瑞薩電子宣布開發出了導通電阻僅為150mΩ(柵源間電壓為10V時的標稱值)的600V耐壓超結(SJ:Super Junction)型功率MOSFET“RJL60S5系列”,將從2012年9月開始樣品供貨。超結是可在不犧牲耐壓
2012-06-26 11:01:02
1660 國際整流器公司(International Rectifier,簡稱IR)推出600V絕緣柵雙極晶體管(IGBT)系列,適合在10kHz以下工作的電機驅動應用,包括冰箱和空調的壓縮機。
2012-09-05 11:09:19
1327 Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,其E系列600V功率MOSFET新增采用8種封裝的17款新器件
2012-10-22 13:45:24
1488 英飛凌科技股份公司(FSE代碼: IFX / OTCQX代碼: IFNNY)進一步壯大其高壓產品組合,推出采用全新650V超結MOSFET技術的CoolMOSTM C7。全新的C7產品家族針對所有標準封裝實現了一流的通態電阻RDS(on)。另外,得益于低開關損耗,還可在任何負載條件下實現能效改進。
2013-05-20 11:31:28
2996 近日,德州儀器 (TI) 推出了業內速度最快的半橋柵極驅動器。這款用于分立式功率MOSFET和絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 的柵極驅動器的工作電壓可達到600V。
2015-10-16 16:32:11
3206 更高密度的低功率SMPS設計需要越來越多的高壓MOSFET器件。英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)推出CoolMOS? P7系列的新成員950 V CoolMOS P7超結MOSFET器件。
2018-08-27 14:15:53
6744 “超結”技術憑借其優異的性能指標,長期主導著耐壓超過600V的功率MOSFET市場。本文闡述了工程師在應用超結功率器件時需關注的關鍵問題,并提出了一種優化解決方案,可顯著提升電源應用的效率、功率密度及可靠性。
2025-09-11 16:21:51
44448 
英飛凌科技股份公司成功開發出滿足最高效率和質量要求的解決方案。對于MOSFET低頻率開關應用而言,新推出的600 V CoolMOS? S7系列產品可帶來領先的功率密度和能效。
2020-03-04 07:46:00
1789 線。該器件采用超級結結構,耐壓600V,適用于數據中心、開關電源和光伏發電機功率調節器。該新產品是東芝DTMOSVI系列中的首款600V產品,于今日開始批量出貨。 ? ? 通過對柵極設計和工藝進行優化,與具有相同漏源電壓額定值的東芝目前的DTMOSIV-H系列產品相比,600V DTMOSVI系列產品的
2023-06-13 16:38:50
1327 
band gap power devices, power management ICs, and modules, today announced the release of two aMOS5? 600V FRD Super Junction MO
2024-01-05 15:05:39
1802 理應用的600 V CoolMOS? S7TA超級結MOSFET。S7TA專為滿足汽車電子部件的特殊要求而設計,其集成溫度傳感器在工業應用同類產品(CoolMOS? S7T)取得的進步基礎上,顯著提高了結溫傳感
2024-06-24 16:18:22
1537 
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術功率MOSFET,根據superP&S的結原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優點,使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明,
高性能適配器等。
2023-09-15 06:19:23
BDR6307B 是一款耐壓 600V 的半橋柵極驅動芯片,內部集成了邏輯信號輸入處理電路、死區控制電路、電平位移電路及輸出驅動電路,用來驅動雙 N 型 MOS 半橋。
BDR6307B 的邏輯
2025-02-20 10:22:03
海飛樂技術有限公司是一家以快速恢復二極管(FRD)、快恢復模塊、超結MOSFET等新型功率半導體芯片及器件的設計、生產和銷售為主營業務的高科技企業。公司快恢復二極管/模塊產品廣泛應用于變頻空調
2019-10-24 14:25:15
在工業電機、新能源逆變器等高功率應用的設計中,你是否也在高壓驅動的門檻前反復權衡?
