瑞薩電子宣布開發(fā)出了導(dǎo)通電阻僅為150mΩ（柵源間電壓為10V時(shí)的標(biāo)稱值）的600V耐壓超結(jié)（SJ：Super Junction）型功率MOSFET“RJL60S5系列”，將從2012年9月開始樣品供貨。超結(jié)是可在不犧牲耐壓
2012-06-26 11:01:02
1660 國際整流器公司(International Rectifier，簡稱IR)推出600V絕緣柵雙極晶體管(IGBT)系列，適合在10kHz以下工作的電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用，包括冰箱和空調(diào)的壓縮機(jī)。
2012-09-05 11:09:191327 國際整流器公司 （International Rectifier，簡稱IR） 推出600V絕緣閘雙極電晶體 （IGBT） 系列，藉以優(yōu)化在10kHz以下操作的馬達(dá)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用，包括冰箱及空調(diào)的壓縮機(jī)。
2012-09-06 09:51:002108 Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，其E系列600V功率MOSFET新增采用8種封裝的17款新器件
2012-10-22 13:45:241488 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出采用小尺寸PowerPAK? 8x8封裝的600V E系列功率
2015-10-12 13:58:282813 近日，德州儀器 （TI） 推出了業(yè)內(nèi)速度最快的半橋柵極驅(qū)動(dòng)器。這款用于分立式功率MOSFET和絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） 的柵極驅(qū)動(dòng)器的工作電壓可達(dá)到600V。
2015-10-16 16:32:113206 WD0412 是一款基于懸浮襯底和 P_EPI 工藝的600V 高壓高低邊驅(qū)動(dòng)器，具有高低邊兩路輸出，可以單獨(dú)驅(qū)動(dòng)兩個(gè)高壓大功率 MOSFET 或 IGBT。WD0412 的輸入信號(hào)兼容 CMOS
2022-04-28 08:22:452723 
ST新款STDRIVE601三相閘極驅(qū)動(dòng)器用于驅(qū)動(dòng)600V N通道功率MOSFET和IGBT電極體，穩(wěn)定性位居目前業(yè)界最先進(jìn)之水準(zhǔn)，可耐受低至-100V的負(fù)尖峰電壓，邏輯輸入回應(yīng)速度在85ns以內(nèi)，處于同級(jí)產(chǎn)品一流水準(zhǔn)。
2019-08-22 16:54:061226 Limited?（AOS,?納斯達(dá)克代碼:AOSL)推出 600V aMOS7? 超結(jié)高壓MOSFET。 aMOS7? 是 AOS最新一代高壓 MOSFET平臺(tái)，旨在滿足服務(wù)器、工作站、通信電源整流器
2023-05-11 13:52:151402 
線。該器件采用超級(jí)結(jié)結(jié)構(gòu)，耐壓600V，適用于數(shù)據(jù)中心、開關(guān)電源和光伏發(fā)電機(jī)功率調(diào)節(jié)器。該新產(chǎn)品是東芝DTMOSVI系列中的首款600V產(chǎn)品，于今日開始批量出貨。 ? ? 通過對(duì)柵極設(shè)計(jì)和工藝進(jìn)行優(yōu)化，與具有相同漏源電壓額定值的東芝目前的DTMOSIV-H系列產(chǎn)品相比，600V DTMOSVI系列產(chǎn)品的
2023-06-13 16:38:501327 
band gap power devices, power management ICs, and modules, today announced the release of two aMOS5? 600V FRD Super Junction MO
2024-01-05 15:05:391802 SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 06:19:23
各位大師 請(qǐng)教個(gè)問題本人有臺(tái)開關(guān)電源600V/3A。整流后經(jīng)四個(gè)大容，四個(gè)場效應(yīng)管組成的對(duì)管，后經(jīng)變壓器，再經(jīng)整流。開電沒問題。只要工作就燒開關(guān)管，大功率場效應(yīng)管，兩個(gè)對(duì)管。問問是怎么回事，會(huì)是哪里造成的。
2013-10-11 00:34:27
