瑞薩電子宣布開發出了導通電阻僅為150mΩ（柵源間電壓為10V時的標稱值）的600V耐壓超結（SJ：Super Junction）型功率MOSFET“RJL60S5系列”，將從2012年9月開始樣品供貨。超結是可在不犧牲耐壓
2012-06-26 11:01:02
1660 Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，其E系列600V功率MOSFET新增采用8種封裝的17款新器件
2012-10-22 13:45:241488 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新系列600V和650V n溝道功率MOSFET---E系列器件。新產品在10V下具有64mΩ～190mΩ的超低最大導通電阻，以及22A～47A的額定電流范圍
2011-10-13 09:09:311541 Vishay 宣布，推出最新第四代600 V E系列功率MOSFET器件---SiHK045N60E。Vishay Siliconix n 溝道SiHK045N60E導通電阻比前一代600 V E
2022-02-21 11:18:052299 
極快反向恢復速度的600V-1200V碳化硅肖特基二極管芯片及成品器件 。海飛樂技術600V碳化硅二極管現貨選型相比于Si半導體材料，SiC半導體材料具有禁帶寬度較大、臨界電場較大、熱導率較高的特點，SiC
2019-10-24 14:25:15
從而使元器件數量更少、電路規模更小。一般這類電路是由MOSFET或IGBT與二極管組合構成的。與二極管組合的原因是為了抑制MOSFET和IGBT的內部二極管trr間產生的換流損耗，通常需要2個外置快速
2018-11-28 14:27:08
的電流越大，導通電壓越大。本人由于需要，將1N4148接在電源輸出端做防反接，當流過0～10mA電流時，1N4148輸出端電壓紋波達600mV，導致系統工作不正常。 由于二極管的導通壓降和流過的電流成正比
2022-03-15 15:41:10
很大的特性，可以將二極管作為電子開關器件，即所謂的開關二極管：二極管導通時，其內阻很小，相當于開關接通；二極管截止時兩引腳之間的電阻很大，相當于開關的斷開。在電路中可以起到通與斷的控制作用。二極管規格書下載：
2021-01-22 16:10:45
溫度一定時，流過二極管的電流越大，導通電壓越大。本人由于需要，將1N4148接在電源輸出端做防反接，當流過0～100mA電流時，1N4148輸出端電壓紋波達600mV，導致系統工作不正常。 由于
2020-12-11 16:44:59
` 幾乎在所有的電子電路中，都要用到半導體二極管，它在許多的電路中起著重要的作用，它是誕生最早的半導體器件之一，其應用也非常廣泛。 二極管的應用 1、整流二極管 利用二極管單向導電性，可以把
2016-02-29 14:33:39
少數載流子的存儲效應很小，其頻率響應僅受RC時間常數的限制。因此，它是一種理想的高頻快速開關器件。 肖特基二極管有什么用？肖特基二極管的最大特點是正向壓降VF比較小，在相同電流情況下，其正向壓降要
2021-10-18 16:45:00
湊的系統），內部體二極管能夠像mosfet一樣處理電流嗎？可以說25A電流，還是應該使用外部體二極管？如果我使用外部體二極管;我可以使用快速恢復二極管嗎？那將是什么缺點。外部SiC SBD是昂貴
2019-05-29 06:12:00
STTH80S06/RURG8060快恢復二極管，電流80A，電壓600V，TO-247封裝。超快開關，低反向電流，低熱阻，低開關和導通損耗。產品適用于開關電源和太陽能逆變器。由于它的低正向壓降
2020-09-24 15:59:11
的傳遞函數導出示例 其1升降壓轉換器的傳遞函數導出示例 其2開關的導通電阻對傳遞函數的影響總結總結關鍵詞開關損耗 傳遞函數 電源設計 SiC-SBD 快速恢復二極管 SJ-MOSFET IGBT 狀態空間
2018-11-27 16:40:24
面積小（可實現小型封裝），而且體二極管的恢復損耗非常小。 主要應用于工業機器電源、高效率功率調節器的逆變器或轉換器中。 2. 標準化導通電阻 SiC的絕緣擊穿場強是Si的10倍，所以能夠以低阻抗、薄厚
2023-02-07 16:40:49
1. 器件結構和特征Si材料中越是高耐壓器件，單位面積的導通電阻也越大（以耐壓值的約2~2.5次方的比例增加），因此600V以上的電壓中主要采用IGBT（絕緣柵極雙極型晶體管）。IGBT通過
