瑞薩電子宣布開發(fā)出了導(dǎo)通電阻僅為150mΩ（柵源間電壓為10V時的標稱值）的600V耐壓超結(jié)（SJ：Super Junction）型功率MOSFET“RJL60S5系列”，將從2012年9月開始樣品供貨。超結(jié)是可在不犧牲耐壓
2012-06-26 11:01:02
1660 Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，其E系列600V功率MOSFET新增采用8種封裝的17款新器件
2012-10-22 13:45:241488 近日，德州儀器 （TI） 推出了業(yè)內(nèi)速度最快的半橋柵極驅(qū)動器。這款用于分立式功率MOSFET和絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） 的柵極驅(qū)動器的工作電壓可達到600V。
2015-10-16 16:32:113206 WD0412 是一款基于懸浮襯底和 P_EPI 工藝的600V 高壓高低邊驅(qū)動器，具有高低邊兩路輸出，可以單獨驅(qū)動兩個高壓大功率 MOSFET 或 IGBT。WD0412 的輸入信號兼容 CMOS
2022-04-28 08:22:452723 
Limited?（AOS,?納斯達克代碼:AOSL)推出 600V aMOS7? 超結(jié)高壓MOSFET。 aMOS7? 是 AOS最新一代高壓 MOSFET平臺，旨在滿足服務(wù)器、工作站、通信電源整流器
2023-05-11 13:52:151402 
線。該器件采用超級結(jié)結(jié)構(gòu)，耐壓600V，適用于數(shù)據(jù)中心、開關(guān)電源和光伏發(fā)電機功率調(diào)節(jié)器。該新產(chǎn)品是東芝DTMOSVI系列中的首款600V產(chǎn)品，于今日開始批量出貨。 ? ? 通過對柵極設(shè)計和工藝進行優(yōu)化，與具有相同漏源電壓額定值的東芝目前的DTMOSIV-H系列產(chǎn)品相比，600V DTMOSVI系列產(chǎn)品的
2023-06-13 16:38:501327 
需求：將鋰電池3.7V升壓成500V的5KHz交流電去點亮EL線
現(xiàn)有電路
原理：
在Q1關(guān)斷期間，導(dǎo)通Q2，電感儲能；關(guān)斷Q2后，電感產(chǎn)生反向電動勢，給EL燈的等效電容C1充電；理論上可以升到D1
2023-06-28 19:43:57
公司產(chǎn)品打算做CE認證，其中一項測試就是能抵抗500V的浪涌電壓。測試公司會用他們的設(shè)備連接我們的設(shè)備，12V的輸入，500V的浪涌電壓持續(xù)1.2ms。于是我們在其中加入了TVS，如圖所示。D18
2019-11-12 11:10:07
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 06:19:23
各位大師 請教個問題本人有臺開關(guān)電源600V/3A。整流后經(jīng)四個大容，四個場效應(yīng)管組成的對管，后經(jīng)變壓器，再經(jīng)整流。開電沒問題。只要工作就燒開關(guān)管，大功率場效應(yīng)管，兩個對管。問問是怎么回事，會是哪里造成的。
2013-10-11 00:34:27
BDR6307B 是一款耐壓 600V 的半橋柵極驅(qū)動芯片，內(nèi)部集成了邏輯信號輸入處理電路、死區(qū)控制電路、電平位移電路及輸出驅(qū)動電路，用來驅(qū)動雙 N 型 MOS 半橋。
BDR6307B 的邏輯
2025-02-20 10:22:03
最近在做一個項目，直流輸出有600V，輸出與控制板完全隔離，現(xiàn)在我想通過電阻分壓的方式對其進行采樣。分別對輸出+和輸出-作分壓采樣。但是因為輸出地相對板子地是懸浮的，所以分壓電路設(shè)計上難把握。請問板上大聲有沒有有經(jīng)驗的或有想法的不吝賜教。另外問一下有沒有用過隔離式直流電壓采樣器件的嗎
2015-09-29 16:25:27
在工業(yè)電機、新能源逆變器等高功率應(yīng)用的設(shè)計中，你是否也在高壓驅(qū)動的門檻前反復(fù)權(quán)衡？
如果你的電路需要在最高600V的母線電壓下工作，驅(qū)動大功率MOSFET或IGBT，什么樣的門極驅(qū)動器才能在高頻開關(guān)
2025-12-03 08:25:35