最近在做一個(gè)項(xiàng)目，直流輸出有600V，輸出與控制板完全隔離，現(xiàn)在我想通過電阻分壓的方式對(duì)其進(jìn)行采樣。分別對(duì)輸出+和輸出-作分壓采樣。但是因?yàn)檩敵龅叵鄬?duì)板子地是懸浮的，所以分壓電路設(shè)計(jì)上難把握。請(qǐng)問板上大聲有沒有有經(jīng)驗(yàn)的或有想法的不吝賜教。另外問一下有沒有用過隔離式直流電壓采樣器件的嗎
2015-09-29 16:25:27
極快反向恢復(fù)速度的600V-1200V碳化硅肖特基二極管芯片及成品器件 。海飛樂技術(shù)600V碳化硅二極管現(xiàn)貨選型相比于Si半導(dǎo)體材料，SiC半導(dǎo)體材料具有禁帶寬度較大、臨界電場較大、熱導(dǎo)率較高的特點(diǎn)，SiC
2019-10-24 14:25:15
BDR6307B 是一款耐壓 600V 的半橋柵極驅(qū)動(dòng)芯片，內(nèi)部集成了邏輯信號(hào)輸入處理電路、死區(qū)控制電路、電平位移電路及輸出驅(qū)動(dòng)電路，用來驅(qū)動(dòng)雙 N 型 MOS 半橋。
BDR6307B 的邏輯
2025-02-20 10:22:03
。高邊連接的MOSFET或IGBT的工作電壓可高達(dá)+600V，IRS26302D廣泛用于通用逆變器和空調(diào)器逆變器以及馬達(dá)控制。它為44腳PLCC封裝工藝。一、IRS26302DJBPF外觀圖
2021-05-18 07:25:34
IRS26302D：保護(hù)式600V三相柵極驅(qū)動(dòng)器
2016-06-21 18:26:25
深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)SA2601A馬達(dá)驅(qū)動(dòng)600V單相雙NMOS半橋柵極驅(qū)動(dòng)芯片
SA2601A是一款針對(duì)于雙NMOS的半橋柵極驅(qū)動(dòng)芯片，專為高壓、高速驅(qū)動(dòng)N型功率MOSFET和IGBT
2024-04-01 17:36:07
具有高脈沖電流緩沖級(jí)的設(shè)計(jì)最小驅(qū)動(dòng)器交叉?zhèn)鲗?dǎo)。漂浮的通道可用于驅(qū)動(dòng)N通道電源高壓側(cè)配置的MOSFET或IGBT工作電壓高達(dá)600V。特性：欠壓鎖定，電壓高達(dá)600V耐負(fù)瞬態(tài)電壓，dV/dt柵極驅(qū)動(dòng)電源
2021-05-11 19:40:19
一、概述：SLM21814CJ-DG是一款高壓高速高低邊門極驅(qū)動(dòng)器，專為驅(qū)動(dòng)MOSFET和IGBT設(shè)計(jì)。其核心優(yōu)勢在于600V高耐壓能力、2.5A/3.5A非對(duì)稱驅(qū)動(dòng)電流以及全電壓范圍內(nèi)的浮動(dòng)通道
2025-11-20 08:47:23
一、概述：高性能半橋驅(qū)動(dòng)SLM2181CA-DG是一款高壓、高速的功率MOSFET和IGBT驅(qū)動(dòng)器，具備獨(dú)立的高邊和低邊參考輸出通道。核心優(yōu)勢在于600V的高耐壓能力、450mA/950mA的非對(duì)稱
2025-11-21 08:35:25
，是各種高壓半橋和全橋拓?fù)涞暮啙嵔鉀Q方案。核心優(yōu)勢解析：
高壓與強(qiáng)驅(qū)動(dòng)力： 芯片的浮動(dòng)通道設(shè)計(jì)支持高達(dá)600V的工作電壓，并能耐受負(fù)壓瞬變，抗dV/dt性能好。提供450mA拉電流和950mA灌電流
2025-08-26 09:15:40
在工業(yè)風(fēng)機(jī)、家電壓縮機(jī)或通用電機(jī)驅(qū)動(dòng)等高壓應(yīng)用中，一個(gè)簡潔可靠的半橋驅(qū)動(dòng)電路是系統(tǒng)穩(wěn)定運(yùn)行的基礎(chǔ)。SiLM2206CJ半橋門極驅(qū)動(dòng)器，集成了關(guān)鍵的自舉二極管，支持高達(dá)600V的母線電壓，在幫助簡化高
2025-12-31 08:22:18
SiLM2234 600V半橋門極驅(qū)動(dòng)器，支持290mA拉電流和600mA灌電流輸出能力，專為高壓、高功率MOSFET和IGBT驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)，內(nèi)部集成自舉二極管，顯著簡化外部電路設(shè)計(jì)，具備優(yōu)異的抗負(fù)向
2025-09-11 08:34:41
600V、4A/4A 半橋門極驅(qū)動(dòng)SiLM2285，超強(qiáng)抗干擾、高效驅(qū)動(dòng)、高邊直驅(qū)設(shè)計(jì)三大核心優(yōu)勢，解決工業(yè)開關(guān)電源、電機(jī)拖動(dòng)、新能源逆變及儲(chǔ)能設(shè)備中的驅(qū)動(dòng)難題，實(shí)現(xiàn)對(duì)高壓、高功率MOSFET
