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AOS推出 600V 50mohm aMOS7?超結高壓 MOSFET

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2023-03-31 19:11:000

R課堂 | 600V耐壓Super Junction MOSFET PrestoMOS?產品陣容又增新品

同時實現業界快反向恢復時間和業界超低導通電阻,可進一步降低工業設備和白色家電的損耗 ROHM的600V耐壓Super Junction MOSFET PrestoMOS 產品陣容中又新增了
2023-07-12 12:10:081617

RJH60M7DPQ-E0 數據表(600V-50A-IGBT/Application: Inverter)

RJH60M7DPQ-E0 數據表 (600V - 50A - IGBT/Application: Inverter)
2023-07-13 20:19:160

森國科650VMOSFET系列產品的性能指標

繼先后推出成熟化的全系列碳化硅二極管、碳化硅MOSFET以及碳化硅模塊產品后,2023年7月 森國科正式對外推出650VMOSFET系列新品 ,相較于傳統的功率MOSFET,SJMOSFET具有
2023-07-20 11:09:162414

美浦森N溝道超級MOSFET SLH60R028E7

SLH60R028E7是一款600VN溝道多層外延工藝的MOS,由于MOSFET的導通電阻隨著擊穿電壓的上升而迅速增大,故在高壓領域,普通MOSFET導通阻抗大,難以滿足實際應用需要。
2023-08-18 08:32:562019

ir2104驅動芯片代換料ID7U603SEC-R1 600V半橋預驅方案

逆變器、全橋驅動逆變器等領域。ir2104替代芯片ID7U603SEC-R1特點■浮動工作電壓可達600V■拉灌電流典型值210mA/360mA■兼容3.3V/5V的輸入邏輯電平■dV/dt抗干擾能力±5
2023-03-29 09:24:353257

600V三相MOSFET/IGBT驅動器

電子發燒友網站提供《600V三相MOSFET/IGBT驅動器.pdf》資料免費下載
2023-09-25 11:27:500

ID2304D 高壓半橋驅動芯片600V替代L6388

驪微電子是芯朋微一級代理商,提供ID2304D高壓半橋驅動芯片600V,可兼容代換L6388,更多驅動產品手冊、應用料資請向驪微電子申請。>>
2021-12-29 14:25:4910

SVS11N60FJD2 600V11A 高壓mos

SVS11N60FJD2600V11A高壓mos,更多產品手冊、應用料資請向士蘭微mos代理驪微電子申請。>>
2022-08-30 15:59:032

SVSP35NF65P7D3 士蘭微高壓mos管650V

SVSP35NF65P7D3士蘭微高壓mos管650V,35A,提供SVSP35NF65P7D3關鍵參數,更多產品手冊、應用料資請向士蘭微mos代理驪微電子申請。>>
2022-09-06 14:57:508

高壓mos管700V,7A SVS70R600D(S)(MJ)(F)E3 參數規格書

供應高壓mos管7A,700V SVS70R600D(S)(MJ)(F)E3,提供SVS70R600DE3關鍵參數 ,更多產品手冊、應用料資請向士蘭微mos代理驪微電子申請。>>
2022-11-02 16:14:272

50a 600v igbt 驅動電路SGTP50V60FD2PF規格書參數

供應50a 600v igbt 驅動電路SGTP50V60FD2PF,提供SGTP50V60FD2PF關鍵參數 ,更多產品手冊、應用料資請向士蘭微IGBT代理驪微電子申請。>>
2023-04-03 17:15:593

電機常用igbt管SGTP50V60FD2PU耐壓600V 50A規格書參數

供應電機常用igbt管SGTP50V60FD2PU耐壓600V 50A,提供SGTP50V60FD2PU關鍵參數 ,更多產品手冊、應用料資請向士蘭微IGBT代理驪微 電子申請。>>
2023-04-03 17:24:106

美格納推出第六代 600V 超級金屬氧化物半導體場效應晶體管

美格納半導體宣布推出微納加工增強型第六代 600V 超級金屬氧化物半導體場效應晶體管 (SJ MOSFET)。 這款第六代 600V SJ MOSFET (MMD60R175S6ZRH) 采用
2023-11-02 17:04:011859

碳化硅MOS/MOS在直流充電樁上的應用

MOS管在直流充電樁上的應用,推薦瑞森半導650V/1200V碳化硅MOS系列,600V/650VMOS系列
2023-12-08 11:50:151700

AOS推出新款100V MOSFET AONA66916

Alpha and Omega Semiconductor Limited (AOS) 推出了一款 100V MOSFET——AONA66916,采用了創新的雙面散熱 DFN 5 x 6 封裝。這一創新型封裝為 AOS 產品賦予了卓越的散熱性能,使其在長期惡劣的運行條件下仍能保持穩定的性能。
2024-01-26 18:25:153071

英飛凌推出全新600 V CoolMOS? 8 SJ MOSFET系列, 適用于高成本效益的先進電源應用

【 2024 年 6 月 26 日 , 德國慕尼黑 訊 】 英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)推出600 V CoolMOS? 8 高壓(SJ)MOSFET
2024-06-26 18:12:00939

