瑞薩電子宣布開發出了導通電阻僅為150mΩ(柵源間電壓為10V時的標稱值)的600V耐壓超結(SJ:Super Junction)型功率MOSFET“RJL60S5系列”,將從2012年9月開始樣品供貨。超結是可在不犧牲耐壓
2012-06-26 11:01:02
1660 國際整流器公司(International Rectifier,簡稱IR)推出600V絕緣柵雙極晶體管(IGBT)系列,適合在10kHz以下工作的電機驅動應用,包括冰箱和空調的壓縮機。
2012-09-05 11:09:19
1327 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出600V絕緣閘雙極電晶體 (IGBT) 系列,藉以優化在10kHz以下操作的馬達驅動應用,包括冰箱及空調的壓縮機。
2012-09-06 09:51:00
2108 Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,其E系列600V功率MOSFET新增采用8種封裝的17款新器件
2012-10-22 13:45:24
1488 英飛凌科技推出全新600V CoolMOS P6 產品系列,專為提升系統效率及易于使用所設計,補足了專注提供頂尖效能(CoolMOS CP)及強調使用方便性(如 CoolMOS C6 或 E6)兩者之間的技術區間。
2012-11-13 08:54:33
2178 前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出新款通過AEC-Q101認證并具有ESD保護的600V標準整流器---SE20AFJ和SE30AFJ。對于空間有限的應用,新器件可提供2A和3A的正向電流和高
2012-11-22 09:11:46
1355 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出新系列600V和650V n溝道功率MOSFET---E系列器件。新產品在10V下具有64mΩ~190mΩ的超低最大導通電阻,以及22A~47A的額定電流范圍
2011-10-13 09:09:31
1541 Vishay提供豐富的MOSFET技術支持各級功率轉換,涵蓋高壓輸入到低壓輸出的各種最新高科技系統。
2020-12-24 15:08:34
1138 Vishay 宣布,推出最新第四代600 V E系列功率MOSFET器件---SiHK045N60E。Vishay Siliconix n 溝道SiHK045N60E導通電阻比前一代600 V E
2022-02-21 11:18:05
2299 
產品線。該器件采用超級結結構,耐壓600V,適用于數據中心、開關電源和光伏發電機功率調節器。該新產品是東芝DTMOSVI系列中的首款600V產品,于今日開始批量出貨。 ? ? 通過對柵極設計和工藝進行優化,與具有相同漏源電壓額定值的東芝目前的DTMOSIV-H系列產品相比,600V DTMOSVI系列產品的
2023-06-13 16:38:50
1327 
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術功率MOSFET,根據superP&S的結原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優點,使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明,
高性能適配器等。
2023-09-15 06:19:23
各位大師 請教個問題本人有臺開關電源600V/3A。整流后經四個大容,四個場效應管組成的對管,后經變壓器,再經整流。開電沒問題。只要工作就燒開關管,大功率場效應管,兩個對管。問問是怎么回事,會是哪里造成的。
2013-10-11 00:34:27
最近在做一個項目,直流輸出有600V,輸出與控制板完全隔離,現在我想通過電阻分壓的方式對其進行采樣。分別對輸出+和輸出-作分壓采樣。但是因為輸出地相對板子地是懸浮的,所以分壓電路設計上難把握。請問板上大聲有沒有有經驗的或有想法的不吝賜教。另外問一下有沒有用過隔離式直流電壓采樣器件的嗎
2015-09-29 16:25:27
`Vishay SMBJxxD系列TVS采用小巧的封裝并具有±3.5%容差,且可以單向使用。 SMBJxxD具有600W峰值脈沖功率能力,波形為10 /1000μs,重復率(占空比):0.01
2019-09-07 11:48:12