2025-10-21 09:09:18
各位大大，最近在做雙向逆變，想問一下用2變比的高頻變壓器，高壓側(cè)600V降壓到300v，升壓的時(shí)候可以從300V升壓超過600V嗎，有人說高頻變壓器可以升壓超過原來高壓側(cè)輸入的電壓，請(qǐng)問有懂這個(gè)的能說一下能實(shí)現(xiàn)升壓超過2變比的嗎
2018-03-17 15:26:54
采用的是超級(jí)結(jié)工藝。超級(jí)結(jié)技術(shù)是專為配備600V以上擊穿電壓的高壓功率半導(dǎo)體器件開發(fā)的，用于改善導(dǎo)通電阻與擊穿電壓之間的矛盾。采用超級(jí)結(jié)技術(shù)有助于降低導(dǎo)通電阻，并提高M(jìn)OS管開關(guān)速度，基于該技術(shù)的功率MOSFET已成為高壓開關(guān)轉(zhuǎn)換器領(lǐng)域的業(yè)界規(guī)范。
2026-01-05 06:12:51
）
產(chǎn)品簡介：高壓超結(jié)工藝，效率更高、更可靠，適用于600V以上高壓應(yīng)用領(lǐng)域，行業(yè)前沿拓展產(chǎn)品。
應(yīng)用場景：PC電源開關(guān)、電池、逆變器等。
此為RU15P12C的部分參數(shù) 可無償分享
原廠一級(jí)代理可為您答疑解惑
行業(yè)內(nèi)率先通過 ISO9001、ISO14001質(zhì)量體系認(rèn)證的高新技術(shù)企業(yè)。
2024-09-23 17:07:50
本文將介紹英飛凌的第三代采用溝槽柵場終止技術(shù)的 600V IGBT，即IGBT3在UPS中的應(yīng)用。在介紹最新溝槽柵場終止技術(shù)的背景后，本文探討如何充分利用IGBT靜態(tài)與動(dòng)態(tài)性能改進(jìn)和175℃的
2009-11-20 14:30:27
89 輸入12V 5A輸出600V 100MA直流逆變器電源電路
2008-12-07 19:43:292782 
英飛凌欲借新一代超結(jié)MOSFET樹立硬開關(guān)應(yīng)用基準(zhǔn)
英飛凌日前在深圳宣布推出下一代600V MOSFET產(chǎn)品―― CoolMOS C6系列。600V C6系列融合了C3和CP兩個(gè)產(chǎn)品系列的優(yōu)勢，可降低設(shè)
2009-06-23 21:17:44728 IGBT在客車DC 600V系統(tǒng)逆變器中的應(yīng)用與保護(hù)
1．1 IGBT的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)
IGBT是大功率、集成化的“絕緣柵雙極晶體管”(Insulated Gate Bipolar Transistor)。它是80年代初集合
2009-11-05 10:15:211691 
超高效率600V H系列整流器擴(kuò)展硅二極管性能
為協(xié)助電源廠商以更低成本克服高性能系統(tǒng)的各種挑戰(zhàn)， Qspeed半導(dǎo)體公司推出H系列組件Qspeed新款600V功率因數(shù)校正器（PFC
2009-12-31 10:03:111237 500V和600V的高壓MOSFET
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)擴(kuò)充公司市場領(lǐng)先的功率開關(guān)產(chǎn)品陣容，推出包括500伏特(V)和600 V器件的高壓功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFE
2010-02-23 16:15:342107 IR推出汽車驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的AUIRS2301S 600V IC
國際整流器公司(IR)推出 AUIRS2301S 600V IC，適用于汽車電機(jī)驅(qū)動(dòng)、微型逆變器驅(qū)動(dòng)和通用三相逆變器應(yīng)用。AUIRS2301S
2010-03-25 11:36:411787 
IR上市600V耐壓的車載設(shè)備用柵極驅(qū)動(dòng)IC
美國國際整流器公司（IR）上市了+600V耐壓的車載設(shè)備用柵極驅(qū)動(dòng)IC"AUIRS2301S"。主要用
2010-04-09 10:10:321234 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款600V、47A N溝道功率MOSFET --- SiHG47N60S，該MOSFET在10V柵極驅(qū)動(dòng)下具有0.07Ω的