英飛凌推出600V CoolMOS 8 SJ MOSFET系列

英飛凌再次引領行業潮流,最新推出600V CoolMOS? 8 SJ MOSFET系列,以其卓越的技術創新和卓越性價比,在全球范圍內樹立了高壓超級MOSFET技術的新標桿。作為英飛凌新一代硅基
2024-09-03 14:50:451266

新品 | 600V CoolMOS? 8 SJ MOSFET系列

新品600VCoolMOS8SJMOSFET系列英飛凌最新推出600VCoolMOS8引領著全球高壓超級MOSFET技術的發展,在全球范圍內樹立了技術和性價比標準。CoolMOS8是英飛凌新一代
2024-09-03 08:02:39930

LN4203南麟600V 半橋柵極驅動器

LN4203 是一款基于懸浮襯底和 P_EPI 工藝的600V 高壓半橋驅動器,具有高低邊輸出,用來驅動半橋電路中的兩個高壓大功率 MOSFET 或 IGBT。LN4203 的輸入信號兼容 CMOS
2024-09-05 15:29:024

600V CoolMOS S7T集成溫度傳感器介紹

 600V CoolMOS S7T集成溫度傳感器,提高了結溫測量的精度和魯棒性,同時容易使用。該器件針對低頻和大電流開關應用進行了優化,它是固態繼電器、固態斷路器和SMPS中有源整流電路的理想選擇。集成溫度傳感器提供CoolMOS S7溫測量功能,提高了器件利用率。
2024-11-13 11:36:231027

為什么650V SiC碳化硅MOSFET全面取代MOSFET高壓GaN氮化鎵器件?

650V SiC碳化硅MOSFET全面取代MOSFET高壓GaN氮化鎵器件
2025-01-23 16:27:431780

MOSFET升級至650V碳化硅MOSFET的根本驅動力分析

隨著BASiC基本半導體等企業的650V碳化硅MOSFET技術升級疊加價格低于進口MOSFET,不少客戶已經開始動手用國產SiC碳化硅MOSFET全面取代MOSFET,電源客戶從MOSFET升級至650V碳化硅MOSFET的根本驅動力分析。
2025-03-01 08:53:441054

新潔能Gen.4MOSFET 800V和900V產品介紹

電壓的平衡。另MOSFET具有更低的導通電阻和更優化的電荷分布,因此其開關速度通常比普通MOSFET更快,有助于減少電路中的開關損耗。由于其出色的高壓性能和能效比,MOSFET更適合于高壓、大功率的應用場景。
2025-05-06 15:05:381499

HPD2606X 600V半橋柵極驅動器技術手冊:高壓高速MOSFET和IGBT驅動設計

內容概要:HPD2606X是一款600V半橋柵極驅動器,采用專有的HVIC和閂鎖免疫CMOS技術,能夠穩定驅動高壓MOSFET和IGBT。其主要特性包括懸浮通道設計、抗dV/dt瞬態負電壓能力、寬門
2025-05-19 11:33:300

新品 | 650V CoolMOS? 8 (SJ) MOSFET

新品650VCoolMOS8(SJ)MOSFET英飛凌推出全新650VCoolMOS8引領全球高壓SJMOSFET技術,為行業技術和性價比樹立了全球標準。該系列為高功率應用提供了額外的50V
2025-07-04 17:09:031017

STTH30RQ06L2高壓整流器技術解析與應用指南

STMicroelectronics STTH30RQ06L2高壓整流器采用HU3PAK封裝,是一款采用ST 600V技術的600V、30A器件。該器件具有高溫能力和快開關速度。STMicroelectronics STTH30RQ06L2非常適合用作二次側整流二極管的應用。
2025-10-27 15:13:18401

選型手冊:MOT65R600F 系列 N 溝道超級功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子(MOT)推出的MOT65R600F是一款基于超級技術的N溝道功率MOSFET,憑借650V耐壓、低導通損耗及高魯棒性,廣泛適用于功率因數校正(PFC)、開關模式電源(SMPS
2025-10-31 17:28:48199

?Vishay Gen 5 600V/1200V 快恢復整流器技術解析與應用指南

Vishay Semiconductors Gen 5 600V快和極快整流器將低導通和低開關損耗完美結合在一起。該整流器設計用于提高高頻轉換器和軟開關或諧振設計的效率。Gen 5 600V快和極快整流器與采用SOT-227封裝的銅基板隔離,有助于構建常見散熱片和緊湊型組件。
2025-11-14 17:12:221224

高壓濾波車規電容 600V 耐壓 換電站接口電壓穩定保障

高壓濾波車規電容在600V耐壓條件下的應用與換電站接口電壓穩定性保障 隨著新能源汽車產業的快速發展,換電模式作為重要的能源補給方式正獲得廣泛應用。在換電站系統中,高壓濾波電容作為關鍵電子元件,其性能
2025-12-05 15:11:03270

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