根據阿聯酋阿布達比先進技術投資公司（ATIC），即現在的穆巴達拉發展公司（Mubadala）9月發布的2016年上半年度財務報表顯示，其半導體技術事業分部（主要是Global Foundries）凈虧損達13.5億美元，與2015年上半年相比，凈虧損大幅增長67%，超過2015年，整年虧損13億美元。

　　2015作為晶圓代工廠排名第二的晶圓廠，Global Foundries目前的表現無疑是讓人失望的。在全球晶圓廠都在受惠于IC產業，尤其是中國IC產業迅猛發展的大環境下，Global Foundries卻不進反退，我們來回顧一下GlobalFoundries近些年的發展歷程，看究竟它從AMD分拆以后，經歷了什么。

　　Global Foundries的歷史沿革

　　GlobalFoundries原來是AMD的晶圓部門，在2008年的時候，AMD當時的CEO魯毅智（Ruiz）賣掉了AMD自己的晶圓廠，買主是阿布扎比的ATIC。

　　這筆涉及84億美元的交易在成交以后，AMD就將現有的所有芯片制造設備都將移交給新公司，包括在德國德累斯頓的兩座晶圓廠和相關資產、知識產權，以及正在規劃中的紐約州晶圓廠，總價值約24億美元。同時，AMD現有的大約12億美元債務也將由新公司承擔。新公司成立初期主要承擔AMD處理器和圖形芯片的制造，之后會承接其他半導體企業的外包訂單。

　　2009年3月2日，一個全新的晶圓廠GlobalFoundries就成立了。

　　2010年1月13日，GLOBALFOUNDRIES收購了新加坡特許半導體。

　　2013年資本支出約45億美元，28 納米制程導入客戶數已達12家，包括超微及中國大陸手機芯片廠Rockchip等。

　　2013年各制程的營收比重為，45納米以下占56%、55/65納米制程占19%、90納米及0.18微米占19%、0.18微米以下占6%。

　　至2014上半年，8吋晶圓廠訂單滿載，公司看好產業景氣，決議將旗下新加坡六廠從8吋廠升級為12吋晶圓廠，其設備來源為2013年買下DRAM廠茂德中科12吋機臺設備，預計有6成產能為12吋、40納米產能為8吋，廠房12吋與8吋廠年產能分別為100萬片及30萬片，公司規劃制程技術由0.11~0.13微米進階到40納米。其中，12吋將應用在LCD驅動IC、電源管理IC等市場，近兩年資本支出將達10億美元。

　　2014年10月20日，公司收購IBM全球商業化半導體技術業務，包括其知識產權、技術人員及微電子業務的所有技術。另外公司也將在未來10年內提供22納米、14納米及10納米之技術予IBM，主要為IBM供應Power處理器。

　　從創建至今，Global Foundries的凈利潤率始終是負數，2016年上半年更是跌入谷底，達到-54%。正如芯謀研究顧文軍分析，巨大的研發投入、昂貴的設備和折舊費用對Global Foundries來說，像滾雪球一般，越來越大。在超過200億美元后，不投入的話，前功盡棄打水漂；再投入仍是盈利無期。Global Foundries實則已陷入一個惡性循環。

　　作為全球第二大晶圓代工廠，截止至2016年6月30日，Global Foundries資產總額203億美元，負債總額43億美元，權益負債比約27%，不由讓人對Global Foundries的前景產生擔憂。

　　而在過去的幾年，Global Foundries雖然位居全球晶圓廠全幾名，但是在制程方面，他其實是逐漸落后于競爭對手，尤其是和第一名臺積電的差距越拉越大，于是在市場上的競爭力優勢越發降低，于是Global Foundries只能求變。

　　接管IBM制造業務，引進新技術

　　制程落后的Global Foundries除了強攻新技術，也在過去幾年一直尋求交易，在2014年，他們接管了IBM的半導體制造業務，也從IBM取得半導體設計能力。在這個交易中，IBM給Global foundries公司支付15億美元，作為接盤費用。

　　對于Global Foundries來說，拿下IBM應該不在于其工廠，更重要的是IBM所積累的專利和技術，這有利于他們推進其制程進度，緊跟競爭者。

　　以目前立體鰭式電晶體（3D-FinFET）研發為例，即可窺探出IBM的研發能量。為解決過去平面式電晶體漏電流的問題，發展出立體式的電晶體結構，FinFET（英特爾（Intel）稱之為Tri-Gate）。目前全球在FinFET設計與制程技術開發的競爭中，英特爾仍為領導廠商，而至今可與英特爾一較高下的，非IBM莫屬。

　　IBM與英特爾制程技術上最大的差異，則是使用絕緣層覆硅（Silicon On Insulator， SOI）基板，雖然SOI基板較英特爾所使用的塊狀基板（Bulk Substrate）成本高出許多，但SOI可大幅減少制程步驟，以及降低操作電壓達到低功耗芯片的制作效益。由此可知，IBM所具有的研發能力不可小覷，關于英特爾與IBM的FinFET晶體管剖面圖比較如圖1所示，目前兩種不同的基板各有優缺點，誰可勝出，仍需要時間以及市場上的驗證。

　　藉由這一樁合并案，Global Foundries將具有優先使用IBM與位于美國紐約州Albany納米科學暨工程學院（Colleges of Nanoscale Science and Engineering， CNSE）共同研發專案結果的權利，其中令人矚目的是IBM將與CNSE共同開發的下世代微影技術。

