近日，臺聯電和格羅方德相繼宣布退出FinFET高級工藝研發，這兩家排名全球第二第三的晶圓代工廠退出FinFET高級工藝研發，主要是因為這種高級工藝不僅晶圓廠需要投入巨資升級設備，在IC公司端需要投入巨資研發高級工藝，以目前已經量產的麒麟980為例，據華為透露，7nm工藝研發成本遠超過3億美元，所以未來能跟進高級工藝的IC設計公司一定有限，與其大家打破頭花巨資搶僅有的幾個客戶不如發展自己的特色工藝和服務，因此聯電和GF停止FinFET高級工藝研發是明智之舉。

IBS的Handel Jones公布了高級工藝節點研發成本，這個估計其實還是比較保守，高級研發工藝設計研發成本遠高于這個數字。

拋棄FinFET高級工藝的格羅方德其實在FD-SOI工藝方面收獲頗豐，在近日召開的GTC（Global Technology Conference）2018大會上，GF公布了該公司在工藝技術上的路線圖及計劃，從它公布的數據看，12nm以下的高級工藝在整個代工市場上并不占多數，12nm以上的市場今年依然有560億美元的空間，2020年還會增長到650億美元。

在工藝方面，GF除了會堅持現有的14/12nm FinFET工藝，未來的重點則是FD-SOI工藝，GF目前量產的就是22nm FD-SOI工藝，簡稱22FDX，未來還會有12FDX工藝。

在這次論壇上，GF德累斯頓Fab1執行副總裁兼總經理Thomas Morgenstern給汽車電子業者帶來了更振奮的消息，他指出格羅方德的FDX平臺目前可支持包括Arm、RISC-V等處理器IP，《6GHz的無線互聯，包括藍牙、WiFi、ZigBee等以及蜂窩通信在內的多種產品開發，而汽車電子方面，GF更有驚喜大禮包！

Morgenstern透露格羅方德重點打造車用芯片制造能力，德累斯頓的Fab 1在2今年年1季度已經通過了車規級驗證，22FDX完全滿足AEC Q-100的標準。2018年3季度汽車級產品已經tape out，目前Arbe Robotics已經采用了GF 22FDX開發業界首款L4及L5級別的高分辨率實時成像雷達技術。

orgenstern也用數據再次用數據證明了FD-SOI工藝在低功耗和射頻上的優勢，例如FDX平臺邏輯單元電壓可降低至0.4V，Memory的待機功耗為1pA/cell，保持電壓就可以降低到0.28V。在射頻方面，FD-SOI擅長包括RF/LDMOS，毫米波，模擬應用（大于400GHz）的應用！而且FD-SOI獨有的體偏置可以實現更好的電源效率。還有，FD-SOI中eMRAM的應用也可以實現極低功耗的嵌入式存儲。

這是他公布的一些對比數據，顯示22FDX平臺和12FDX性能比28體硅工藝以及FinFET工藝都有優勢，例如12FDX的性能指標超過了10nm FinFET工藝直逼7nm FinFET工藝！ 而且FDX的掩膜數量要比10LPP少40%！這都是節省下來的成本哦！關鍵FD-SOI工藝良率還很高！這是公布的幾個產品的良率！都95%以上！

Morgenstern表示通過調查數據顯示兩年來，對FD-SOI感興趣的公司越來越多，尤其在射頻相關應用中，客戶越來越接受FD-SOI所帶來的好處。

GF公司的22FDX工藝已經獲得了客戶的認可，早前GF就公告稱已經獲得了超過20億美元的訂單，涉及IoT、工業、汽車電子、網絡、加密貨幣、移動、數模等等多個市場。未來隨著摩爾定律放慢，單芯片集成會大大增加，尤其和射頻的集成，這就是FD-SOI工藝的優勢了！所以GF喊出了“Thinking RF？ Think GF first！“的口號！