`Vishay SQ2361MOSFET 符合 AEC-Q101 標準并經 100% Rg 和 UIS 測試。SQ2361 汽車用 P 溝道 60V 功率 MOSFET 的 ESD 保護典型值達
2019-07-09 17:30:39
具有高脈沖電流緩沖級的設計最小驅動器交叉傳導。漂浮的通道可用于驅動N通道電源高壓側配置的MOSFET或IGBT工作電壓高達600V。特性:欠壓鎖定,電壓高達600V耐負瞬態電壓,dV/dt柵極驅動電源
2021-05-11 19:40:19
一、概述:SLM21814CJ-DG是一款高壓高速高低邊門極驅動器,專為驅動MOSFET和IGBT設計。其核心優勢在于600V高耐壓能力、2.5A/3.5A非對稱驅動電流以及全電壓范圍內的浮動通道
2025-11-20 08:47:23
一、概述:高性能半橋驅動SLM2181CA-DG是一款高壓、高速的功率MOSFET和IGBT驅動器,具備獨立的高邊和低邊參考輸出通道。核心優勢在于600V的高耐壓能力、450mA/950mA的非對稱
2025-11-21 08:35:25
,是各種高壓半橋和全橋拓撲的簡潔解決方案。核心優勢解析:
高壓與強驅動力: 芯片的浮動通道設計支持高達600V的工作電壓,并能耐受負壓瞬變,抗dV/dt性能好。提供450mA拉電流和950mA灌電流
2025-08-26 09:15:40
:SLM21867CA-DG是一款高壓(600V)、高速的功率MOSFET和IGBT驅動器,專為驅動半橋或類似拓撲中的高邊和低邊開關而設計。其最大亮點在于直接兼容替代IRS21867S,且封裝同為緊湊的SOP8
2025-07-29 08:46:54
邊驅動設計,以更少的元件實現穩定高效的高壓驅動。核心特性
高集成度設計:芯片內部集成了自舉二極管,省去了外部添加該分立器件的需要,簡化了電路布局并提升了可靠性。
高壓耐受與強抗擾:支持最高600V
2025-12-31 08:22:18
SiLM2234 600V半橋門極驅動器,支持290mA拉電流和600mA灌電流輸出能力,專為高壓、高功率MOSFET和IGBT驅動設計,內部集成自舉二極管,顯著簡化外部電路設計,具備優異的抗負向
2025-09-11 08:34:41
600V、4A/4A 半橋門極驅動SiLM2285,超強抗干擾、高效驅動、高邊直驅設計三大核心優勢,解決工業開關電源、電機拖動、新能源逆變及儲能設備中的驅動難題,實現對高壓、高功率MOSFET
2025-10-21 09:09:18
各位大大,最近在做雙向逆變,想問一下用2變比的高頻變壓器,高壓側600V降壓到300v,升壓的時候可以從300V升壓超過600V嗎,有人說高頻變壓器可以升壓超過原來高壓側輸入的電壓,請問有懂這個的能說一下能實現升壓超過2變比的嗎
2018-03-17 15:26:54
<概要>全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都)推出600V耐壓超級結 MOSFET“PrestoMOS”系列產品,在保持極快反向恢復時間(trr※1))的同時,提高設計靈活度,非常適用于
2020-03-12 10:08:31
<概要>全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都)推出600V耐壓超級結 MOSFET“PrestoMOS”系列產品,在保持極快反向恢復時間(trr※1))的同時,提高設計靈活度,非常適用于
2020-03-12 10:08:47
BT136 600E,說是一樣的,可以直接代換,我回到家上網一查:BTA08-600B 電流:IT(RMS) = 8A ;耐壓:VDRM = 600V;而 BT136 600E 電流:IT(RMS
2015-05-20 07:27:22
)
產品簡介:高壓超結工藝,效率更高、更可靠,適用于600V以上高壓應用領域,行業前沿拓展產品。
應用場景:PC電源開關、電池、逆變器等。
此為RU15P12C的部分參數 可無償分享
原廠一級代理可為您答疑解惑
行業內率先通過 ISO9001、ISO14001質量體系認證的高新技術企業。
2024-09-23 17:07:50
加深理解,最好還是參閱技術規格的標準值和特性圖表。【標準SJ MOSFET:AN系列】R50xxANx(500V)R52xxANx系列(520V)R60xxANx系列(600V)R80xxANx系列
2018-12-03 14:27:05
本文將介紹英飛凌的第三代采用溝槽柵場終止技術的 600V IGBT,即IGBT3在UPS中的應用。在介紹最新溝槽柵場終止技術的背景后,本文探討如何充分利用IGBT靜態與動態性能改進和175℃的