2010-11-09 08:59:572028 關(guān)注點(diǎn)一：功率半導(dǎo)體器件性能 1998年，Infineon公司推出冷mos管，它采用"超級(jí)結(jié)"（Super-Junction）結(jié)構(gòu)，故又稱超結(jié)功率MOSFET。工作電壓600V～800V，通態(tài)電阻幾乎降低了
2010-12-14 12:06:40803 8S2TH06I-M是Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）推出的600V FRED PtTM Hyperfast串級(jí)整流器。
2011-04-01 09:36:431012 在德國紐倫堡舉辦的PCIM Europe 2011展會(huì)（5月17日至19日）上，英飛凌科技600V逆導(dǎo)型（RC）IGBT家族的兩名新成員閃亮登場。這兩款新的功率開關(guān)器件可在目標(biāo)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)最高達(dá)96%的能效。利
2011-06-02 08:57:13950 羅姆開發(fā)了采用SiC功率元件的功率模塊，額定電壓和電流分別為
600V和1000A。該產(chǎn)品是與美國Arkansas Power Electronics International公司共同開發(fā)的。之所以能承受1000A的大電流，是因?yàn)椴捎昧藴?/div>
2011-10-12 09:48:461712 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 近日新推出600V車用IGBT系列，專門針對(duì)電動(dòng)汽車和混合動(dòng)力汽車中的變速電機(jī)控制和電源應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化
2011-10-13 09:03:461170 本文介紹了直流600V輸人多路直流輸出高頻開關(guān)電源設(shè)計(jì)方案，主電路采用雙管反激功率變換電路，控制電路采用電流型PWM控制技術(shù)
2011-10-18 11:51:23128 美國Transphorm公司發(fā)布了耐壓為600V的GaN類功率元件。該公司是以美國加州大學(xué)圣塔巴巴拉分校（UCSB）的GaN元器件研究人員為核心創(chuàng)建的風(fēng)險(xiǎn)企業(yè)，因美國谷歌向其出資而備受功率半導(dǎo)體
2012-05-18 11:43:442262 華潤微電子有限公司旗下的華潤上華科技有限公司（后簡稱“華潤上華”）宣布已開發(fā)完成600V和1700V Planar NPT IGBT（平面非穿通型絕緣柵雙極晶體管）以及600V Trench PT IGBT（溝槽穿通型絕緣
2012-05-29 08:47:482638 瑞薩電子宣布開發(fā)出了導(dǎo)通電阻僅為150m（柵源間電壓為10V時(shí)的標(biāo)稱值）的600V耐壓超結(jié)（SJ：Super Junction）型功率MOSFETRJL60S5系列，將從2012年9月開始樣品供貨。超結(jié)是可在不犧牲耐壓的情
2012-06-26 11:03:401003 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商——國際整流器公司 （International Rectifier，簡稱IR） 宣布擴(kuò)充節(jié)能的600V絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） 系列，并提供多種封裝選擇。
2014-05-14 13:58:421778 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 （International Rectifier，簡稱IR）近日發(fā)布600V車用IGBT產(chǎn)品AUIRGP66524D0和 AUIRGF66524D0，針對(duì)混合動(dòng)力汽車和電動(dòng)車中的小型輔助電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用而優(yōu)化，包括空調(diào)壓縮機(jī)應(yīng)用等。
2014-12-11 11:48:093378 
MOSFET的首顆器件---SiHP065N60E。Vishay Siliconix N溝道SiHP065N60E的導(dǎo)通電阻比前一代600V E系列MOSFET低30%，為通信、工業(yè)和企業(yè)級(jí)電源提供了
2017-02-10 15:10:112189 耐壓600V的MOSFET比較便宜，很多認(rèn)為LED燈具的輸入電壓一般是220V，所以耐壓600V足夠了，但是很多時(shí)候電路電壓會(huì)到340V，在有的時(shí)候，600V的MOSFET很容易被擊穿，從而影響了
2017-05-22 15:12:107070 高壓Gatedriver 600V工藝，替代IR2103，替代FD2503，替代SDC9301
