Vishay推出第四代600 VE系列MOSFET器件

Vishay Intertechnology， Inc.（紐約證券交易所代碼：VSH）??推出了其第四代 600 VE 系列功率 MOSFET 中的最新器件。Vishay Siliconix n 溝道SiHK045N60E為電信、服務器和數據中心電源應用提供高效率，與上一代 600 VE 系列 MOSFET 相比，導通電阻降低了 27%，同時柵極電荷降低了 60%。這使得同級別器件的柵極充電時間導通電阻達到業界最低，這是電源轉換應用中使用的 600 V MOSFET 的關鍵品質因數 （FOM）。

Vishay 提供廣泛的 MOSFET 技術，支持電源轉換過程的所有階段，從高壓輸入到最新電子系統所需的低壓輸出。憑借 SiHK045N60E 和即將推出的第四代 600 VE 系列系列器件，該公司正在解決電力系統架構第一階段（功率因數校正和硬開關 AC/DC 轉換器拓撲）提高效率和功率密度的需求。

SiHK045N60E 基于 Vishay 最新的節能 E 系列超級結技術構建，在 10 V 時具有 0.043 Ω 的低典型導通電阻和低至 65 nC 的超低柵極電荷。該器件的 FOM 為 2.8 Ω*nC，比同類中最接近的競爭 MOSFET 低 3.4%。為了提高開關性能，SiHK045N60E 提供 117 pF 的低有效輸出電容 C o（er）。這些值轉化為降低的傳導和開關損耗以節省能源。SiHK045N60E 的熱阻 R thJC為 0.45 °C/W，比最接近的競爭器件低 11.8%，提供更高的熱容量。

高通攜手產業展示驍龍數字底盤強勢發展勢頭，定義汽車行業未來

于為汽車行業提供技術解決方案超過20年的深厚經驗，高通技術公司現已成為全球汽車行業的優選技術提供商，全球眾多汽車制造商與高通合作，采用驍龍?數字底盤所涵蓋的廣泛汽車解決方案?；诟咄ā敖y一的技術路線圖”，驍龍數字底盤對助力汽車行業加速創新具有獨特優勢。驍龍數字底盤支持汽車制造商滿足消費者和企業持續升級的需求，打造更安全、更智能、更具沉浸感的無縫互聯智能體驗。同時，驍龍數字底盤正通過高度可擴展的軟硬件協同設計架構，面向更深層的客戶體驗及基于服務的商業模式創造全新機遇。

驍龍數字底盤由一整套開放且可擴展的云連接平臺組成，利用統一架構帶來更高的安全性和沉浸式數字體驗，支持下一代汽車在其整個生命周期中的功能升級。汽車制造商可以在其產品線中選擇采用驍龍數字底盤所涵蓋的任一平臺或全部平臺，并通過云端的持續升級為其產品提供高度定制化體驗。

驍龍數字底盤的成功，得益于行業對其全面解決方案組合日益增長的需求，及其開放平臺為領先汽車企業廣泛合作所提供的便捷性。高通技術公司很高興在拉斯維加斯舉行的2022年國際消費電子展（CES）上分享行業對于驍龍數字底盤的廣泛支持。

綜合高通和Vishay官網整合

審核編輯：郭婷