產(chǎn)品描述 QQ289 271 5427 DP950XB系列是高度集成的恒流LED功率開關(guān)， 芯片采用了準諧振的工作模式，無需輔助繞組檢測 消磁。同時內(nèi)部集成有高壓500V功率MOSFET和 高壓自供
2019-09-27 15:10:01
1. 特性? 雙管正激電源 600V 高壓驅(qū)動? 高端懸浮自舉電源設(shè)計? HIN、LIN 適應(yīng) 0-20V 輸入電壓? 小于 1uA 靜態(tài)電流? 最高頻率支持 500KHZ? 低端 VCC 電壓范圍
2022-09-09 16:21:19
1. 特性? 高端懸浮自舉電源設(shè)計，耐壓可達 600V? 適應(yīng) 5V、3.3V 輸入電壓? 最高頻率支持 500KHZ? VCC 和 VB 端電源帶欠壓保護? 低端 VCC 電壓范圍 10V-20V
2022-09-13 13:22:59
確保高壓側(cè)電源開關(guān)的正確驅(qū)動。驅(qū)動器使用2個獨立輸入。特性：高壓范圍：高達600 VdV/dt抗擾度±50 V/nsec柵極驅(qū)動電源范圍為10 V至20 V高和低驅(qū)動輸出輸出源/匯電流能力250 mA
2021-11-23 13:57:47
深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)SA2601A馬達驅(qū)動600V單相雙NMOS半橋柵極驅(qū)動芯片
SA2601A是一款針對于雙NMOS的半橋柵極驅(qū)動芯片，專為高壓、高速驅(qū)動N型功率MOSFET和IGBT
2024-04-01 17:36:07
具有高脈沖電流緩沖級的設(shè)計最小驅(qū)動器交叉?zhèn)鲗?dǎo)。漂浮的通道可用于驅(qū)動N通道電源高壓側(cè)配置的MOSFET或IGBT工作電壓高達600V。特性：欠壓鎖定，電壓高達600V耐負瞬態(tài)電壓，dV/dt柵極驅(qū)動電源
2021-05-11 19:40:19
一、概述：SLM21814CJ-DG是一款高壓高速高低邊門極驅(qū)動器，專為驅(qū)動MOSFET和IGBT設(shè)計。其核心優(yōu)勢在于600V高耐壓能力、2.5A/3.5A非對稱驅(qū)動電流以及全電壓范圍內(nèi)的浮動通道
2025-11-20 08:47:23
一、概述：高性能半橋驅(qū)動SLM2181CA-DG是一款高壓、高速的功率MOSFET和IGBT驅(qū)動器，具備獨立的高邊和低邊參考輸出通道。核心優(yōu)勢在于600V的高耐壓能力、450mA/950mA的非對稱
2025-11-21 08:35:25
，是各種高壓半橋和全橋拓撲的簡潔解決方案。核心優(yōu)勢解析：
高壓與強驅(qū)動力： 芯片的浮動通道設(shè)計支持高達600V的工作電壓，并能耐受負壓瞬變，抗dV/dt性能好。提供450mA拉電流和950mA灌電流
2025-08-26 09:15:40
代替IR2186，為600V以下的MOSFET和IGBT應(yīng)用提供高性價比的單芯片驅(qū)動方案。核心優(yōu)勢：高壓驅(qū)動與可靠保護的完美結(jié)合SiLM2186CA-DG的核心價值在于其卓越的電氣性能和強大的系統(tǒng)保護
2025-08-23 09:36:06
在工業(yè)風機、家電壓縮機或通用電機驅(qū)動等高壓應(yīng)用中，一個簡潔可靠的半橋驅(qū)動電路是系統(tǒng)穩(wěn)定運行的基礎(chǔ)。SiLM2206CJ半橋門極驅(qū)動器，集成了關(guān)鍵的自舉二極管，支持高達600V的母線電壓，在幫助簡化高
2025-12-31 08:22:18
SiLM2234 600V半橋門極驅(qū)動器，支持290mA拉電流和600mA灌電流輸出能力，專為高壓、高功率MOSFET和IGBT驅(qū)動設(shè)計，內(nèi)部集成自舉二極管，顯著簡化外部電路設(shè)計，具備優(yōu)異的抗負向
2025-09-11 08:34:41
600V、4A/4A 半橋門極驅(qū)動SiLM2285，超強抗干擾、高效驅(qū)動、高邊直驅(qū)設(shè)計三大核心優(yōu)勢，解決工業(yè)開關(guān)電源、電機拖動、新能源逆變及儲能設(shè)備中的驅(qū)動難題，實現(xiàn)對高壓、高功率MOSFET
2025-10-21 09:09:18
在工業(yè)電機、新能源逆變器或大功率電源中，驅(qū)動電路的可靠性直接決定整體性能。面對高壓環(huán)境下的噪聲干擾、開關(guān)損耗以及高邊驅(qū)動設(shè)計復(fù)雜等實際挑戰(zhàn)，SiLM22868提供了一種扎實的解決方案。這款600V