2017-11-23 14:17:3233 高壓Gatedriver 600V工藝，替代IR2104，替代FD2504
2017-11-23 14:15:2346 描述bp6901a / bp6908a是一種高電壓，高速半橋預(yù)潛水員對(duì)功率MOSFET和IGBT。它具有高側(cè)和低側(cè)的輸入，以及具有內(nèi)部死區(qū)時(shí)間的兩個(gè)輸出通道，以避免交叉?zhèn)鲗?dǎo)。輸入邏輯水平與3.3v/5v/15v信號(hào)兼容。浮高側(cè)通道可驅(qū)動(dòng)N溝道功率MOSFET或IGBT 600V。
2017-11-23 14:13:3759 MIC4609 是一款600V 三 相MOSFET/IGBT 驅(qū) 動(dòng) 器。 MIC4609具有300 ns的典型輸入濾波時(shí)間，旨在避免出現(xiàn)意外的脈沖和獲得550 ns的傳播延時(shí)。MIC4609具有 TTL輸入閾值。
2018-07-02 09:24:0011 意法半導(dǎo)體的STDRIVE601三相柵極驅(qū)動(dòng)器用于驅(qū)動(dòng)600V N溝道功率MOSFET和IGBT管，穩(wěn)健性居目前業(yè)內(nèi)最先進(jìn)水平，可耐受低至-100V的負(fù)尖峰電壓，邏輯輸入響應(yīng)速度在85ns以內(nèi)，處于同級(jí)產(chǎn)品一流水平。
2019-07-18 09:03:001529 商業(yè)化正處于起步階段，F(xiàn)S技術(shù)更是遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后于發(fā)達(dá)國家。本論文提出一種600V平面柵FS-IGBT器件的設(shè)計(jì)與制造方法，并通過
2019-12-19 17:59:0025 在高溫下，溫度系數(shù)會(huì)顯著改變擊穿電壓。例如，一些600V電壓等級(jí)的N溝道MOSFET的溫度系數(shù)是正的，在接近最高結(jié)溫時(shí)，溫度系數(shù)會(huì)讓這些MOSFET變得象650V MOSFET。
2021-03-11 09:50:585116 LT1358/LT1359：雙路和四路25 MHz、600V/μs運(yùn)算放大器數(shù)據(jù)表
2021-05-08 12:42:3510 LT1357：25MHz，600V/OP數(shù)據(jù)Sheet
2021-05-21 09:20:080 SVF12N60F/S/K 600V N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管資料下載。
2022-02-16 14:52:580 220V交流轉(zhuǎn)600V直流，沒有380的可以這樣接直流母線上
2022-06-06 10:07:2927 Vishay 推出四款采用 TO-220 FullPAK 2L 全隔離封裝的新型 FRED Pt 第五代 600V Hyperfast 恢復(fù)整流器。
2022-10-14 16:11:242241 Vishay Siliconix n 溝道 SiHK045N60EF 導(dǎo)通電阻比前代器件降低 29 %，為通信、工業(yè)和計(jì)算應(yīng)用提供高效、高功率密度解決方案，同時(shí)柵極電荷下降 60 %，從而使器件導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積，即功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中 600V MOSFET 的重要優(yōu)值系數(shù)（FOM）創(chuàng)業(yè)界新低。
2022-10-14 16:16:121359 AN-9085 智能電源模塊，600V Motion SPM?3 ver.5 系列用戶指南
2022-11-14 21:08:341 600V SPM? 2 系列熱性能（通過安裝扭矩）
2022-11-15 20:04:030 近年來超級(jí)結(jié)（Super Junction）結(jié)構(gòu)的MOSFET（以下簡稱“SJ-MOSFET”）應(yīng)用越來越廣泛。關(guān)于SiC-MOSFET，ROHM已經(jīng)開始量產(chǎn)特性更優(yōu)異的溝槽式結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET。
2023-02-08 13:43:191306 
600V耐壓IGBT IPM：BM6337x系列?關(guān)鍵詞 兼具業(yè)內(nèi)優(yōu)異的降噪和低損耗特性 600V耐壓IGBT IPM 各種變頻器的功率轉(zhuǎn)換用 BM6337x系列 優(yōu)化內(nèi)置...
