
2019-03-16 10:24:271146 據(jù)報道，近日，三星宣布已在一條基于28納米FD-SOI工藝的生產(chǎn)線上，開始大規(guī)模生產(chǎn)和商業(yè)運輸嵌入式MRAM(eMRAM)解決方案。
2019-03-25 14:42:513762 當MOS器件的特征尺寸不斷縮小至22nm及以下時，提高溝道的摻雜濃度和降低源漏結(jié)深已仍不能很好的改善短溝道效應。在SOI絕緣層上的平面硅技術(shù)基礎上提出FD-SOI晶體管。研究發(fā)現(xiàn)要使FD-SOI有效
2019-04-10 08:00:0013 為求低功耗、高能效及高性價比之元件，市場逐漸開發(fā)出FD-SOI（完全空乏型硅絕緣層金氧半晶體管）結(jié)構(gòu)；而FD-SOI構(gòu)造主要以SOI晶圓為核心，透過傳統(tǒng)Si芯片制程方式，進而以水平式晶體管架構(gòu)，取代線寬較大（16～12nm）之FinFET元件。
2019-05-22 17:22:205089 
日前，格芯與Soitec宣布雙方已簽署多個長期的300 mm SOI芯片長期供應協(xié)議以滿足格芯的客戶對于SOI、RF-SOI、FD-SOI和硅光子技術(shù)平臺日益增長的需求。建立在兩家公司現(xiàn)有的密切關(guān)系上，此份協(xié)議即刻生效，以確保未來數(shù)年的高水平大批量生產(chǎn)。
2019-06-11 16:47:333991 但是隨著物聯(lián)網(wǎng)、人工智能、智能駕駛這樣的新應用對半導體提出了全新的挑戰(zhàn)，而FinFET工藝也遇到了瓶頸，尤其是FinFET的制造、研發(fā)成本越來越高，已經(jīng)遠遠不是一般玩家能夠承受的起的了。
2019-09-05 10:40:384742 針對射頻應用，華虹宏力可提供硅襯底全系列工藝解決方案，包括 RF SOI、與邏輯工藝兼容的RF CMOS、SiGe BiCMOS以及IPD等技術(shù)。多家芯片廠商已在華虹宏力的RF SOI平臺量產(chǎn)。其中，0.2微米射頻SOI工藝設計套件（PDK）專為無線射頻前端優(yōu)化，頗受市場好評。
2019-10-18 08:45:365746 IBS的Handel Jones公布了高級工藝節(jié)點研發(fā)成本，這個估計其實還是比較保守，高級研發(fā)工藝設計研發(fā)成本遠高于這個數(shù)字。
2019-08-06 16:14:293804 事實勝于雄辯，與以往FD-SOI論壇上只以PPT展示FD-SOI優(yōu)勢相比，本次論壇多家公司以已經(jīng)采用FD-SOI工藝的產(chǎn)品說明其優(yōu)勢，其震撼效果難以言傳！
2019-08-06 16:22:454242 長期跟蹤研究半導體工藝和技術(shù)趨勢的IBS CEO Handel Jones發(fā)表演講，并對FD-SOI未來走勢做出預測。
2019-08-06 16:25:004363 在FD-SOI工藝遷移中也發(fā)現(xiàn)一些問題，就是可用的IP短缺，例如流行的高速串口IP等缺失。
2019-08-06 16:13:445032 三星宣布已經(jīng)開始大規(guī)模生產(chǎn)首款商用EMRAM產(chǎn)品，該產(chǎn)品基于28nm FD-SOI工藝技術(shù)，并計劃在今年擴大高密度新興的非易失存儲器解決方案，包括1Gb EMRAM芯片。
2019-09-16 16:18:591577 格芯（GLOBALFOUNDRIES）今日宣布推出基于公司22納米 FD－SOI （22FDX）平臺的可微縮嵌入式磁性隨機存儲器（eMRAM）技術(shù)。作為業(yè)界最先進的嵌入式內(nèi)存解決方案，格芯22FDXeMRAM，為消費領(lǐng)域、工業(yè)控制器、數(shù)據(jù)中心、物聯(lián)網(wǎng)及汽車等廣泛應用提供優(yōu)越的性能和卓越可靠性。
2019-10-21 11:40:161136 FPGA 被稱為“萬能芯片”，是人工智能時代的“紅人”。經(jīng)過十幾年的市場變革，現(xiàn)在很多人關(guān)注 FPGA 更多是看頭部的兩家廠商——英特爾和賽靈思。