如果你的電路需要在最高600V的母線電壓下工作,驅動大功率MOSFET或IGBT,什么樣的門極驅動器才能在高頻開關
2025-12-03 08:25:35
使用內部軟啟動的典型應用電路,VIN = 12 V,VOUT = 1.8 V,IOUT = 6 A,fSW = 600 kHz,用于ADP2386 20V,6A,同步降壓DC-DC穩壓器
2019-08-12 07:38:58
N溝道功率MOSFET 美容儀加濕器專用HC3400Y 高性能30V5.7AMOS管
2025-10-31 09:35:26
深圳市三佛科技有限公司供應SA2601A馬達驅動600V單相雙NMOS半橋柵極驅動芯片
SA2601A是一款針對于雙NMOS的半橋柵極驅動芯片,專為高壓、高速驅動N型功率MOSFET和IGBT
2024-04-01 17:36:07
具有高脈沖電流緩沖級的設計最小驅動器交叉傳導。漂浮的通道可用于驅動N通道電源高壓側配置的MOSFET或IGBT工作電壓高達600V。特性:欠壓鎖定,電壓高達600V耐負瞬態電壓,dV/dt柵極驅動電源
2021-05-11 19:40:19
一、概述:SLM21814CJ-DG是一款高壓高速高低邊門極驅動器,專為驅動MOSFET和IGBT設計。其核心優勢在于600V高耐壓能力、2.5A/3.5A非對稱驅動電流以及全電壓范圍內的浮動通道
2025-11-20 08:47:23
,是各種高壓半橋和全橋拓撲的簡潔解決方案。核心優勢解析:
高壓與強驅動力: 芯片的浮動通道設計支持高達600V的工作電壓,并能耐受負壓瞬變,抗dV/dt性能好。提供450mA拉電流和950mA灌電流
2025-08-26 09:15:40
600V、4A/4A 半橋門極驅動SiLM2285,超強抗干擾、高效驅動、高邊直驅設計三大核心優勢,解決工業開關電源、電機拖動、新能源逆變及儲能設備中的驅動難題,實現對高壓、高功率MOSFET
2025-10-21 09:09:18
升/下降時間及170ns典型傳播延遲,顯著降低開關損耗,提升高頻應用下的轉換效率和功率密度。
高邊直驅設計: 獨特的浮動通道設計,支持直接驅動600V高邊N溝道MOSFET/IGBT,無需額外隔離電源
2025-08-08 08:46:25
高壓。額定電壓每增加一倍,維持相同的RDS(on)所需的面積就增加為原來的五倍以上。對于額定電壓為600V的MOSFET,超過95%的電阻來自外延層。顯然,要想顯著減小RDS(on)的值,就需要找到一種
2017-08-09 17:45:55
低內阻超結MOS NCE08N608A 600V內阻600豪歐封裝TO-220 TO-251TO-252
2012-08-10 16:43:26
- STGIPNxH60y, STGIPQxH60y · 超結MOSFET: 3/5 A、600V 內置快速恢復二極管N溝道 MDMesh? DM2 功率MOSFET - STIPQxM60y 從這兩項技術
2018-11-20 10:52:44
本文重點介紹為電源用高壓超結MOSFET增加晶圓級可配置性的新方法。現在有一種為高壓超結MOSFET增加晶圓級可配置性的新方法,以幫助解決電源電路問題。MOSFET 在壓擺率、閾值電壓、導通電
2023-02-27 10:02:15
各位大大,最近在做雙向逆變,想問一下用2變比的高頻變壓器,高壓側600V降壓到300v,升壓的時候可以從300V升壓超過600V嗎,有人說高頻變壓器可以升壓超過原來高壓側輸入的電壓,請問有懂這個的能說一下能實現升壓超過2變比的嗎
2018-03-17 15:26:54
采用的是超級結工藝。超級結技術是專為配備600V以上擊穿電壓的高壓功率半導體器件開發的,用于改善導通電阻與擊穿電壓之間的矛盾。采用超級結技術有助于降低導通電阻,并提高MOS管開關速度,基于該技術的功率MOSFET已成為高壓開關轉換器領域的業界規范。
2026-01-05 06:12:51
增加,外延層需要更厚和更輕摻雜,以阻斷高壓。額定電壓每增加一倍,維持相同的RDS(on)所需的面積就增加為原來的五倍以上。對于額定電壓為600V的MOSFET,超過95%的電阻來自外延層。顯然,要想顯著
2018-10-17 16:43:26
國際整流器公司推出一系列新一代500V及600V高壓集成電路(HVIC)。這19款新型HVIC采用半橋設計,配有高端和低端驅動器,可廣泛適用于包括馬達控制、照明、開關電源、音頻和平板顯示器等
2018-08-31 11:23:15
1.8-9V/3A 集成四顆 50mohm 功率開關的 H 橋線圈驅動器功能描述:ETA7524 是一款集成了雙半橋(一個 H 橋)驅動和四個內阻為 50mohm 的 9V/3A 功率開關的驅動器
