Vishay將在Electronica 2010的A5-143展位進行產(chǎn)品演示，向來賓展示在同步降壓電路中該產(chǎn)品的優(yōu)異性能和PowerPAIR封裝節(jié)省空間的功效。

在PowerPAIR封裝出現(xiàn)之前，設(shè)計者只能使用兩個單獨的器件來達到系統(tǒng)電源、POL、低電流DC/DC，以及筆記本電腦、VRM、電源模塊、圖形卡、服務器和游戲機所需的低導通電阻和更高的最大電流。SiZ710DT的性能規(guī)格使設(shè)計者能用SiZ710DT比兩個分立 PowerPAK 1212-8 器件小1/3，或是比兩個分立SO-8 器件小2/3的一個器件完成設(shè)計，節(jié)省方案成本和空間，包括兩個分立MOSFET之間的PCB間隙和標注面積。此外，在更低電流和更低電壓應用中替換SO-8器件還可以提高效率。

一片PowerPAK 1212-8或SO-8的導通電阻可以分別低至5m或4m。然而，SiZ710DT的低邊Channel 2 MOSFET利用了非對稱結(jié)構(gòu)在優(yōu)化空間上的效果，在10V和4.5V下的導通電阻低至3.3m和4.3m，在+25℃和+70℃下的最大電流為30A和24A。另外，高邊Channel 1 MOSFET的導通電阻也有改善，在10V和4.5V下分別為6.8m和9.0m。

由于兩個MOSFET已經(jīng)在PowerPAIR封裝內(nèi)部連接，布線變得更加簡單，同時也減小了PCB印制的寄生電感，提高了效率。此外，SiZ710DT的引腳進行了精心布置，輸入引腳排在一側(cè)，輸出引腳排在另一側(cè)。

器件通過Rg和UIS的所有測試，符合RoHS指令2002/95/EC，并滿足IEC 61249-2-21的無鹵素規(guī)定。

器件規(guī)格表：

通道 VDS VGS RDS(ON) @ 10 V RDS(ON) @ 4.5 V Qg (typ) ID @ TA = 25 °C ID @ TA = 70 °C

1 20 V ± 20 V 6.8 m 9.0 m 6.9 nC 16 A 15 A

2 20 V ± 20 V 3.3 m 4.3 m 18.2 nC 30 A 24 A

新款SiZ710DT TrenchFET功率MOSFET現(xiàn)可提供樣品，并已實現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為十二周到十四周。