2019-12-12 15:29:07929 今年3月份，三星宣布全球第一家商業(yè)化規(guī)模量產(chǎn)eMRAM（嵌入式磁阻內(nèi)存），基于28nm FD-SOI（全耗盡型絕緣層上硅）成熟工藝，內(nèi)存容量8Mb，可廣泛應用于MCU微控制器、IoT物聯(lián)網(wǎng)、AI人工智能領(lǐng)域。
2019-12-27 16:07:534212 AI芯片設計大廠萊迪思半導體（Lattice Semiconductor），基于本身Nexus技術(shù)平臺，發(fā)布全球首顆以FD-SOI組件制作的FPGA（現(xiàn)場可程序化邏輯門數(shù)組）產(chǎn)品。
2020-02-12 22:57:171218 AI芯片設計大廠萊迪思半導體（Lattice Semiconductor），基于本身Nexus技術(shù)平臺，發(fā)布全球首顆以FD-SOI組件制作的FPGA（現(xiàn)場可程序化邏輯門數(shù)組）產(chǎn)品。
2020-02-27 14:54:381080 據(jù)外媒報道稱，GlobalFoundries（格芯）今天宣布已經(jīng)完成了22FDX（22 nm FD-SOI）技術(shù)開發(fā)，而這項技術(shù)用于生產(chǎn)嵌入式磁阻非易失性存儲器（eMRAM）。
2020-02-28 11:24:282970 據(jù)外媒報道稱，美國半導體晶圓代工廠商GlobalFoundries（格芯）宣布已經(jīng)完成了22FDX（22 nm FD-SOI）技術(shù)開發(fā)，而這項技術(shù)用于生產(chǎn)嵌入式磁阻非易失性存儲器（eMRAM）。
2020-03-03 15:57:27725 近日，格芯宣布基于22nm FD-SOI （22FDX）工藝平臺，新型存儲器eMRAM（嵌入式、磁阻型非易失性存儲器）已投入生產(chǎn)。
2020-03-11 10:54:371159 “FD-SOI使用的范圍非常廣，包括智能手機、汽車、物聯(lián)網(wǎng)等。在過去的一年，我們看到FD-SOI的使用量開始騰飛。我們預計在2020年和2021年會出現(xiàn)FD-SOI使用量的騰飛拐點”，Soitec
2020-07-06 17:03:362535 
“FD-SOI使用的范圍非常廣，包括智能手機、汽車、物聯(lián)網(wǎng)等。在過去的一年，我們看到FD-SOI的使用量開始騰飛。我們預計在2020年和2021年會出現(xiàn)FD-SOI使用量的騰飛拐點”，Soitec
2020-07-07 16:04:044287 Lattice基于三星28nm FD-SOI平臺推出了一系列FPGA產(chǎn)品，包括在嵌入式視頻方面應用比較多的CrossLink-NX，重新定義的Certus-NX，去年Q4問世的基于安全的FPGA Mach-NX，以及最新推出的CertusPro-NX，另外明年還會推出基于FD-SOI平臺的兩款新品。
2021-08-14 10:07:446557 Yulong410SE是歐比特公司推出的新- -代嵌入式處理器芯片，芯片聚焦于圖像處理、信號處理和智能控制。Yulong410SE芯片為異構(gòu)多核架構(gòu)(ARM+SPARC)， 采用FD-SOI生產(chǎn)工藝
2022-06-08 15:32:526 如今談起晶圓工藝，大家提及的往往是日趨成熟的Fin-FET，抑或是尚出于完善階段的GAA，臺積電、三星、英特爾……無數(shù)廠商都在為了這兩種工藝前后奔忙，不過卻鮮少有人知曉另一種與Fin-FET齊名的工藝。
2023-07-25 09:43:501273 
于2019年舉行。因特殊原因暫停了三年，2023年主辦方重啟再次主辦，第八屆FD-SOI論壇，邀請到國內(nèi)外幾乎所有FD-SOI生態(tài)內(nèi)的重要企業(yè)專家參與。三年內(nèi)國內(nèi)外的科技環(huán)境發(fā)生了巨大的變化，FD-SOI的產(chǎn)業(yè)格局和技術(shù)又有哪些變化？ ? 半導體工藝在2001年的新工藝技術(shù)的兩條路
2023-11-01 16:39:043350 
，在AI時代下邊緣端設備會出現(xiàn)高速發(fā)展，而FD SOI制造工藝對于AI邊緣芯片市場增長來說非常重要。 ? 圖：IBS CEO Handel Jones在論壇上致詞發(fā)表對全球半導體產(chǎn)業(yè)的預測和看法 到
2023-11-21 17:39:112993 
谷歌 Pixel 6 拆解，FD-SOI首次被用于5G毫米波