2018-12-22 15:41:47
)
產品簡介:高壓超結工藝,效率更高、更可靠,適用于600V以上高壓應用領域,行業前沿拓展產品。
應用場景:PC電源開關、電池、逆變器等。
此為RU15P12C的部分參數 可無償分享
原廠一級代理可為您答疑解惑
行業內率先通過 ISO9001、ISO14001質量體系認證的高新技術企業。
2024-09-23 17:07:50
加深理解,最好還是參閱技術規格的標準值和特性圖表。【標準SJ MOSFET:AN系列】R50xxANx(500V)R52xxANx系列(520V)R60xxANx系列(600V)R80xxANx系列
2018-12-03 14:27:05
摘 要: 對超結理論的產生背景及其發展過程進行了介紹。以應用超結理論的COOLMOSTM 器件為例,介紹了超結器件的工作原理、存在的缺點以及提出的改進方法;并對其他基于超結
2008-11-14 15:32:10
0 供應600V20A高壓超結mos管SVS20N60P7D2 ,提供SVS20N60P7D2參數 ,更多產品手冊、應用料資請向士蘭微mos代理驪微電子申請。>>
2022-05-18 15:16:15
供應士蘭微cool mos SVSP24N60FJDD2 24A 600V,提供 超晶結mos管SVSP24N60FJDD2參數 ,更多產品手冊、應用料資請向士蘭微mos代理驪微電子申請。>>
2022-05-18 16:09:17
SVSP24NF60FJDD2 超結mos 耐壓600V,24A,適用于硬/軟開關拓撲,更多產品手冊、應用料資請向士蘭微MOS管一級代理驪微電子申請。>>
2022-09-06 14:32:05
供應14A,600V新型超結MOS器件SVS14N60FJD2,適用于硬/軟開關拓撲,照明,適配器等領域,更多產品手冊、應用料資請向士蘭微MOS管一級代理驪微電子申請。>>
2022-11-02 15:31:47
超結理論的產生與發展及其對高壓MOSFET器件設計的影響:對超結理論的產生背景及其發展過程進行了介紹。以應用超結理論的COOLMOSTM 器件為例,介紹了超結器件的工作原理、存在的缺
2009-12-13 19:57:27
31 芯朋微電子ID7S625 600V高壓半橋驅動芯片 一、概述ID7S625半橋驅動芯片是一款基于P襯底、 P外延的高壓、高速功率的MOSFET和IGBT柵極驅動器
2024-08-15 15:12:20
英飛凌欲借新一代超結MOSFET樹立硬開關應用基準
英飛凌日前在深圳宣布推出下一代600V MOSFET產品―― CoolMOS C6系列。600V C6系列融合了C3和CP兩個產品系列的優勢,可降低設
2009-06-23 21:17:44
728 600V MOSFET繼續擴展Super Junction FET技術
日前,Vishay Intertechnology, Inc.推出4款新的600V MOSFET
2010-01-26 16:26:18
1434 500V和600V的高壓MOSFET
安森美半導體(ON Semiconductor)擴充公司市場領先的功率開關產品陣容,推出包括500伏特(V)和600 V器件的高壓功率金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFE
2010-02-23 16:15:34
2107 IR推出汽車驅動應用的AUIRS2301S 600V IC
國際整流器公司(IR)推出 AUIRS2301S 600V IC,適用于汽車電機驅動、微型逆變器驅動和通用三相逆變器應用。AUIRS2301S
2010-03-25 11:36:41
1787 
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款600V、47A N溝道功率MOSFET --- SiHG47N60S,該MOSFET在10V柵極驅動下具有0.07Ω的
2010-11-09 08:59:57
2028 8S2TH06I-M是Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)推出的600V FRED PtTM Hyperfast串級整流器。
2011-04-01 09:36:43
1012 全球功率半導體和管理方案領導廠商國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 近日新推出600V車用IGBT系列,專門針對電動汽車和混合動力汽車中的變速電機控制和電源應用進行了優化
