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電子發燒友網>電源/新能源>功率器件>Vishay 600V E系列MOSFET利用Kelvin連接來實現更好的性能

Vishay 600V E系列MOSFET利用Kelvin連接來實現更好的性能

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2022-10-14 16:16:121359

AN-9085 智能電源模塊,600V Motion SPM?3 ver.5 系列用戶指南

AN-9085 智能電源模塊,600V Motion SPM?3 ver.5 系列用戶指南
2022-11-14 21:08:341

600V SPM? 2 系列性能(通過安裝扭矩)

600V SPM? 2 系列性能(通過安裝扭矩)
2022-11-15 20:04:030

600V耐壓IGBT IPM BM6337x系列介紹

關鍵詞 兼具業內優異的降噪和低損耗特性 600V耐壓IGBT IPM/li> 各種變頻器的功率轉換用 BM6337x系列 無需自舉二極管和限流電阻 當保護電路被激活時,警報輸出(...
2023-02-08 13:43:211572

600V耐壓IGBT IPM:BM6337x系列:兼具業內出優異的降噪和低損耗特性

600V耐壓IGBT IPM:BM6337x系列?關鍵詞 兼具業內優異的降噪和低損耗特性 600V耐壓IGBT IPM 各種變頻器的功率轉換用 BM6337x系列 優化內置...
2023-02-08 13:43:212074

4A額定電流,Vishay汽車級Power DFN系列整流器

Vishay 新型 Power DFN 系列?DFN3820A 封裝 汽車級 200V、400V600V 器件高度僅為 0.88 mm 采用可潤濕側翼封裝 改善熱性能并提高效率 Vishay
2023-06-21 07:35:001637

RJH60M6DPQ-E0 數據表(600V-40A-IGBT/Application: Inverter)

RJH60M6DPQ-E0 數據表 (600V - 40A - IGBT/Application: Inverter)
2023-03-31 19:09:070

RJH60M7DPQ-E0 數據表(600V-50A-IGBT/Application: Inverter)

RJH60M7DPQ-E0 數據表 (600V - 50A - IGBT/Application: Inverter)
2023-03-31 19:11:000

RJH60M5DPQ-E0 數據表(600V-37A-IGBT/Application: Inverter)

RJH60M5DPQ-E0 數據表 (600V - 37A - IGBT/Application: Inverter)
2023-03-31 19:15:310

RJH60D5BDPQ-E0 數據表(600V-37A-IGBT Application: Inverter)

RJH60D5BDPQ-E0 數據表 (600V - 37A - IGBT Application: Inverter)
2023-03-31 19:26:480

R課堂 | 600V耐壓Super Junction MOSFET PrestoMOS?產品陣容又增新品

同時實現業界超快反向恢復時間和業界超低導通電阻,可進一步降低工業設備和白色家電的損耗 ROHM的600V耐壓Super Junction MOSFET PrestoMOS 產品陣容中又新增了
2023-07-12 12:10:081617

RJH60M6DPQ-E0 數據表(600V-40A-IGBT/Application: Inverter)

RJH60M6DPQ-E0 數據表 (600V - 40A - IGBT/Application: Inverter)
2023-07-13 20:17:310

RJH60M7DPQ-E0 數據表(600V-50A-IGBT/Application: Inverter)

RJH60M7DPQ-E0 數據表 (600V - 50A - IGBT/Application: Inverter)
2023-07-13 20:19:160

RJH60M5DPQ-E0 數據表(600V-37A-IGBT/Application: Inverter)

RJH60M5DPQ-E0 數據表 (600V - 37A - IGBT/Application: Inverter)
2023-07-14 09:26:090

RJH60D5BDPQ-E0 數據表(600V-37A-IGBT Application: Inverter)

RJH60D5BDPQ-E0 數據表 (600V - 37A - IGBT Application: Inverter)
2023-07-14 09:37:470

600V三相MOSFET/IGBT驅動器

電子發燒友網站提供《600V三相MOSFET/IGBT驅動器.pdf》資料免費下載
2023-09-25 11:27:500

Vishay推出采用PowerPAK 8x8LR封裝的第四代600 VE系列功率MOSFET

Vishay 推出首款采用新型 PowerPAK 8 x 8 LR 封裝的第四代 600 V E 系列功率MOSFET,為通信、工業和計算應用提供高效的高功率密度解決方案。
2024-05-10 11:47:422283

Vishay推出第四代600 V E系列功率MOSFET

Vishay公司近日重磅推出了一款革命性的功率MOSFET產品——SiHR080N60E,它采用了新型的PowerPAK? 8 x 8 LR封裝技術,標志著第四代600V E系列功率MOSFET的誕生。這一創新產品為通信、工業及計算領域帶來了前所未有的高效高功率密度解決方案。
2024-05-14 15:33:381341