2023-12-07 16:15:46939 
本文簡單介紹了兩種常用的SOI晶圓——FD-SOI與PD-SOI。
2024-03-17 10:10:365137 
據(jù)悉，FD-SOI 是一種先進的平面半導體技術(shù)，能夠通過簡化制作流程進行精準的漏電流控制，相較于現(xiàn)有的 40nm EPM 技術(shù)，新工藝大幅度提高了性能指標：能效提升 50%，數(shù)字密度增加三倍有余，并能夠承載更大的片上存儲和更低的噪音系數(shù)。
2024-03-21 14:00:231482 ，以及芯原在FD-SOI提供的解決方案。 ? 全耗盡型絕緣體上硅（FD-SOI）是一種平面工藝技術(shù)，從結(jié)構(gòu)上看， FD-SOI晶體管的靜電特性優(yōu)于傳統(tǒng)體硅技術(shù)。埋氧層可以降低源極和漏極之間的寄生電容，還能有效地抑制電子從源極流向漏極，從而大幅降低導致性能下降的漏
2024-10-23 10:02:421288 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/吳子鵬）2024年10月23日，第九屆上海FD-SOI論壇在浦東香格里拉酒店召開，FD-SOI產(chǎn)業(yè)鏈產(chǎn)業(yè)上下游企業(yè)再次匯聚一堂，其中包括多位行業(yè)重量級嘉賓，比如IBS首席執(zhí)行官
2024-10-23 10:22:161108 
22FDX工藝，在這個工藝上格羅方德取得了值得肯定的成績。 ? 在2024年第九屆上海FD-SOI論壇上，格羅方德亞洲區(qū)總裁兼中國區(qū)主席洪啟財受邀出席，他在題為《解鎖未來：推動 FDX?（FD-SOI）技術(shù)進步》的分享中再一次介紹了格羅方德在FD-SOI技術(shù)方面的布局和路線。
2024-10-23 10:46:001261 
相變存儲器（ePCM）。 ? 在FD-SOI領(lǐng)域，三星已經(jīng)深耕多年，其和意法半導體之間的合作也已經(jīng)持續(xù)多年。早在2014年，意法半導體就曾對外宣布，選擇三星28nm FD-SOI工藝來量產(chǎn)自己的產(chǎn)品
2024-10-23 11:53:05990 
空間。當然，從AIoT這個應用方向也能夠看出，RF IP對于基于FD-SOI工藝打造芯片是至關(guān)重要的。 ? 在第九屆上海FD-SOI論壇上，芯原股份無線IP平臺高級總監(jiān)曾毅分享了主題為《為SoC設計提供基于FD-SOI的IP技術(shù)平臺》的報告，詳細介紹了芯原股份基于FD-SOI的無線
2024-10-23 16:04:441107 
?此次合作將借助意法半導體的28nm FD-SOI商用量產(chǎn)半導體制造工藝，以實現(xiàn)具有成本競爭力的大型量子計算解決方案 ??Quobly和意法半導體計劃第一代商用產(chǎn)品將于2027年上市，產(chǎn)品市場定位
2024-12-19 10:17:281151 
下一代帶有ePCM的汽車微控制器，由三星采用聯(lián)合開發(fā)的18nm FD-SOI工藝結(jié)合意法半導體的ePCM技術(shù)制造。 ST專門
2025-01-21 10:27:131124 
芯原股份今日發(fā)布其無線IP平臺，旨在幫助客戶快速開發(fā)高能效、高集成度的芯片，廣泛應用于物聯(lián)網(wǎng)和消費電子領(lǐng)域。該平臺基于格羅方德（GF）22FDX?（22納米FD-SOI）工藝，支持短程、中程及遠程
2025-09-25 10:52:23421 為期兩天的第十屆上海FD-SOI論壇上周圓滿落幕。作為半導體行業(yè)年度技術(shù)盛會，本次論壇匯聚了全球半導體領(lǐng)域的頂尖專家、企業(yè)高管及學術(shù)代表，圍繞 FD-SOI工藝的技術(shù)優(yōu)勢、發(fā)展趨勢、設計實現(xiàn)等核心
2025-10-10 14:46:25584 、晶圓廠、IDM、芯片設計公司和系統(tǒng)廠商等FD-SOI產(chǎn)業(yè)鏈的海內(nèi)外重要嘉賓齊聚一堂，共同探討FD-SOI技術(shù)成果與應用前景。
2025-10-13 16:45:401030 
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