2011-10-13 09:03:46
1170 全球功率半導體和管理方案領導廠商國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 近日推出600V AUIRS2332J 三相柵極驅動器IC,適用于電動汽車和混合動力汽車中的車用高壓電機驅動應用。
2011-10-21 09:45:21
1990 賓夕法尼亞、MALVERN — 2012 年 5 月3 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出其下一代D系列高壓功率MOSFET的首款器件。新的400V、500V和600V n溝道器件具有低導通
2012-05-03 17:29:42
2109 瑞薩電子宣布開發出了導通電阻僅為150m(柵源間電壓為10V時的標稱值)的600V耐壓超結(SJ:Super Junction)型功率MOSFETRJL60S5系列,將從2012年9月開始樣品供貨。超結是可在不犧牲耐壓的情
2012-06-26 11:03:40
1004 MOSFET--- SiHx25N50E,該器件具有與該公司600V和650V E系列器件相同的低導通電阻和低開關損耗優點。
2014-10-09 12:59:19
1841 
賓夕法尼亞、MALVERN — 2017 年 2 月10 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出第四代600V E系列功率
2017-02-10 15:10:11
2189 ,例如電壓調節器、加熱和電機速度控制。 全新SJxx40x系列是Littelfuse首款能夠處理600V、40Arms和高達150°C結溫的SCR晶閘管。
2017-07-21 16:01:37
1413 高壓Gatedriver 600V工藝,替代IR2103,替代FD2503,替代SDC9301
2017-11-23 14:17:32
33 高壓Gatedriver 600V工藝,替代IR2104,替代FD2504
2017-11-23 14:15:23
46 超結MOS也叫COOlMOS,是在普通MOS基礎上使用新型超結結構設計的MOS管。超結MOS管主要在500V、600V、650V及以上高電壓場合使用。
2022-07-15 17:12:36
9503 
的MOSFET和IGBT柵極驅動器,廣泛應用于DCDC轉換器、功率MOSFET和IGBT驅動、DC/AC轉換器等領域。 ir2110替代芯片ID7S625特征 ■ 芯片工作電壓范圍10V~20V ■ 輸入
2022-07-30 16:48:44
2927 維安高壓超結MOSFET,輕松解決LED電源浪涌
2022-12-30 17:07:22
1505 
WAYON維安高壓超結MOSFET,輕松解決LED電源浪涌
2023-01-06 13:04:51
1315 
N 溝道 50 V、0.90 mOhm、410 A 邏輯電平 LFPAK88 中的特定應用 MOSFET-PSMNR90-50SLH
2023-02-09 21:57:06
0 LFPAK56E 中的 N 溝道 50 V、1.7 mOhm、200 A 連續邏輯電平專用 MOSFET-PSMN1R5-50YLH
2023-02-14 18:34:10
0 650 V、50 mOhm 氮化鎵 (GaN) FET-GAN063-650WSA
2023-02-17 19:47:24
5 LFPAK56 中的 N 溝道 40 V、7.0 mOhm 標準電平 MOSFET-BUK7Y7R0-40H
2023-02-17 19:59:22
0 TO-220 中的 N 溝道 80 V 8.7 mOhm 標準電平 MOSFET-PSMN8R7-80PS
2023-03-02 22:24:43
0 N 溝道 60 V 7.8 mOhm 標準電平 MOSFET-PSMN7R6-60PS
2023-03-02 22:24:54
0 TO-220 中的 N 溝道 30 V 2.7 mOhm 邏輯電平 MOSFET-PSMN2R7-30PL
2023-03-02 22:25:44
0 LFPAK 中的 N 溝道 30 V 7 mOhm 邏輯電平 MOSFET-PSMN7R0-30YL
2023-03-02 22:37:07
0 采用 NextPower 技術的 LFPAK33 中的 N 溝道 30 V 7 mOhm 邏輯電平 MOSFET-PSMN7R0-30MLC