2025-12-23 08:36:15
升/下降時間及170ns典型傳播延遲，顯著降低開關(guān)損耗，提升高頻應(yīng)用下的轉(zhuǎn)換效率和功率密度。
高邊直驅(qū)設(shè)計： 獨特的浮動通道設(shè)計，支持直接驅(qū)動600V高邊N溝道MOSFET/IGBT，無需額外隔離電源
2025-08-08 08:46:25
輸入900V，輸出500V的高壓穩(wěn)壓電源——三極管串聯(lián)應(yīng)用的典范：
2018-09-13 18:18:07
有兩個500v 100uf的電容 串聯(lián)在1000v直流電中，想要選取分壓電阻，讓每個電容分得500v電壓，分壓電阻阻值和功率如何選擇？
補充內(nèi)容 (2016-8-5 09:57):
在線等
2016-08-04 17:44:36
`本人現(xiàn)在需要不少電壓表，最高檢測600v，現(xiàn)在某寶上有檢測100v的，不知道接觸過這樣的電壓表的XD怎么改成檢測600V的`
2017-02-13 19:46:46
各位大大，最近在做雙向逆變，想問一下用2變比的高頻變壓器，高壓側(cè)600V降壓到300v，升壓的時候可以從300V升壓超過600V嗎，有人說高頻變壓器可以升壓超過原來高壓側(cè)輸入的電壓，請問有懂這個的能說一下能實現(xiàn)升壓超過2變比的嗎
2018-03-17 15:26:54
主要特點● 集成 500V 高壓 MOSFET 和高壓啟動電路● 多模式控制、無異音工作● 支持降壓和升降壓拓撲● 默認12V 輸出（FB 腳懸空）● 待機功耗低于50mW ● 良好的線性調(diào)整率
2020-08-14 14:32:05
運放正負12伏供電，運放輸出端連接mosfet的G極。mosfet的D連接500v直流高壓，mosfet的S極連接一個20歐姆電阻到地，20歐姆電阻連接運放反饋端，我想把運放個mosfet進行隔離，求方案。求器件。整個原理其實就是運放控制mosfet實現(xiàn)電流源。
2018-08-02 08:55:51
請問怎么實現(xiàn)12V直流輸入，輸出100~500V連續(xù)可調(diào)電壓？
2016-03-05 17:03:59
請問我想將3.3V直流升為500V直流，怎么實現(xiàn)？比如選擇什么樣的芯片，用什么電路
2015-06-08 15:50:33
國際整流器公司推出一系列新一代500V及600V高壓集成電路（HVIC）。這19款新型HVIC采用半橋設(shè)計，配有高端和低端驅(qū)動器，可廣泛適用于包括馬達控制、照明、開關(guān)電源、音頻和平板顯示器等
2018-08-31 11:23:15
）
產(chǎn)品簡介：高壓超結(jié)工藝，效率更高、更可靠，適用于600V以上高壓應(yīng)用領(lǐng)域，行業(yè)前沿拓展產(chǎn)品。
應(yīng)用場景：PC電源開關(guān)、電池、逆變器等。
此為RU15P12C的部分參數(shù) 可無償分享
原廠一級代理可為您答疑解惑
行業(yè)內(nèi)率先通過 ISO9001、ISO14001質(zhì)量體系認證的高新技術(shù)企業(yè)。
2024-09-23 17:07:50
本文將介紹英飛凌的第三代采用溝槽柵場終止技術(shù)的 600V IGBT，即IGBT3在UPS中的應(yīng)用。在介紹最新溝槽柵場終止技術(shù)的背景后，本文探討如何充分利用IGBT靜態(tài)與動態(tài)性能改進和175℃的
2009-11-20 14:30:27
89 摩托羅拉 V500/ V600驅(qū)動下載.rar
2010-01-19 15:07:562 Vishay Intertechnology, Inc.推出三款新型500V、12A的N溝道功率MOSFET --- SiHP12N50C-E3、SiHF12N50C-E3和SiHB12N50C-E3，該MOSFET在10V柵極驅(qū)動下的最大導(dǎo)通電阻達到超低的0.555Ω，柵極電荷減小為48nC，采
2010-07-16 15:05:2417 輸入12V 5A輸出600V 100MA直流逆變器電源電路
2008-12-07 19:43:292782 
500V觸發(fā)電路
2009-02-06 00:21:55859 
600V MOSFET繼續(xù)擴展Super Junction FET技術(shù)