　　那么在兩家不同企業技術整合方面，目前Global Foundries14納米FinFET制程技術的主要來源為三星電子（SamsungElectronics）。

　　其實Globalfoundries當時原計劃自己推出14nm-XM工藝，但宣布之后就沒了下文，最終自己的工藝腹死胎中，他們直接選擇了三星的14nm FinFET工藝，借助后者豐富的經驗和成熟的工藝突圍。未來IBM與Global Foundries在FinFET技術的發展方向應該會朝向于支援與整合三星電子的技術。

　　但按照2014年年底分析師的報道，Global Foundries的晶圓廠當時14nm尚未準備完畢，且進度恐怕會拖延一至兩季。部分設備業者猜測，財務或良率等問題，可能是拖延進度的主因。

　　而在2015年中，GlobalFoundries已經開始使用14nm FinFET（14LPE）工藝為它們的客戶量產芯片。Global Foundries表示它們的14nm半導體產能可以比肩三星（Samsung Foundry）。GlobalFoundries的發言人Jason Gorss表示，他們的14nm爬坡量產已經步入正軌，產能可以等同于盟友三星。Global Foundries沒有透露他們每個月能使用14nm LPE工藝生產出多少塊晶圓，但該公司表示，用于14nmFinFET工藝商業生產的部分重要設備已經安裝好。

　　也就是在2015年，Global Foundries超越聯電，爬上了晶圓代工廠二哥的位置。

　　但對于Global Foundries來說，這是不夠的，因為據媒體披露，自從2008年從AMD分拆出來之后，它一直表現不佳，2014年虧損更是高達15億美元，2013年也虧了9億美金。因此GlobalFoundries要多種方式求變。

　　強攻FD-SOI，實現彎道超車？

　　與三星聯手搞定14nm FinFET并獲得AMDCPU/GPU全面采納，又與AMD簽訂五年晶圓供應合約共同開發7nm工藝，習慣性炸雷的GlobalFoundries最近有點春風得意的感覺，接下來又要進軍12nm工藝了，但走的是道路有些特殊：FD-SOI（全耗盡型絕緣層上硅）。

　　大家都知道，目前半導體工藝已經全面從2D晶體管轉向3D晶體管，Intel、臺積電、三星以及GF自己都在做。

　　另一方面，AMD雖然工藝上一直落后，但有個獨門秘籍那就是SOI（絕緣層上硅），當年與藍色巨人IBM合作搞的，可以將工藝提高半代水平，其優秀表現也是有目共睹的。

　　不過，AMD進入32nm之后就拋棄了SOI，不過獨立后的GF一直保留著SOI技術，還收購了IBM的相關技術，后者最新的Power8就是采用22nmSOI工藝制造的。

　　GF此前已經全球第一家實現22nm FD-SOI（22FDX），號稱性能功耗指標堪比22nm FinFET，但是制造成本與28nmm相當，適用于物聯網、移動芯片、RF射頻、網絡芯片等，已經拿下50多家客戶，2017年第一季度量產。

　　現在，GF又宣布了全新的12nmFD-SOI（12FDX）工藝，計劃2019年投入量產。

　　GF表示，12FDX工藝的性能等同于10nmFinFET，但是功耗和成本低于16nm FinFET，相比現有FinFET工藝性能提升15％，功耗降低50％，掩膜成本比10nmFinFET減少40％！

　　它還將提供業界最寬泛的動態電壓，通過軟件控制晶體管大大提升設計彈性，在高負載時可提供最高性能，靜態時則具備更高能效。

　　該工藝也是針對低功耗平臺的，包括移動計算、5G互連、人工智能、自動駕駛等等，中國中科院上海微電子研究所、NXP半導體、VeriSilicon半導體、CEATech、Soitec等都參與了合作。

　　GF正在德國德累斯頓Fab 1晶圓廠推進12FDX工藝的研發，預計2019年上半年完成首批流片，并在當年投入量產。

　　簡單來說，GF現在是兩條腿走路：低功耗方面主打22/12DFX，尤其后者可以替代10nm FinFET；高性能方面直接進軍7nmFinFET。

　　搶中國集成電路紅利，與重慶合建晶圓廠

　　在今年五月份，重慶市與全球著名集成電路企業Global Foundries簽署諒解備忘錄，雙方將在重慶共同組建合資公司，生產300毫米芯片。

　　按照計劃，這個項目包括運用在Global Foundries新加坡工廠的成熟工藝技術，將一個現有半導體工廠升級為12英寸晶圓制造廠。這個合資企業將直接采購現代化先進設備節省產品上市時間，預計將于2017年投產。

　　據悉，重慶市政府將提供土地與現有廠房，Global Foundries將負責技術的升級，現有廠房將從8 吋晶圓廠，提升為12 寸晶圓廠，根據消息，該現有廠房為***DRAM 廠茂德出售的舊廠房，Global Foundries指稱，屆時將采新加坡廠的生產驗證技術。官方預計，該廠房于2017 年即可重新啟用、量產，但GlobalFoundries未透露新廠采用的技術節點、初期產能等資訊。

　　雖然GF在中國市場的進步比較緩慢，但最起碼也走出了重要的一步。

　　展望

　　作為AMD的緊密合作伙伴，當年AMD能夠和Intel一爭高下，其晶圓廠的貢獻功不可沒。最近GlobalFoundries似乎一直不盡順暢，但肉眼所看，這幾年無論在資金和技術方面，Global Foundries都在一直加大投入，FD-SOI方面也是進展喜人，早前更是宣布跳過10nm，直接進攻7nm。在中國的投資和合作更是堅定了Global Foundries重新崛起的決心是舉目可見的。至于未來表現如何，就留待時間驗證了。