2019-04-09 04:58:00
1. 器件結構和特征Si材料中越是高耐壓器件，單位面積的導通電阻也越大（以耐壓值的約2~2.5次方的比例增加），因此600V以上的電壓中主要采用IGBT（絕緣柵極雙極型晶體管）。IGBT通過
2019-05-07 06:21:55
邊驅動設計，以更少的元件實現穩定高效的高壓驅動。核心特性
高集成度設計：芯片內部集成了自舉二極管，省去了外部添加該分立器件的需要，簡化了電路布局并提升了可靠性。
高壓耐受與強抗擾：支持最高600V
2025-12-31 08:22:18
SiLM2234 600V半橋門極驅動器，支持290mA拉電流和600mA灌電流輸出能力，專為高壓、高功率MOSFET和IGBT驅動設計，內部集成自舉二極管，顯著簡化外部電路設計，具備優異的抗負向
2025-09-11 08:34:41
電壓后，TVS二極管便發生雪崩，提供給瞬時電流一個超低電阻通路，其結果是瞬時電流通過二極管被引開，避開被保護器件，并且在電壓恢復正常值之前使被保護回路一直保持截止電壓。當瞬時脈沖結束以后，TVS二極管
2017-04-06 16:54:25
瞬態功率可達200W-30000W，甚至更高；? 工作電壓范圍3.3V~600V，甚至更高TVS二極管憑借PS級響應速度、大瞬態功率、低漏電流和電容、箝位電壓易控制、擊穿電壓偏差小、可靠性高、體積小
2020-10-21 16:54:18
工作；當電路出現異常浪涌或電壓并達到了瞬態二極管擊穿電壓時，瞬態二極管迅速由高阻態變為低阻態，瞬間吸收一個瞬時過電流，把異常過電壓鉗位在較低的水平，保護后級電路的精密器件免受瞬態高壓尖峰脈沖的沖擊
2022-05-25 14:16:57
導通時 耗盡區是否消失？2、當二極管的正偏電壓未達到導通電壓時，其電阻很高,因為電壓變化較大，而電流變化較小。當正偏電壓大于導通電壓時，二極管導通，其電阻很小，因為電壓變化很小，卻導致電流的很大
2010-03-15 09:15:46
在做模擬電路題目，請問怎么設置二極管的參數，需要理想二極管。有時候導通電壓是0V，有時候是0.7V，都是固定的。
2013-12-20 10:12:11
所示的曲線關系:正向導通壓降與導通電流成正比，其浮動壓差為0.2V。從輕載導通電流到額定導通電流的壓差雖僅為0.2V,但對于功率肖特基二極管來說它不僅影響效率也影響肖特基二極管的溫升，所以在價格條件
2018-10-18 18:19:30
。 肖特基二極管的導通電壓非常低。普通二極管在電流流過時，會產生約0.7-1.7伏特的電壓降，不過肖特基二極管的電壓降只有0.15-0.45伏特，因此可以提升系統的效率。 肖特基二極管的優點是正向壓降
2018-11-05 14:29:49
請問各種發光二極管的導通電壓和電流時多少？
2012-09-11 12:40:19
發光二極管有2EF系列和TB系列，常用的三色發光二極管有2EF302、2EF312、2EF322等型號。 電壓控制型發光二極管 通俗發光二極管屬于電流控制型器件，在應用時需串接恰當阻值的限流電阻。電壓
2018-04-03 11:33:11
發光二極管有2EF系列和TB系列，常用的三色發光二極管有2EF302、2EF312、2EF322等型號。 電壓控制型發光二極管 通俗發光二極管屬于電流控制型器件，在應用時需串接恰當阻值的限流電阻。電壓
2018-09-07 11:29:24
請問下如圖所示一個并聯電路，一路（稱為A路）有一個二級管，一路（稱為B路）有3個同樣的二級管，二極管導通電壓為0.7V，請問下電路開始工作時電壓達到0.7V時A路二級管能導通，但是由于B路有三個二級管壓降會有2.1V，這樣B路就不能導通？是否可以這么理解，非常感謝
2024-10-31 17:08:28
、場效應器件和特殊的肖特基二極管。以下是碳化硅特性：1）碳化硅單載波器件具有薄漂移區和低導通電阻，比硅器件小約100-300倍。由于導通電阻小，碳化硅功率器件的正向損耗小。2）碳化硅功率器件由于其高擊穿
2023-02-07 15:59:32
快恢復二極管HFD3060H（可完全替換DSEC30-06A），電壓600V，電流30A，快恢復時間短（20ns），開關速度快，降低器件的開關損耗和提高電力電子電路的工作頻率，在高頻電力調節系統
2020-09-24 16:10:01