2023-03-03 18:50:16
0 RJH60M7DPQ-E0 數據表 (600V - 50A - IGBT/Application: Inverter)
2023-03-31 19:11:00
0 同時實現業界超快反向恢復時間和業界超低導通電阻,可進一步降低工業設備和白色家電的損耗 ROHM的600V耐壓Super Junction MOSFET PrestoMOS 產品陣容中又新增了
2023-07-12 12:10:08
1617 RJH60M7DPQ-E0 數據表 (600V - 50A - IGBT/Application: Inverter)
2023-07-13 20:19:16
0 繼先后推出成熟化的全系列碳化硅二極管、碳化硅MOSFET以及碳化硅模塊產品后,2023年7月 森國科正式對外推出650V超結MOSFET系列新品 ,相較于傳統的功率MOSFET,SJMOSFET具有
2023-07-20 11:09:16
2414 
SLH60R028E7是一款600VN溝道多層外延工藝的超結MOS,由于MOSFET的導通電阻隨著擊穿電壓的上升而迅速增大,故在高壓領域,普通MOSFET導通阻抗大,難以滿足實際應用需要。超結
2023-08-18 08:32:56
2019 
逆變器、全橋驅動逆變器等領域。ir2104替代芯片ID7U603SEC-R1特點■浮動工作電壓可達600V■拉灌電流典型值210mA/360mA■兼容3.3V/5V的輸入邏輯電平■dV/dt抗干擾能力±5
2023-03-29 09:24:35
3257 
電子發燒友網站提供《600V三相MOSFET/IGBT驅動器.pdf》資料免費下載
2023-09-25 11:27:50
0 驪微電子是芯朋微一級代理商,提供ID2304D高壓半橋驅動芯片600V,可兼容代換L6388,更多驅動產品手冊、應用料資請向驪微電子申請。>>
2021-12-29 14:25:49
10 SVS11N60FJD2600V11A超結高壓mos,更多產品手冊、應用料資請向士蘭微mos代理驪微電子申請。>>
2022-08-30 15:59:03
2 SVSP35NF65P7D3士蘭微高壓超結mos管650V,35A,提供SVSP35NF65P7D3關鍵參數,更多產品手冊、應用料資請向士蘭微mos代理驪微電子申請。>>
2022-09-06 14:57:50
8 供應高壓超結mos管7A,700V SVS70R600D(S)(MJ)(F)E3,提供SVS70R600DE3關鍵參數 ,更多產品手冊、應用料資請向士蘭微mos代理驪微電子申請。>>
2022-11-02 16:14:27
2 供應50a 600v igbt 驅動電路SGTP50V60FD2PF,提供SGTP50V60FD2PF關鍵參數 ,更多產品手冊、應用料資請向士蘭微IGBT代理驪微電子申請。>>
2023-04-03 17:15:59
3 供應電機常用igbt管SGTP50V60FD2PU耐壓600V 50A,提供SGTP50V60FD2PU關鍵參數 ,更多產品手冊、應用料資請向士蘭微IGBT代理驪微 電子申請。>>
2023-04-03 17:24:10
6 美格納半導體宣布推出微納加工增強型第六代 600V 超級結金屬氧化物半導體場效應晶體管 (SJ MOSFET)。 這款第六代 600V SJ MOSFET (MMD60R175S6ZRH) 采用
2023-11-02 17:04:01
1859 MOS管在直流充電樁上的應用,推薦瑞森半導650V/1200V碳化硅MOS系列,600V/650V超結MOS系列
2023-12-08 11:50:15
1700 
Alpha and Omega Semiconductor Limited (AOS) 推出了一款 100V MOSFET——AONA66916,采用了創新的雙面散熱 DFN 5 x 6 封裝。這一創新型封裝為 AOS 產品賦予了卓越的散熱性能,使其在長期惡劣的運行條件下仍能保持穩定的性能。
2024-01-26 18:25:15
3071 【 2024 年 6 月 26 日 , 德國慕尼黑 訊 】 英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)推出600 V CoolMOS? 8 高壓超結(SJ)MOSFET
2024-06-26 18:12:00
939 
英飛凌再次引領行業潮流,最新推出的600V CoolMOS? 8 SJ MOSFET系列,以其卓越的技術創新和卓越性價比,在全球范圍內樹立了高壓超級結MOSFET技術的新標桿。作為英飛凌新一代硅基