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出4款新的600V MOSFET
2010-01-26 16:26:181434 IR推出汽車驅(qū)動應(yīng)用的AUIRS2301S 600V IC
國際整流器公司(IR)推出 AUIRS2301S 600V IC，適用于汽車電機驅(qū)動、微型逆變器驅(qū)動和通用三相逆變器應(yīng)用。AUIRS2301S
2010-03-25 11:36:411787 
Vishay推出500V N溝道功率MOSFET：SiHF8N50L-E3
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款500V N溝道功率MOSFET——SiHF8N50L-E3。與前一代器件相比，該器件的
2010-04-07 10:52:521102 IR上市600V耐壓的車載設(shè)備用柵極驅(qū)動IC
美國國際整流器公司（IR）上市了+600V耐壓的車載設(shè)備用柵極驅(qū)動IC"AUIRS2301S"。主要用
2010-04-09 10:10:321234 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款600V、47A N溝道功率MOSFET --- SiHG47N60S，該MOSFET在10V柵極驅(qū)動下具有0.07Ω的
2010-11-09 08:59:572028 8S2TH06I-M是Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）推出的600V FRED PtTM Hyperfast串級整流器。
2011-04-01 09:36:431012 賓夕法尼亞、MALVERN — 2012 年 5 月3 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出其下一代D系列高壓功率MOSFET的首款器件。新的400V、500V和600V n溝道器件具有低導(dǎo)通
2012-05-03 17:29:422109 華潤微電子有限公司旗下的華潤上華科技有限公司（后簡稱“華潤上華”）宣布已開發(fā)完成600V和1700V Planar NPT IGBT（平面非穿通型絕緣柵雙極晶體管）以及600V Trench PT IGBT（溝槽穿通型絕緣
2012-05-29 08:47:482638 MOSFET--- SiHx25N50E，該器件具有與該公司600V和650V E系列器件相同的低導(dǎo)通電阻和低開關(guān)損耗優(yōu)點。
2014-10-09 12:59:191841 
賓夕法尼亞、MALVERN — 2015 年 1 月22 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，其500V系列高壓MOSFET新增11顆新器件，這些器件適合應(yīng)用在功率不超過500W的開關(guān)電源。
2015-01-23 14:05:512774 MOSFET的首顆器件---SiHP065N60E。Vishay Siliconix N溝道SiHP065N60E的導(dǎo)通電阻比前一代600V E系列MOSFET低30%，為通信、工業(yè)和企業(yè)級電源提供了
2017-02-10 15:10:112189 高壓Gatedriver 600V工藝，替代IR2103，替代FD2503，替代SDC9301
2017-11-23 14:17:3233 高壓Gatedriver 600V工藝，替代IR2104，替代FD2504
2017-11-23 14:15:2346 描述bp6901a / bp6908a是一種高電壓，高速半橋預(yù)潛水員對功率MOSFET和IGBT。它具有高側(cè)和低側(cè)的輸入，以及具有內(nèi)部死區(qū)時間的兩個輸出通道，以避免交叉?zhèn)鲗?dǎo)。輸入邏輯水平與3.3v/5v/15v信號兼容。浮高側(cè)通道可驅(qū)動N溝道功率MOSFET或IGBT 600V。
2017-11-23 14:13:3759 MIC4609 是一款600V 三 相MOSFET/IGBT 驅(qū) 動 器。 MIC4609具有300 ns的典型輸入濾波時間，旨在避免出現(xiàn)意外的脈沖和獲得550 ns的傳播延時。MIC4609具有 TTL輸入閾值。
2018-07-02 09:24:0011 浪涌阻止器IC保護負載免受>500V電源浪涌的影響