快恢復二極管FMD4206S，電壓600V，電流20A，快恢復時間50ns，TO-3PF封裝。開關速度快，低損耗。低漏電流。適用于高頻整流的低損耗電源用二極管。常應用于CCM方式PFC；白色家電
2020-09-24 16:11:08
結構符號用途?特征對電源部的一次側起到整流作用。容易獲得1A以上、400V/600V的高耐壓。整流二極管 (Rectifier Diode) 顧名思義，是指對商用頻率的交流電進行整流的二極管。整流
2019-04-11 02:06:13
` 肖特基(Schottky)二極管是一種快恢復二極管，它屬一種低功耗、超高速半導體器件。其顯著的特點為反向恢復時間極短(可以小到幾納秒)，正向導通壓降僅0.4V左右。肖特基(Schottky
2018-10-22 15:32:15
` （1）不同耐壓的MOS管的導通電阻分布。不同耐壓的MOS管，其導通電阻中各部分電阻比例分布也不同。如耐壓30V的MOS管，其外延層電阻僅為總導通電阻的29%，耐壓600V的MOS管的外延層電阻
2018-11-01 15:01:12
） MOSFET,以節省一個 MOSFET.通過在理想二極管和熱插拔 MOSFET 之間配置檢測電阻器，LTC4228 比 LTC4225 有了改進，LTC4228 能更快地從輸入電壓欠壓中恢復，以保持輸出電壓
2018-09-29 16:41:57
一樣，可以制成結型器件、場效應器件、和金屬與半導體接觸的肖特基二極管。 其優點是： (1)碳化硅單載流子器件漂移區薄，開態電阻小。比硅器件小100-300倍。由于有小的導通電阻，碳化硅功率器件
2019-01-11 13:42:03
小型化。然而，必須首先解決一個問題：SiC MOSFET反向操作期間，體二極管雙極性導通會造成導通電阻性能下降。將肖特基勢壘二極管嵌入MOSFET，使體二極管失活的器件結構，但發現用嵌入式SBD代替
2023-04-11 15:29:18
開關電源小型化，并降低產品噪音。 2、碳化硅肖特基二極管的正向特性 碳化硅肖特基二極管的開啟導通電壓比硅快速恢復二極管較低，如果要降低VF值，需要減薄肖特基勢壘的高度，但這會使器件反向偏壓時的漏電
2023-02-28 16:34:16
常用的穩壓二極管的外形與普通小功率整流二極管的外形基本相似。當殼體上的型號標記清楚時，可根據型號加以鑒別。當其型號標志脫落時，可使用萬用表電阻擋很準確地將穩壓二極管與普通整流二極管區別開來。具體方法
2021-08-16 17:04:51
肖特基二極管正向導通電壓很低，只有0.4v，反向在擊穿電壓之前不會導通，起到快速反應開關的作用。而穩壓二極管正向導通電壓跟普通二級管一樣約為0.7v，反向狀態下在臨界電壓之前截止，在達到臨界電壓
2021-11-12 06:28:29
1.穩壓二極管正向導通電壓跟普通二級管一樣約為0.7v，反向狀態下在臨界電壓之前截止，在達到臨界電壓的條件下會處于導通的狀態，電壓也不再升高，所以用在重要元器件上，起到穩壓作用。穩壓二極管主要利用其
2021-11-15 09:13:52
穩壓二極管 穩壓二極管(又叫齊納二極管)它的電路符號是:此二極管是一種直到臨界反向擊穿電壓前都具有很高電阻的半導體器件.在這臨界擊穿點上,反向電阻降低到一個很少的數值,在這個低阻區中電流增加而電壓則
2012-09-10 17:16:56
，還通過優化內置二極管的特性，改善了超級結MOSFET特有的軟恢復指數※3），可減少引發誤動作的噪聲干擾。通過減少這些阻礙用戶優化電路時的障礙，提高設計靈活度。該系列產品已經以月產10萬個的規模逐步投入
2020-03-12 10:08:31
，還通過優化內置二極管的特性，改善了超級結MOSFET特有的軟恢復指數※3），可減少引發誤動作的噪聲干擾。通過減少這些阻礙用戶優化電路時的障礙，提高設計靈活度。該系列產品已經以月產10萬個的規模逐步投入
2020-03-12 10:08:47
` 1、開關二極管是利用二極管的單向導電性，在半導體PN結加上正向偏壓后，在導通狀態下，電阻很小（幾十到幾百歐）；加上反向偏壓后截止，其電阻很大（硅管在100MΩ以上）。利用開關二極管的這一特性
2019-01-03 13:36:59
肖特基二極管正向導通電壓很低，只有0.4V，反向在擊穿電壓之前不會導通，起到快速反應開關的作用。而穩壓二極管正向導通電壓跟普通二級管一樣約為0.7V，反向狀態下在臨界電壓之前截止，在達到臨界電壓
2020-09-25 15:38:08