2024-09-03 14:50:45
1266 新品600VCoolMOS8SJMOSFET系列英飛凌最新推出的600VCoolMOS8引領著全球高壓超級結MOSFET技術的發展,在全球范圍內樹立了技術和性價比標準。CoolMOS8是英飛凌新一代
2024-09-03 08:02:39
930 
LN4203 是一款基于懸浮襯底和 P_EPI 工藝的600V 高壓半橋驅動器,具有高低邊輸出,用來驅動半橋電路中的兩個高壓大功率 MOSFET 或 IGBT。LN4203 的輸入信號兼容 CMOS
2024-09-05 15:29:02
4 600V CoolMOS S7T集成溫度傳感器,提高了結溫測量的精度和魯棒性,同時容易使用。該器件針對低頻和大電流開關應用進行了優化,它是固態繼電器、固態斷路器和SMPS中有源整流電路的理想選擇。集成溫度傳感器提供CoolMOS S7結溫測量功能,提高了器件利用率。
2024-11-13 11:36:23
1027 650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結MOSFET和高壓GaN氮化鎵器件
2025-01-23 16:27:43
1780 
隨著BASiC基本半導體等企業的650V碳化硅MOSFET技術升級疊加價格低于進口超結MOSFET,不少客戶已經開始動手用國產SiC碳化硅MOSFET全面取代超結MOSFET,電源客戶從超結MOSFET升級至650V碳化硅MOSFET的根本驅動力分析。
2025-03-01 08:53:44
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電壓的平衡。另超結MOSFET具有更低的導通電阻和更優化的電荷分布,因此其開關速度通常比普通MOSFET更快,有助于減少電路中的開關損耗。由于其出色的高壓性能和能效比,超結MOSFET更適合于高壓、大功率的應用場景。
2025-05-06 15:05:38
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內容概要:HPD2606X是一款600V半橋柵極驅動器,采用專有的HVIC和閂鎖免疫CMOS技術,能夠穩定驅動高壓MOSFET和IGBT。其主要特性包括懸浮通道設計、抗dV/dt瞬態負電壓能力、寬門
2025-05-19 11:33:30
0 新品650VCoolMOS8超結(SJ)MOSFET英飛凌推出全新650VCoolMOS8引領全球高壓超結SJMOSFET技術,為行業技術和性價比樹立了全球標準。該系列為高功率應用提供了額外的50V
2025-07-04 17:09:03
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STMicroelectronics STTH30RQ06L2超快高壓整流器采用HU3PAK封裝,是一款采用ST 600V技術的600V、30A器件。該器件具有高結溫能力和超快開關速度。STMicroelectronics STTH30RQ06L2非常適合用作二次側整流二極管的應用。
2025-10-27 15:13:18
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仁懋電子(MOT)推出的MOT65R600F是一款基于超級結技術的N溝道功率MOSFET,憑借650V耐壓、低導通損耗及高魯棒性,廣泛適用于功率因數校正(PFC)、開關模式電源(SMPS
2025-10-31 17:28:48
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Vishay Semiconductors Gen 5 600V超快和極快整流器將低導通和低開關損耗完美結合在一起。該整流器設計用于提高高頻轉換器和軟開關或諧振設計的效率。Gen 5 600V超快和極快整流器與采用SOT-227封裝的銅基板隔離,有助于構建常見散熱片和緊湊型組件。
2025-11-14 17:12:22
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高壓濾波車規電容在600V耐壓條件下的應用與換電站接口電壓穩定性保障 隨著新能源汽車產業的快速發展,換電模式作為重要的能源補給方式正獲得廣泛應用。在換電站系統中,高壓濾波電容作為關鍵電子元件,其性能
2025-12-05 15:11:03
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