第四代 600 V E 系列功率 MOSFET

RDS(ON)*QgFOM達到業內先進水平

第四代器件，額定功率和功率密度高于D2PAK 封裝產品

降低導通和開關損耗，從而提升能效

Vishay推出首款采用新型PowerPAK 8 x 8 LR 封裝的第四代 600 V E 系列功率MOSFET，為通信、工業和計算應用提供高效的高功率密度解決方案。

與前代器件相比，Vishay Siliconix n 溝道SiHR080N60E導通電阻降低27%，導通電阻與柵極電荷乘積，即600V MOSFET在功率轉換應用中的重要優值系數（FOM）下降60 %，額定電流高于D2PAK封裝器件，同時減小占位面積。

Vishay豐富的MOSFET技術全面支持功率轉換過程，涵蓋需要高壓輸入到低壓輸出的各種先進高科技設備。

隨著SiHR080N60E的推出，以及其他第四代600V E系列器件的發布，Vishay可在電源系統架構設計初期滿足提高能效和功率密度兩方面的要求—包括功率因數校正（PFC）和后面的DC / DC轉換器磚式電源。典型應用包括服務器、邊緣計算、超級計算機、數據存儲、UPS、高強度放電（HID）燈和熒光鎮流器、通信SMPS、太陽能逆變器、焊接設備、感應加熱、電機驅動，以及電池充電器。

SiHR080N60E采用小型PowerPAK 8 x 8 LR封裝，外形尺寸為10.42 mm x 8 mm x 1.65 mm，占位面積比D2PAK封裝減小50.8 %，高度降低66 %。由于封裝采用頂側冷卻，因此具有出色的熱性能，結殼（漏極）熱阻僅為0.25 °C / W。相同導通電阻下，額定電流比D2PAK封裝高46 %，從而顯著提高功率密度。此外，封裝的鷗翼引線結構具有優異的溫度循環性能。

SiHR080N60E采用Vishay先進的高能效E系列超級結技術，10 V下典型導通電阻僅為0.074 Ω，超低柵極電荷下降到42nC。器件的FOM為3.1 Ω*nC，達到業內先進水平，這些性能參數意味著降低了傳導和開關損耗，從而實現節能并提高2 kW以上電源系統的效率。日前發布的MOSFET有效輸出電容Co(er) 和Co(tr)典型值分別僅為79 pF和499 pF，有助于改善硬開關拓撲結構開關性能，如PFC、半橋和雙開關順向設計。封裝還提供開爾文（Kelvin）連接，以提高開關效率。

器件符合RoHS標準，無鹵素，耐受雪崩模式下過壓瞬變，并保證極限值100 %通過UIS測試。

審核編輯：劉清