（金屬－絕緣體－半導體）肖特基二極管可以用來制作太陽能電池或發光二極管。 復二極管：有0.8-1.1V的正向導通壓降，35-85nS的反向恢復時間，在導通和截止之間迅速轉換，提高了器件的使用頻率并改善了
2015-11-27 18:02:58
MOSFET和額外的肖特基二極管，可最大限度地減少干擾。相應MOSFET中的體二極管有一個主要缺點。由于反向恢復現象，其開關速度非常低。在反向恢復時間內，電感（L1）導致開關節點處的電壓下降到比地電壓低幾
2020-12-16 16:57:38
的續流二極管、變壓器次級用100V以上的高頻整流二極管、RCD緩沖器電路中用600V～1.2kV的高速二極管以及PFC升壓用600V二極管等，只有使用快速恢復外延二極管（FRED）和超快速恢復二極管
2020-11-26 17:31:19
的續流二極管、變壓器次級用100V以上的高頻整流二極管、RCD緩沖器電路中用600V～1.2kV的高速二極管以及PFC升壓用600V二極管等，只有使用快速恢復外延二極管（FRED）和超快速恢復二極管
2021-11-16 17:02:37
）電路中功率開關器件的續流二極管、變壓器次級用100V以上的高頻整流二極管、RCD緩沖器電路中用600V～1.2kV的高速二極管以及PFC升壓用600V二極管等，只有使用快速恢復外延二極管（FRED）和超
2021-09-09 15:19:01
大家知道我們在設計電路時該如何選擇這個續流二極管的導通電流值嗎？比如在一個大電感的直流線圈反并聯一個續流二極管，這個二極管的電流值該如何選擇啊？
2019-06-20 04:35:56
請問貼片電阻，貼片電容，貼片二極管，穩壓二極管，MOS管，MOSFET和封裝形式有那些呢？請一一說明，謝謝各們大師哦！！！
2020-11-13 14:54:46
請問這個電子元器件符號是哪種二極管，是雙向TVS嗎？
我感覺這個類似穩壓二極管，但比穩壓二極管多了一個折線，是雙向穩壓二極管嗎？在網上查了好久都沒找到，麻煩各位指點一下，謝謝
2024-11-14 11:13:29
我的電路是驗證電容的充電是有一定過程的，如果讓電阻和發光二極管直接與電源連接，則由于二極管兩端獲得的電壓不夠，所以不能導通。現在我想是先讓電容充電，等到一定的時候，電容兩端的電壓大于發光二極管的導通電壓時，發光二極管就會發光，這個是在Multisim中模擬的，但是二極管沒有點亮，請問：錯在哪了？
2015-08-12 09:38:27
，所以使用可高速開關的快速恢復二極管。需要探討的是耐壓和損耗。施加于輸出二極管的反向電壓考慮到余量為：??Vdr = VIN (max)÷0.7 = 372V÷0.7 = 531V → 600V二極管
2018-11-27 16:51:14
MOSFET漏源極之間有寄生二極管，漏源極間加反向電壓時器件導通。電力 MOSFET的通態電阻具有正溫度系數，對器件并聯時的均流有利。 2、動態特性；其測試電路和開關過程波形如圖3所示。 開通
2023-02-27 11:52:38
摘要新一代CoolMOS? 650V CFD2技術為具備高性能體二極管的高壓功率MOSFET樹立了行業新桿標。該晶體管將650V的擊穿電壓、超低通態電阻、低容性損耗特性與改進反向恢復過程中的體二極管
2018-12-03 13:43:55
普通二極管（正導通電壓）眾所周知，公共二極管和晶體管的發射極結具有閾值電壓。對于硅器件，導通電壓約為0.65 V。隨著導通電流的變化，這種電壓變化并不顯著。因此，任何硅材料的普通二極管都可以
2023-02-13 17:51:25
Vishay推出新款高速PIN光敏二極管
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出VBPW34x和VBP104x系列高速SMD PIN光敏二極管，新器件采用鷗翼和倒鷗翼型封裝
2009-11-13 09:21:28917 Vishay Siliconix推出業內最低導通電阻功率MOSFET
Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位
2009-11-25 09:51:011361 超高效率600V H系列整流器擴展硅二極管性能
為協助電源廠商以更低成本克服高性能系統的各種挑戰， Qspeed半導體公司推出H系列組件Qspeed新款600V功率因數校正器（PFC
2009-12-31 10:03:111237 隧道二極管/體效應二極管是什么意思
什么是隧道二極管?隧道二極管是一種在極低正向電壓下具有負電阻的半導體二極管。