英飛凌推出600V CoolMOS 8 SJ MOSFET系列

英飛凌再次引領行業潮流,最新推出的600V CoolMOS? 8 SJ MOSFET系列,以其卓越的技術創新和卓越性價比,在全球范圍內樹立了高壓超級結MOSFET技術的新標桿。作為英飛凌新一代硅基
2024-09-03 14:50:451266

新品 | 600V CoolMOS? 8 SJ MOSFET系列

新品600VCoolMOS8SJMOSFET系列英飛凌最新推出的600VCoolMOS8引領著全球高壓超級結MOSFET技術的發展,在全球范圍內樹立了技術和性價比標準。CoolMOS8是英飛凌新一代
2024-09-03 08:02:39930

適用于600V GaN功率級的QFN12x12封裝的熱性能

電子發燒友網站提供《適用于600V GaN功率級的QFN12x12封裝的熱性能.pdf》資料免費下載
2024-09-21 10:18:060

儲能柜400V升壓600V變壓器 額定電壓400V600V 使用條件:室內室外

儲能柜 400V 升壓 600V 變壓器:能源轉換的關鍵樞紐》 在當今能源領域的快速發展中,儲能技術作為保障能源穩定供應和高效利用的核心要素,正受到越來越廣泛的關注。而儲能柜 400V 升壓
2024-12-16 15:38:341154

三相380V400V600V變壓器 儲能并網隔離變壓器 連接組別DYN11

廣泛應用的重要手段。而三相 380V/400V600V 的儲能并網隔離變壓器,憑借其獨特的性能優勢和連接組別 DYN11 的技術特點,在這一領域中扮演著至關重要的角色,猶如一座穩固的橋梁,連接著不同電壓等級的電力系統,保障著能源的可靠傳輸與轉換。 這種變壓器
2024-12-16 17:18:191322

CSA材料認證標準600V變380V 600V變480V變壓器 卓爾凡

600V 變 380V 以及 600V 變 480V 的變壓器,憑借卓越性能與可靠品質,成為眾多行業的理想選擇。 CSA 認證:品質與安全的堅實背書 CSA,即加拿大標準協會認證,在加拿大電氣設備市場擁有至高權威性。對于變壓器而言,獲得 CSA 認證絕非易事。從設計
2025-02-21 14:56:40797

Vishay推出第4.5代650V E系列高效能電源MOSFET

VishayIntertechnology,Inc.近日宣布推出其最新的電源半導體技術創新——第4.5代650VE系列電源MOSFET,型號為SiHK050N65E。該產品的推出旨在提升電信、工業
2025-03-27 11:49:46945

ROHM 30V耐壓Nch MOSFET概述

AW2K21是一款同時實現了超小型封裝和超低導通電阻的30V耐壓Nch MOSFET利用可共享2枚MOSFET電路源極的共源電路,不僅能以一體化封裝實現雙向電路保護,還可以通過改變引腳連接來作為單MOSFET使用。
2025-04-17 14:55:11615

基于Vishay SiJK5100E N溝道MOSFET數據手冊的技術解析

Vishay/Siliconix SiJK5100E N溝道MOSFET是一款TrenchFET^?^ 第五代功率MOSFET,具有100V漏源電壓。該MOSFET具有536W最大功耗(+25°C
2025-11-11 13:42:26337

Vishay Semiconductors LVE1560E/LVE2560E橋式整流器數據手冊

具有600V最大反向重復峰值電壓、-55°C至+150°C結溫,采用薄型單列直插式封裝。這些器件非常適合用于開關電源、家用電器和白色家電應用中的交流/直流橋式全波整流,特別是電信電源、高效臺式電腦和服務器SMPS。
2025-11-14 09:57:48319

?SiHR080N60E功率MOSFET技術解析與應用指南

Vishay/SiliconSense SiHR080N60E N通道功率MOSFET是 第四代600V E系列功率MOSFET,采用PowerPAK ? 8 x 8LR封裝。該MOSFET可為
2025-11-14 10:32:18365

?Vishay Gen 5 600V/1200V 超快恢復整流器技術解析與應用指南

Vishay Semiconductors Gen 5 600V超快和極快整流器將低導通和低開關損耗完美結合在一起。該整流器設計用于提高高頻轉換器和軟開關或諧振設計的效率。Gen 5 600V超快和極快整流器與采用SOT-227封裝的銅基板隔離,有助于構建常見散熱片和緊湊型組件。
2025-11-14 17:12:221224

MXB12R600DPHFC Si MOSFET:高性能電源管理的理想選擇

600V、160 mΩ、18A 的 X2 - Class 功率 MOSFET,采用了 Co - Pack FRED 二極管升壓配置。它適用于多種應用場景,如功率因數校正(PFC)、開關模式電源(SMPS)以及不間斷電源(
2025-12-16 10:15:06147

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