據(jù)ICinsights 公布報(bào)告指出，2017 年有 11 家半導(dǎo)體廠資本支出預(yù)算超過(guò) 10 億美元，占全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)總合的 78%。對(duì)照 2013 年，全球僅有 8 家半導(dǎo)體廠資本支出預(yù)算超過(guò) 10 億美元水平。

中國(guó)晶圓代工廠中芯去年資本支出大增 87%，增幅為各大廠之首，不過(guò)展望今年，中芯預(yù)估將削減資本支出 12%。另外，臺(tái)積電去年資本支出成長(zhǎng) 27%，今年則預(yù)估縮減 2%。格羅方德已決定跳過(guò) 10 納米，直接挑戰(zhàn) 7 納米制程，預(yù)料今年絕多數(shù)資本支出將用于采購(gòu)新設(shè)備與技術(shù)研發(fā)。值得一提的是，英特爾目前也在沖刺 7 納米制程。

電子發(fā)燒友網(wǎng)點(diǎn)評(píng)：

1．7nm制程是半導(dǎo)體廠下一重要關(guān)卡

7nm制程節(jié)點(diǎn)將是半導(dǎo)體廠推進(jìn)摩爾定律（Moore’s Law）的下一重要關(guān)卡。半導(dǎo)體進(jìn)入7nm節(jié)點(diǎn)后，前段與后段制程皆將面臨更嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)，半導(dǎo)體廠已加緊研發(fā)新的元件設(shè)計(jì)架構(gòu)，以及金屬導(dǎo)線(xiàn)等材料，期兼顧尺寸、功耗及運(yùn)算效能表現(xiàn)。

據(jù)IC Insights統(tǒng)計(jì)，前十大廠商有兩家今年資本支出成長(zhǎng)在兩成以上，分別是英特爾的年增25%與格羅方德（GlobalFoundries）的33%。

格羅方德去年資本支出大減62%，今年資本支出為20億美元，且預(yù)計(jì)直接挑戰(zhàn)7nm制程。

目前英特爾也在沖刺7nm制程。英特爾今年資本支出預(yù)估為120億美元，較去年大幅增加25%。

2．7nm制程，材料、工具是關(guān)鍵

到了10nm之后，不能像在以往節(jié)點(diǎn)一樣，通過(guò)簡(jiǎn)單地縮小柵極寬度來(lái)推進(jìn)工藝制程。往7nm的遷移需要昂貴的全新晶體管架構(gòu)、溝道材料和內(nèi)部連接。同時(shí)還需要全新的Fab工具和材料。

3．投資巨大，風(fēng)險(xiǎn)也巨大

研發(fā)28納米技術(shù)所需要投入的資金約為9億-12億美元，12納米技術(shù)研發(fā)所需資金約為13億-15億美元，而建立一條生產(chǎn)線(xiàn)的資金則更為龐大，需要48億-50億美元。進(jìn)入7納米節(jié)點(diǎn)后，所需要投入的資金更為巨大。

由于成本和巨額資本的支出，高昂投資有時(shí)會(huì)帶來(lái)無(wú)法持續(xù)承受的重大損失，風(fēng)險(xiǎn)也巨大。