2021-05-12 08:21:166 LT1357：25MHz，600V/OP數(shù)據(jù)Sheet
2021-05-21 09:20:080 放大器的輸出電壓范圍是-500V~+1500V，對應(yīng)的外部模擬控制電壓信號范圍為-2.5V~7.5V。外部模擬輸入控制電壓
2021-12-08 16:00:491198 
220V交流轉(zhuǎn)600V直流，沒有380的可以這樣接直流母線上
2022-06-06 10:07:2927 邏輯兼容3.3V/5V/15V ■ 輸出電流能力2.5A ■ 高側(cè)浮動偏移電壓600V ■ 自舉工作的浮地通道 ■ 所有通道均有延時匹配功
2022-07-30 16:48:442926 600V SPM? 2 系列熱性能（通過安裝扭矩）
2022-11-15 20:04:030 600V耐壓IGBT IPM：BM6337x系列?關(guān)鍵詞 兼具業(yè)內(nèi)優(yōu)異的降噪和低損耗特性 600V耐壓IGBT IPM 各種變頻器的功率轉(zhuǎn)換用 BM6337x系列 優(yōu)化內(nèi)置...
2023-02-08 13:43:212074 
500 V、0.25 A PNP 高壓低 VCEsat 晶體管-PBHV9040T-Q
2023-02-09 21:52:220 500 V、0.5 A NPN 高壓低 VCEsat 晶體管-PBHV8540T-Q
2023-02-09 21:55:440 600 V、0.5 A NPN 高壓低 VCEsat (BISS) 晶體管-PBHV8560Z
2023-02-17 19:37:300 600 V、0.5 A PNP 高壓低 VCEsat (BISS) 晶體管-PBHV9560Z
2023-02-27 18:58:550 600 V、0.1 A PNP 高壓低 VCEsat (BISS) 晶體管-PBHV3160Z
2023-02-27 18:59:240 600 V、0.1 A NPN 高壓低 VCEsat (BISS) 晶體管-PBHV2160Z
2023-03-03 18:43:392 500 V、0.25 A PNP 高壓低 VCEsat (BISS) 晶體管-PBHV9040X
2023-03-03 20:06:580 500 V、0.5 A NPN 高壓低 VCEsat (BISS) 晶體管-PBHV8540X
2023-03-03 20:07:280 同時實現(xiàn)業(yè)界超快反向恢復(fù)時間和業(yè)界超低導(dǎo)通電阻，可進一步降低工業(yè)設(shè)備和白色家電的損耗 ROHM的600V耐壓Super Junction MOSFET PrestoMOS 產(chǎn)品陣容中又新增了
2023-07-12 12:10:081617 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《600V三相MOSFET/IGBT驅(qū)動器.pdf》資料免費下載
2023-09-25 11:27:500 驪微電子是芯朋微一級代理商，提供ID2304D高壓半橋驅(qū)動芯片600V，可兼容代換L6388，更多驅(qū)動產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向驪微電子申請。>>
2021-12-29 14:25:4910 SVS14N60FJD214A,600V超低內(nèi)阻高壓mos，適用于硬/軟開關(guān)拓撲，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向士蘭微MOS管一級代理驪微電子申請。>>
2022-09-05 17:13:067 EG2103是一款半橋驅(qū)動芯片，具備優(yōu)良性能和顯著提升。其電壓耐受能力高達600V，適應(yīng)不同電源環(huán)境，最高頻率支持500KHZ。輸出電流能力為IO+/-0.3A/0.6A，控制邏輯簡潔，封裝形式小便于集成。應(yīng)用領(lǐng)域廣泛，是電子工程領(lǐng)域的理想選擇。
2024-05-15 16:19:001488 
英飛凌再次引領(lǐng)行業(yè)潮流，最新推出的600V CoolMOS? 8 SJ MOSFET系列，以其卓越的技術(shù)創(chuàng)新和卓越性價比，在全球范圍內(nèi)樹立了高壓超級結(jié)MOSFET技術(shù)的新標桿。作為英飛凌新一代硅基