2009-11-20 14:30:27
89 輸入12V 5A輸出600V 100MA直流逆變器電源電路
2008-12-07 19:43:29
2782 
英飛凌欲借新一代超結MOSFET樹立硬開關應用基準
英飛凌日前在深圳宣布推出下一代600V MOSFET產品―― CoolMOS C6系列。600V C6系列融合了C3和CP兩個產品系列的優勢,可降低設
2009-06-23 21:17:44
728 Qspeed推出超高效率600V H系列整流器
益登科技(EDOM Technology)代理的Qspeed半導體今日宣布推出H系列組件,協助電源廠商以更低成本克服高性能系統的各種挑戰,同時也提
2009-11-11 10:49:22
1044 超高效率600V H系列整流器擴展硅二極管性能
為協助電源廠商以更低成本克服高性能系統的各種挑戰, Qspeed半導體公司推出H系列組件Qspeed新款600V功率因數校正器(PFC
2009-12-31 10:03:11
1237 600V MOSFET繼續擴展Super Junction FET技術
日前,Vishay Intertechnology, Inc.推出4款新的600V MOSFET
2010-01-26 16:26:18
1434 Vishay推出4款MOSFET
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出4款新的600V FET">MOSFET --- SiHP22N60S
2010-01-27 09:31:29
1767 500V和600V的高壓MOSFET
安森美半導體(ON Semiconductor)擴充公司市場領先的功率開關產品陣容,推出包括500伏特(V)和600 V器件的高壓功率金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFE
2010-02-23 16:15:34
2107 IR推出汽車驅動應用的AUIRS2301S 600V IC
國際整流器公司(IR)推出 AUIRS2301S 600V IC,適用于汽車電機驅動、微型逆變器驅動和通用三相逆變器應用。AUIRS2301S
2010-03-25 11:36:41
1787 
Vishay推出500V N溝道功率MOSFET:SiHF8N50L-E3
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款500V N溝道功率MOSFET——SiHF8N50L-E3。與前一代器件相比,該器件的
2010-04-07 10:52:52
1102 IR上市600V耐壓的車載設備用柵極驅動IC
美國國際整流器公司(IR)上市了+600V耐壓的車載設備用柵極驅動IC"AUIRS2301S"。主要用
2010-04-09 10:10:32
1234 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款600V、47A N溝道功率MOSFET --- SiHG47N60S,該MOSFET在10V柵極驅動下具有0.07Ω的
2010-11-09 08:59:57
2028 8S2TH06I-M是Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)推出的600V FRED PtTM Hyperfast串級整流器。
2011-04-01 09:36:43
1012 Vishay Intertechnology宣布,發布34款采用6種功率封裝的新型600 V FRED Pt? Hyperfast和Ultrafast整流器
2011-07-01 09:07:12
1606 全球功率半導體和管理方案領導廠商國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 近日新推出600V車用IGBT系列,專門針對電動汽車和混合動力汽車中的變速電機控制和電源應用進行了優化
2011-10-13 09:03:46
1170 賓夕法尼亞、MALVERN — 2012 年 5 月3 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出其下一代D系列高壓功率MOSFET的首款器件。新的400V、500V和600V n溝道器件具有低導通
2012-05-03 17:29:42
2109 華潤微電子有限公司旗下的華潤上華科技有限公司(后簡稱“華潤上華”)宣布已開發完成600V和1700V Planar NPT IGBT(平面非穿通型絕緣柵雙極晶體管)以及600V Trench PT IGBT(溝槽穿通型絕緣