2010-02-27 11:23:212522 IR推出汽車專用MOSFET系列低導通電阻
全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出首款汽車專用 MOSFET 系
2010-04-09 11:50:321055 MOSFET--- SiHx25N50E，該器件具有與該公司600V和650V E系列器件相同的低導通電阻和低開關損耗優點。
2014-10-09 12:59:191841 
FRED Pt? Gen 4 Ultrafast快恢復二極管，這些器件適用于電源模塊、電機驅動、UPS、太陽能逆變器、焊機逆變器里的高頻轉換器。
2015-06-02 15:10:531320 ---SiHx21N65EF、SiHx28N65EF和SiHG33N65EF，擴大其快速體二極管N溝道功率MOSFET產品組合。
2016-05-12 14:01:14924 MOSFET的首顆器件---SiHP065N60E。Vishay Siliconix N溝道SiHP065N60E的導通電阻比前一代600V E系列MOSFET低30%，為通信、工業和企業級電源提供了
2017-02-10 15:10:112189 整流二極管與穩壓二極管有何異同 二極管的主要特性是單向導電性，也就是在正向電壓的作用下，導通電阻很小；而在反向電壓作用下導通電阻極大或無窮大。正因為二極管具有上述特性，電路中常把它用在整流、穩壓二極管的穩壓原理：穩壓二極管的特點就是加反向電壓擊穿后，其兩端的電壓基本 保持不變。
2018-04-24 10:22:0019706 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出最新第四代600 V EF系列快速體二極管MOSFET 器件---SiHH070N60EF。
2020-12-23 14:24:542337 Vishay DFN1006-2A 封裝二極管 40 V 和 100 V 器件通過 AEC-Q101 認證 與傳統 SOD/T 封裝二極管相比節省空間并提高了散熱性能 Vishay 推出超小型可潤濕
2021-10-19 16:57:522958 
肖特基二極管正向導通電壓很低，只有0.4v，反向在擊穿電壓之前不會導通，起到快速反應開關的作用。而穩壓二極管正向導通電壓跟普通二級管一樣約為0.7v，反向狀態下在臨界電壓之前截止，在達到臨界電壓
2021-11-07 19:06:03
14 Vishay 推出最新第四代 600 V E 系列功率 MOSFET 器件。Vishay Siliconix n 溝道 SiHK045N60E 導通電阻比前一代 600 V E 系列 MOSFET
2022-02-26 13:25:352298 （NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出采用薄型PowerPAK? 10 x 12封裝的新型第四代600 V EF系列快速體二極管MOSFET---SiHK045N60EF。Vishay
2022-10-12 15:44:14780 
Vishay Siliconix n 溝道 SiHK045N60EF 導通電阻比前代器件降低 29 %，為通信、工業和計算應用提供高效、高功率密度解決方案，同時柵極電荷下降 60 %，從而使器件導通電阻與柵極電荷乘積，即功率轉換應用中 600V MOSFET 的重要優值系數（FOM）創業界新低。
2022-10-14 16:16:121359 )(統稱“東芝”)已經開發了一種碳化硅(SiC)金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)。該晶體管將嵌入式肖特基勢壘二極管(SBD)排列成方格狀(方格狀嵌入式SBD)，以實現低導通電阻和高可靠性。東芝
2022-12-12 18:01:531837 二極管的導通電壓是二極管正向導通后，它的正向壓降基本保持不變。正向特性：在電子電路中，將二極管的正極接在高電位端，負極接在低電位端，二極管就會導通，這種連接方式，稱為正向偏置。當加在二極管兩端的正向電壓很小時，二極管仍然不能導通，流過二極管的正向電流十分微弱。
2023-02-11 14:10:0821284 如圖所示，MOSFET（不局限于SiC-MOSFET）在漏極-源極間存在體二極管。從MOSFET的結構上講，體二極管是由源極-漏極間的pn結形成的，也被稱為“寄生二極管”或“內部二極管”。對于MOSFET來說，體二極管的性能是重要的參數之一，在應用中使用時，其性能發揮著至關重要的作用。