2023-02-08 13:43:212074 
20 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMH600UNE
2023-02-20 20:06:390 PT5616/PT5616A是全橋驅(qū)動(dòng)IC，在最大阻斷電壓為600V的三相系統(tǒng)中，用于控制功率器件，如MOS晶體管或IGBT。
2023-02-24 18:13:333035 20 V、雙 N 溝道溝槽 MOSFET-PMDXB600UNE
2023-02-27 19:04:542 20 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMZB600UNEL
2023-02-27 19:10:050 20 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMZ600UNEL
2023-02-27 19:10:580 20 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMZB600UNE
2023-03-02 22:48:200 20 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMZ600UNE
2023-03-02 22:49:200 有助于配備小型電機(jī)的設(shè)備減少抗噪聲設(shè)計(jì)工時(shí)和部件數(shù)量，并降低功率損耗 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）在其600V耐壓Super Junction MOSFET *1
2023-04-19 17:50:021093 
同時(shí)實(shí)現(xiàn)業(yè)界超快反向恢復(fù)時(shí)間和業(yè)界超低導(dǎo)通電阻，可進(jìn)一步降低工業(yè)設(shè)備和白色家電的損耗 ROHM的600V耐壓Super Junction MOSFET PrestoMOS 產(chǎn)品陣容中又新增了
2023-07-12 12:10:081617 逆變器中600V-1200V 碳化硅MOSFET未來十年的復(fù)合年增長率為27%。
2023-07-17 11:33:24797 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《600V三相MOSFET/IGBT驅(qū)動(dòng)器.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-09-25 11:27:500 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，推出兩款600V小型智能功率器件（IPD）—“TPD4163K”和“TPD4164K”，可用于空調(diào)、空氣凈化器和泵等直流無刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用。
2023-10-27 11:05:541530 
美格納半導(dǎo)體宣布推出微納加工增強(qiáng)型第六代 600V 超級(jí)結(jié)金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 (SJ MOSFET)。 這款第六代 600V SJ MOSFET (MMD60R175S6ZRH) 采用
2023-11-02 17:04:011859 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)開發(fā)出采用SOT-223-3小型封裝(6.50mm×7.00mm×1.66mm)的600V耐壓Super Junction MOSFET*1
2023-12-08 17:38:081200 
小型封裝（6.50mm×7.00mm×1.66mm）的600V耐壓Super Junction MOSFET *1 ，新產(chǎn)品非常適用于照明用小型電源、電泵和電機(jī)等應(yīng)用。 R6004END4
2023-12-12 12:10:011409 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《1kW 600V工業(yè)電機(jī)控制電源板SECO-1KW-MCTRL-GEVB數(shù)據(jù)手冊(cè).rar》資料免費(fèi)下載
2024-04-25 15:04:411 Vishay公司近日重磅推出了一款革命性的功率MOSFET產(chǎn)品——SiHR080N60E，它采用了新型的PowerPAK? 8 x 8 LR封裝技術(shù)，標(biāo)志著第四代600V E系列功率MOSFET的誕生。這一創(chuàng)新產(chǎn)品為通信、工業(yè)及計(jì)算領(lǐng)域帶來了前所未有的高效高功率密度解決方案。
