在許多周末，我都會離家出走，在樹林里的小路上跑。目前，我距離參加 80.5 公里（50 英里）的越野賽還有大約 10 天的時間。雖然我可以使用我在一周內使用的相同跑鞋，但我了解到最好使用最好的工具來完成這項工作。需要錘子的時候誰會用螺絲刀？它可能在真正的緊急情況下起作用，但并不理想。當我在小徑上跑步時，我發現由于地形的變化，我的腳、腿和膝蓋都會受到沖擊。因此，我買了一雙備受推崇的越野跑鞋，它可以為越野跑提供最大的緩沖和最小的重量（圖 1）。您可以說，當我覆蓋新領域時，我穿的鞋子可以在預期條件下優化我的表現。

就像跑步者選擇正確的鞋子一樣，設計工程師不斷嘗試選擇正確的組件并根據設定的要求優化他們的設計。本博客重點介紹Infineon Technologies OptiMOS ? 6 功率 MOSFET如何通過提供下一代尖端創新和一流的性能來優化 40V 電源設計。

跨應用程序優化

工程師需要能夠讓他們在各種應用程序中運行并工作的組件。Infineon 的 OptiMOS 6 功率 MOSFET 就是這樣一種組件。其設計采用薄晶圓技術，可為更高效、更簡單的設計帶來顯著的性能優勢。OptiMOS 6 功率 MOSFET 針對開關模式電源 (SMPS) 中的同步整流進行了優化，例如用于服務器、臺式 PC、電信、無線充電器、快速充電器和 ORing 電路的電源。

在 SMPS 應用中，OptiMOS 6 非常適合在較寬的輸出功率范圍內優化效率，避免在低負載和高負載條件之間進行權衡。在低輸出功率范圍內，開關損耗主導效率曲線。與相同的 R DS(on) OptiMOS ? 5相比，OptiMOS 6 功率 MOSFET BSC010N04LS6 在此范圍內實現了更高的效率，因為它具有出色的開關性能。此外，在更高的輸出功率下，R DS(on)損耗變得更加主要，OptiMOS 6 可以保持優勢，從而在整個工作范圍內實現更好的性能（圖 2）。

圖 2：OptiMOS 6 40V 結合了一流的 R DS(on)和卓越的開關性能。（來源：英飛凌科技）

優化規格

與上一代 OptiMOS 5 相比， OptiMOS 6 可以將 R DS(on)值降低 30%。該系列的品質因數 (FOM) 得到改進——FOM (Q g x R DS(on) ) 提高了 29%；FOM (Q gd x R DS(on) ) 提高了 46%——使設計人員能夠提高效率，從而實現更直接的熱設計。設計工程師還可以減少并聯，從而降低系統成本（圖 3）。

圖 3：OptiMOS 5 與 OptiMOS 6 的 R DS(on)和 FOM 比較。（來源：英飛凌科技）

優化包裝

OptiMOS 6 40V 功率 MOSFET 采用兩個獨立的封裝。兩者都專注于以最小的封裝提供最高的效率和電源管理。第一個封裝是 SuperSO8—5mm x 6mm ( 30mm2 )，R DS(on)范圍為 5.9mΩ 至 0.7mΩ（圖 4）。它具有熱阻 R thJC0.8K/W。第二種封裝是電源四方扁平無引線 (PQFN)，這是一種主要為板載電源應用設計的表面貼裝半導體技術。它消除了不必要的封裝元件，這些元件會導致更高的電感和電阻（熱和電），因此其功率容量超過了同等尺寸封裝的功率容量。Infineon 的 PQFN 3.3mm x 3.3mm 封裝在緊湊、節省空間的封裝中提供高效率和電源管理。該封裝提供的 R DS(on)范圍從 6.3mΩ 低至 1.8mΩ，熱阻 R thJC為 3.2K/W（圖 4）。

圖 4：OptiMOS 6 Super SO8 封裝提供 5.9mΩ 低至 0.7mΩ。R DS(on)和 R thJC為 0.8K/W，而 PQFN 封裝提供 6.3mΩ 低至 1.8mΩ。R DS(on)和 R thJC 3.2K/W。（來源：英飛凌科技）

結論

Infineon Technologies 的 OptiMOS ? 6 功率 MOSFET 40V 系列提供同類領先的尖端功率 MOSFET，可實現最高功率密度和高能效解決方案。您有能力優化您的電源設計。現在出去跑吧。

審核編輯黃昊宇