2012-05-29 08:47:48
2638 瑞薩電子宣布開發出了導通電阻僅為150m(柵源間電壓為10V時的標稱值)的600V耐壓超結(SJ:Super Junction)型功率MOSFETRJL60S5系列,將從2012年9月開始樣品供貨。超結是可在不犧牲耐壓的情
2012-06-26 11:03:40
1004 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 近日擴充600V絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 系列,這些經過優化的新器件尤為適合不間斷電源 (UPS)、太陽能、感應加熱、工業電機和焊接應用。
2013-02-19 10:58:47
1416 新的E系列器件采用Vishay Siliconix超級結技術,導通電阻低至30m?、電流達6A~105A,在8種封裝中實現低FOM和高功率密度。
2013-06-04 15:57:24
1360 全球功率半導體和管理方案領導廠商——國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 宣布擴充節能的600V絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 系列,并提供多種封裝選擇。
2014-05-14 13:58:42
1778 全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出高性能600V超高速溝道場截止絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) IR66xx系列。堅固可靠的新系列器件提供極低的導通損耗和開關損耗,旨在為焊接應用做出優化。
2014-08-19 16:31:53
3853 MOSFET--- SiHx25N50E,該器件具有與該公司600V和650V E系列器件相同的低導通電阻和低開關損耗優點。
2014-10-09 12:59:19
1841 
今天推出的MOSFET由Vishay Siliconix設計和開發,表面貼裝PowerPAK SO-8L封裝完全符合RoHS,無鹵素,無鉛。SiHJ8N60E、SiHJ6N65E和SiHJ7N65E
2016-07-18 16:19:59
2081 MOSFET的首顆器件---SiHP065N60E。Vishay Siliconix N溝道SiHP065N60E的導通電阻比前一代600V E系列MOSFET低30%,為通信、工業和企業級電源提供了
2017-02-10 15:10:11
2189 高壓Gatedriver 600V工藝,替代IR2103,替代FD2503,替代SDC9301
2017-11-23 14:17:32
33 高壓Gatedriver 600V工藝,替代IR2104,替代FD2504
2017-11-23 14:15:23
46 MIC4609 是一款600V 三 相MOSFET/IGBT 驅 動 器。 MIC4609具有300 ns的典型輸入濾波時間,旨在避免出現意外的脈沖和獲得550 ns的傳播延時。MIC4609具有 TTL輸入閾值。
2018-07-02 09:24:00
11 LT1357:25MHz,600V/OP數據Sheet
2021-05-21 09:20:08
0 Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出兩款n溝道TrenchFET? MOSFET---60 V SiJH600E和80 V SiJH800E,以提高通信和工業應用功率密度、能效和板級可靠性。
2022-02-07 15:37:08
1783 
Vishay 推出最新第四代 600 V E 系列功率 MOSFET 器件。Vishay Siliconix n 溝道 SiHK045N60E 導通電阻比前一代 600 V E 系列 MOSFET
2022-02-26 13:25:35
2298 Vishay Intertechnology, Inc.(紐約證券交易所代碼:VSH)??推出了其第四代 600 VE 系列功率 MOSFET 中的最新器件。
2022-03-28 11:54:14
2761 220V交流轉600V直流,沒有380的可以這樣接直流母線上
2022-06-06 10:07:29