2023-02-24 11:47:404750 
電力二極管屬于半導體器件，通常也被稱為功率二極管。它們主要用于高功率、高電壓和高頻率的電路中，用于控制和轉換電能。電力二極管具有低導通電阻、高擊穿電壓和快速恢復時間等特性，廣泛應用于電源、逆變器、電機驅動、照明和電力電子設備等領域。
2023-02-28 11:36:345390 肖特基二極管因其低導通電壓、快速恢復時間和更高頻率下的低損耗能量而得到廣泛應用。這些特性使肖特基二極管能夠通過促進從導通狀態到阻塞狀態的快速轉換來整流電流。因此，肖特基二極管通常是許多應用中半導體器件的理想選擇。以下是肖特基二極管最常見的五種應用。
2023-05-24 11:24:222670 SiC MOSFET體二極管的關斷特性與IGBT電路中硅基PN二極管不同，這是因為SiC MOSFET體二極管具有獨特的特性。對于1200V SiC MOSFET來說，輸出電容的影響較大，而PN
2023-01-04 10:02:073634 
探究快速開關應用中SiC MOSFET體二極管的關斷特性
2023-01-12 14:33:033281 功率二極管有哪些？二極管是功率器件嗎? 功率二極管是一種功率電子器件，它與普通的二極管的不同之處在于其能夠承受更大的電流和電壓，用于控制和轉換電能。功率二極管是一種關鍵的電子器件，廣泛應用于許多領域
2023-09-02 11:13:572413 帶有快速體二極管的MOSFET器件通過LLC拓撲和FREDFET來提高效率
2023-12-08 17:35:561465 
MOSFET為什么有“體二極管”
2023-12-14 11:26:483272 
的。在功率MOSFET中，這種體二極管尤為重要，因為它對器件的性能和可靠性有很大影響。 要了解MOS管體二極管的作用，首先需要了解MOSFET的基本結構。一個典型的MOSFET包括源極（Source）、漏極（Drain）和柵極（Gate）。在功率MOSFET中，通常還有一個額外的區域，
2024-01-31 16:28:228929 
肖特基二極管是一種特殊的二極管，它由肖特基結構組成，具有低導通電壓、快速開關特性和高溫穩定性。肖特基二極管可以在許多應用中起到關鍵的作用，例如電源、DC-DC轉換器、放大器、開關電路等。 肖特基
2024-02-18 15:47:293376 Vishay 推出一款采用透明無色引線型塑料封裝的新型 890 nm 高速紅外 ( IR ) 發光二極管，擴充其光電子產品組合。Vishay Semiconductors ?TSHF5211 ?基于表面發射器芯片技術，優異的 VF 溫度系數達 -1.0 mV/K，輻照強度和升降時間優于前代器件。
2024-07-19 09:22:511351 硅二極管的導通電壓是一個關鍵的參數，它決定了二極管何時開始導電。在大多數情況下，硅二極管的導通電壓被稱為“門檻電壓”或“開啟電壓”，并且這個值通常是 0.5V到0.7V 。當二極管的正向電壓超過這個
2024-10-14 17:08:588016 導通電壓為0.7V的二極管有很多種，以下是一些常見的類型： 整流二極管 ：例如1N4001~1N4007系列，這些二極管主要用于將交流電轉換為直流電。 硅穩壓二極管 ：如1N3786、1N37785
2024-10-14 17:11:304104 40 A至240 A雙二極管和單相橋式器件正向壓降低至1.36 V，QC僅為56 nC 威世科技宣布，推出16款采用工業標準SOT-227封裝的新型650 V和1200 V 碳化硅（SiC）肖特基
2025-02-27 12:49:35763 
——DPF120C600HB，看看它有哪些獨特的特性和應用場景。 文件下載： Littelfuse DPF120C600HB快速恢復二極管.pdf 一、產品概述 DPF120C600HB是一款耐壓600V、電流2
2025-12-15 17:20:02352 在現代電子電路中，二極管被廣泛應用于整流、電源管理、保護電路等領域。二極管的導通電壓（V_f）是其一個重要參數，它決定了電流通過二極管時的電壓降。如果二極管的導通電壓過高，它將直接影響電路的效率
2026-01-05 11:39:1866 
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