2024-09-03 14:50:451266 新品600VCoolMOS8SJMOSFET系列英飛凌最新推出的600VCoolMOS8引領(lǐng)著全球高壓超級結(jié)MOSFET技術(shù)的發(fā)展，在全球范圍內(nèi)樹立了技術(shù)和性價比標準。CoolMOS8是英飛凌新一代
2024-09-03 08:02:39930 
LN4203 是一款基于懸浮襯底和 P_EPI 工藝的600V 高壓半橋驅(qū)動器，具有高低邊輸出，用來驅(qū)動半橋電路中的兩個高壓大功率 MOSFET 或 IGBT。LN4203 的輸入信號兼容 CMOS
2024-09-05 15:29:024 TOLL新推出強電流能力，高瞬態(tài)負壓、高引腳耐壓，600V高壓半橋驅(qū)動TMI87162， 該產(chǎn)品使用于電器電機驅(qū)動（空調(diào)、洗衣機、冰箱、洗碗機），風機，通用逆變器，電動自行車，電動工具等應(yīng)用市場
2024-11-25 12:04:301114 
儲能柜 400V 升壓 600V 變壓器：能源轉(zhuǎn)換的關(guān)鍵樞紐》 在當今能源領(lǐng)域的快速發(fā)展中，儲能技術(shù)作為保障能源穩(wěn)定供應(yīng)和高效利用的核心要素，正受到越來越廣泛的關(guān)注。而儲能柜 400V 升壓
2024-12-16 15:38:341154 
600V 變 380V 以及 600V 變 480V 的變壓器，憑借卓越性能與可靠品質(zhì)，成為眾多行業(yè)的理想選擇。 CSA 認證：品質(zhì)與安全的堅實背書 CSA，即加拿大標準協(xié)會認證，在加拿大電氣設(shè)備市場擁有至高權(quán)威性。對于變壓器而言，獲得 CSA 認證絕非易事。從設(shè)計
2025-02-21 14:56:40797 
WD5208，500V高壓MOSFET集成與低功耗PWM控制
2025-02-21 15:42:24862 卓爾凡電力科技變壓器，當進口的加拿大380V半導(dǎo)體設(shè)備在國內(nèi)600V電網(wǎng)環(huán)境下運行時，電壓不匹配問題常常導(dǎo)致設(shè)備無法正常工作，甚至可能損壞設(shè)備。為解決這一難題，卓爾凡電力科技有限公司推出了600V變
2025-03-05 08:50:52547 
內(nèi)容概要：HPD2606X是一款600V半橋柵極驅(qū)動器，采用專有的HVIC和閂鎖免疫CMOS技術(shù)，能夠穩(wěn)定驅(qū)動高壓MOSFET和IGBT。其主要特性包括懸浮通道設(shè)計、抗dV/dt瞬態(tài)負電壓能力、寬門
2025-05-19 11:33:300 ? ? ? ?BDR6307B是一款耐壓600V的半橋柵極驅(qū)動芯片，內(nèi)部集成了邏輯信號輸入處理電路、死區(qū)控制電路、電平位移電路及輸出驅(qū)動電路，用來驅(qū)動雙 N型 MOS 半橋
2025-05-27 17:21:031 在工業(yè)高壓電源系統(tǒng)中，電解電容作為關(guān)鍵元器件，其性能直接關(guān)系到整個系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。冠坤電解電容600V高耐壓系列憑借其卓越的性能和穩(wěn)定的表現(xiàn)，成為高壓電路中的"扛把子"，為工業(yè)高壓電源系統(tǒng)提供
2025-09-02 15:44:42631 Vishay Semiconductors Gen 5 600V超快和極快整流器將低導(dǎo)通和低開關(guān)損耗完美結(jié)合在一起。該整流器設(shè)計用于提高高頻轉(zhuǎn)換器和軟開關(guān)或諧振設(shè)計的效率。Gen 5 600V超快和極快整流器與采用SOT-227封裝的銅基板隔離，有助于構(gòu)建常見散熱片和緊湊型組件。
2025-11-14 17:12:221224 
高壓濾波車規(guī)電容在600V耐壓條件下的應(yīng)用與換電站接口電壓穩(wěn)定性保障 隨著新能源汽車產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，換電模式作為重要的能源補給方式正獲得廣泛應(yīng)用。在換電站系統(tǒng)中，高壓濾波電容作為關(guān)鍵電子元件，其性能
2025-12-05 15:11:03270
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