27 Vishay 推出 Vishay BCcomponents193 PUR-SI Solar新系列卡扣式功率鋁電容器,額定電壓和類別電壓分別提升至 570V 和 475V。 器件面向太陽能
2022-08-19 09:32:27
1636 Vishay 推出四款新型 TO-244 封裝第 5 代 FRED Pt 600V Ultrafast 整流器。 Vishay Semiconductors 整流器新款 240A、300A、480A 和 600A 具有出色導通和開關損耗特性,能有效提高中頻功率轉換器以及軟硬開關或諧振電路的效率。
2022-08-25 17:33:11
2026 (NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出采用薄型PowerPAK? 10 x 12封裝的新型第四代600 V EF系列快速體二極管MOSFET---SiHK045N60EF。Vishay
2022-10-12 15:44:14
780 
Vishay 推出四款采用 TO-220 FullPAK 2L 全隔離封裝的新型 FRED Pt 第五代 600V Hyperfast 恢復整流器。
2022-10-14 16:11:24
2241 Vishay Siliconix n 溝道 SiHK045N60EF 導通電阻比前代器件降低 29 %,為通信、工業和計算應用提供高效、高功率密度解決方案,同時柵極電荷下降 60 %,從而使器件導通電阻與柵極電荷乘積,即功率轉換應用中 600V MOSFET 的重要優值系數(FOM)創業界新低。
2022-10-14 16:16:12
1359 AN-9085 智能電源模塊,600V Motion SPM?3 ver.5 系列用戶指南
2022-11-14 21:08:34
1 600V SPM? 2 系列熱性能(通過安裝扭矩)
2022-11-15 20:04:03
0 關鍵詞 兼具業內優異的降噪和低損耗特性 600V耐壓IGBT IPM/li> 各種變頻器的功率轉換用 BM6337x系列 無需自舉二極管和限流電阻 當保護電路被激活時,警報輸出(...
2023-02-08 13:43:21
1572 
600V耐壓IGBT IPM:BM6337x系列?關鍵詞 兼具業內優異的降噪和低損耗特性 600V耐壓IGBT IPM 各種變頻器的功率轉換用 BM6337x系列 優化內置...
2023-02-08 13:43:21
2074 
Vishay 新型 Power DFN 系列?DFN3820A 封裝 汽車級 200V、400V 和 600V 器件高度僅為 0.88 mm 采用可潤濕側翼封裝 改善熱性能并提高效率 Vishay
2023-06-21 07:35:00
1637 
RJH60M6DPQ-E0 數據表 (600V - 40A - IGBT/Application: Inverter)
2023-03-31 19:09:07
0 RJH60M7DPQ-E0 數據表 (600V - 50A - IGBT/Application: Inverter)
2023-03-31 19:11:00
0 RJH60M5DPQ-E0 數據表 (600V - 37A - IGBT/Application: Inverter)
2023-03-31 19:15:31
0 RJH60D5BDPQ-E0 數據表 (600V - 37A - IGBT Application: Inverter)
2023-03-31 19:26:48
0 同時實現業界超快反向恢復時間和業界超低導通電阻,可進一步降低工業設備和白色家電的損耗 ROHM的600V耐壓Super Junction MOSFET PrestoMOS 產品陣容中又新增了
2023-07-12 12:10:08
1617 RJH60M6DPQ-E0 數據表 (600V - 40A - IGBT/Application: Inverter)
2023-07-13 20:17:31
0 RJH60M7DPQ-E0 數據表 (600V - 50A - IGBT/Application: Inverter)
2023-07-13 20:19:16
0 RJH60M5DPQ-E0 數據表 (600V - 37A - IGBT/Application: Inverter)
2023-07-14 09:26:09
0 RJH60D5BDPQ-E0 數據表 (600V - 37A - IGBT Application: Inverter)
2023-07-14 09:37:47
0 電子發燒友網站提供《600V三相MOSFET/IGBT驅動器.pdf》資料免費下載
2023-09-25 11:27:50