2024-05-14 15:33:381341 英飛凌再次引領(lǐng)行業(yè)潮流，最新推出的600V CoolMOS? 8 SJ MOSFET系列，以其卓越的技術(shù)創(chuàng)新和卓越性價(jià)比，在全球范圍內(nèi)樹立了高壓超級(jí)結(jié)MOSFET技術(shù)的新標(biāo)桿。作為英飛凌新一代硅基
2024-09-03 14:50:451266 新品600VCoolMOS8SJMOSFET系列英飛凌最新推出的600VCoolMOS8引領(lǐng)著全球高壓超級(jí)結(jié)MOSFET技術(shù)的發(fā)展，在全球范圍內(nèi)樹立了技術(shù)和性價(jià)比標(biāo)準(zhǔn)。CoolMOS8是英飛凌新一代
2024-09-03 08:02:39930 
LN4203 是一款基于懸浮襯底和 P_EPI 工藝的600V 高壓半橋驅(qū)動(dòng)器，具有高低邊輸出，用來驅(qū)動(dòng)半橋電路中的兩個(gè)高壓大功率 MOSFET 或 IGBT。LN4203 的輸入信號(hào)兼容 CMOS
2024-09-05 15:29:024 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《適用于600V GaN功率級(jí)的QFN12x12封裝的熱性能.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-09-21 10:18:060 儲(chǔ)能柜 400V 升壓 600V 變壓器：能源轉(zhuǎn)換的關(guān)鍵樞紐》 在當(dāng)今能源領(lǐng)域的快速發(fā)展中，儲(chǔ)能技術(shù)作為保障能源穩(wěn)定供應(yīng)和高效利用的核心要素，正受到越來越廣泛的關(guān)注。而儲(chǔ)能柜 400V 升壓
2024-12-16 15:38:341154 
400V 變 600V 儲(chǔ)能雙向升降壓變壓器：智能高效的電力轉(zhuǎn)換核心 在當(dāng)今快速發(fā)展的能源存儲(chǔ)與電力轉(zhuǎn)換領(lǐng)域，400V 變 600V 儲(chǔ)能雙向升降壓變壓器憑借其獨(dú)特的性能和先進(jìn)的設(shè)計(jì)，成為了眾多
2024-12-16 17:14:261057 
出口加拿大電壓測試變壓器：380V變600V，帶零線和地線，隔離帶箱體的全面解析 在全球電氣設(shè)備貿(mào)易的廣闊舞臺(tái)上，電壓測試變壓器作為連接不同電壓標(biāo)準(zhǔn)的關(guān)鍵橋梁，其重要性不言而喻。特別是在中國設(shè)備出口
2024-12-18 09:58:11937 
600V 變 380V 以及 600V 變 480V 的變壓器，憑借卓越性能與可靠品質(zhì)，成為眾多行業(yè)的理想選擇。 CSA 認(rèn)證：品質(zhì)與安全的堅(jiān)實(shí)背書 CSA，即加拿大標(biāo)準(zhǔn)協(xié)會(huì)認(rèn)證，在加拿大電氣設(shè)備市場擁有至高權(quán)威性。對(duì)于變壓器而言，獲得 CSA 認(rèn)證絕非易事。從設(shè)計(jì)
2025-02-21 14:56:40797 
卓爾凡電力科技變壓器，當(dāng)進(jìn)口的加拿大380V半導(dǎo)體設(shè)備在國內(nèi)600V電網(wǎng)環(huán)境下運(yùn)行時(shí)，電壓不匹配問題常常導(dǎo)致設(shè)備無法正常工作，甚至可能損壞設(shè)備。為解決這一難題，卓爾凡電力科技有限公司推出了600V變
2025-03-05 08:50:52547 
內(nèi)容概要：HPD2606X是一款600V半橋柵極驅(qū)動(dòng)器，采用專有的HVIC和閂鎖免疫CMOS技術(shù)，能夠穩(wěn)定驅(qū)動(dòng)高壓MOSFET和IGBT。其主要特性包括懸浮通道設(shè)計(jì)、抗dV/dt瞬態(tài)負(fù)電壓能力、寬門
2025-05-19 11:33:300 在跨國工業(yè)供電、數(shù)據(jù)中心及精密設(shè)備場景中，電壓不匹配與電網(wǎng)干擾是核心痛點(diǎn)——美國本土常見的600V級(jí)電網(wǎng)（480V線電壓）與全球通用的380V工業(yè)電機(jī)、208V服務(wù)器、220V精密儀器存在電壓壁壘
2025-08-27 10:42:19806 
Vishay Semiconductors Gen 5 600V超快和極快整流器將低導(dǎo)通和低開關(guān)損耗完美結(jié)合在一起。該整流器設(shè)計(jì)用于提高高頻轉(zhuǎn)換器和軟開關(guān)或諧振設(shè)計(jì)的效率。Gen 5 600V超快和極快整流器與采用SOT-227封裝的銅基板隔離，有助于構(gòu)建常見散熱片和緊湊型組件。
2025-11-14 17:12:221224 
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