0 Vishay 推出首款采用新型 PowerPAK 8 x 8 LR 封裝的第四代 600 V E 系列功率MOSFET,為通信、工業和計算應用提供高效的高功率密度解決方案。
2024-05-10 11:47:42
2283 
Vishay公司近日重磅推出了一款革命性的功率MOSFET產品——SiHR080N60E,它采用了新型的PowerPAK? 8 x 8 LR封裝技術,標志著第四代600V E系列功率MOSFET的誕生。這一創新產品為通信、工業及計算領域帶來了前所未有的高效高功率密度解決方案。
2024-05-14 15:33:38
1341 英飛凌再次引領行業潮流,最新推出的600V CoolMOS? 8 SJ MOSFET系列,以其卓越的技術創新和卓越性價比,在全球范圍內樹立了高壓超級結MOSFET技術的新標桿。作為英飛凌新一代硅基
2024-09-03 14:50:45
1266 新品600VCoolMOS8SJMOSFET系列英飛凌最新推出的600VCoolMOS8引領著全球高壓超級結MOSFET技術的發展,在全球范圍內樹立了技術和性價比標準。CoolMOS8是英飛凌新一代
2024-09-03 08:02:39
930 
電子發燒友網站提供《適用于600V GaN功率級的QFN12x12封裝的熱性能.pdf》資料免費下載
2024-09-21 10:18:06
0 儲能柜 400V 升壓 600V 變壓器:能源轉換的關鍵樞紐》 在當今能源領域的快速發展中,儲能技術作為保障能源穩定供應和高效利用的核心要素,正受到越來越廣泛的關注。而儲能柜 400V 升壓
2024-12-16 15:38:34
1154 
廣泛應用的重要手段。而三相 380V/400V 升 600V 的儲能并網隔離變壓器,憑借其獨特的性能優勢和連接組別 DYN11 的技術特點,在這一領域中扮演著至關重要的角色,猶如一座穩固的橋梁,連接著不同電壓等級的電力系統,保障著能源的可靠傳輸與轉換。 這種變壓器
2024-12-16 17:18:19
1322 
600V 變 380V 以及 600V 變 480V 的變壓器,憑借卓越性能與可靠品質,成為眾多行業的理想選擇。 CSA 認證:品質與安全的堅實背書 CSA,即加拿大標準協會認證,在加拿大電氣設備市場擁有至高權威性。對于變壓器而言,獲得 CSA 認證絕非易事。從設計
2025-02-21 14:56:40
797 
VishayIntertechnology,Inc.近日宣布推出其最新的電源半導體技術創新——第4.5代650VE系列電源MOSFET,型號為SiHK050N65E。該產品的推出旨在提升電信、工業
2025-03-27 11:49:46
945 
AW2K21是一款同時實現了超小型封裝和超低導通電阻的30V耐壓Nch MOSFET。利用可共享2枚MOSFET電路源極的共源電路,不僅能以一體化封裝實現雙向電路保護,還可以通過改變引腳連接來作為單MOSFET使用。
2025-04-17 14:55:11
615 
Vishay/Siliconix SiJK5100E N溝道MOSFET是一款TrenchFET^?^ 第五代功率MOSFET,具有100V漏源電壓。該MOSFET具有536W最大功耗(+25°C
2025-11-11 13:42:26
337 
具有600V最大反向重復峰值電壓、-55°C至+150°C結溫,采用薄型單列直插式封裝。這些器件非常適合用于開關電源、家用電器和白色家電應用中的交流/直流橋式全波整流,特別是電信電源、高效臺式電腦和服務器SMPS。
2025-11-14 09:57:48
319 
Vishay/SiliconSense SiHR080N60E N通道功率MOSFET是 第四代600V E系列功率MOSFET,采用PowerPAK ? 8 x 8LR封裝。該MOSFET可為
2025-11-14 10:32:18
365 
Vishay Semiconductors Gen 5 600V超快和極快整流器將低導通和低開關損耗完美結合在一起。該整流器設計用于提高高頻轉換器和軟開關或諧振設計的效率。Gen 5 600V超快和極快整流器與采用SOT-227封裝的銅基板隔離,有助于構建常見散熱片和緊湊型組件。
2025-11-14 17:12:22
1224 
600V、160 mΩ、18A 的 X2 - Class 功率 MOSFET,采用了 Co - Pack FRED 二極管升壓配置。它適用于多種應用場景,如功率因數校正(PFC)、開關模式電源(SMPS)以及不間斷電源(
2025-12-16 10:15:06
147
評論