近日臺積電宣布開設一家先進的封裝測試工廠Fab 6，以擴展臺積電 3DFabric系統集成技術。這是一個重要的公告，因為與英特爾和三星的芯片封裝軍備競賽正在升溫。

Fab 6 是臺積電首個一體式先進封裝測試工廠，是臺積電不斷增加的封裝投資的一部分。該晶圓廠已準備好量產臺積電 SoIC 封裝技術。請記住，當臺積電說量產時，他們指的是 Apple iPhone 尺寸的量產，而不是工程樣品或內部產品。

如今，封裝是半導體代工產品的重要組成部分。它不僅是芯片級產品的差異化因素，還將代工客戶的忠誠度提升到一個全新的水平。這將是至關重要的，因為小芯片革命已經站穩腳跟，使客戶更容易獨立于代工廠。然而，Chiplet 封裝非常復雜，并且將因代工廠而異，這就是臺積電、英特爾和三星花費如此多的資本支出來確保其在封裝業務中居于領先地位的原因。

TSMC 3DFabric 是 3D 硅堆疊和先進封裝技術的綜合系列：

TSMC 3DFabric包含多種先進的 3D 硅堆疊和先進的封裝技術，可支持范圍廣泛的下一代產品：

在 3D 硅堆疊部分，臺積電正在?TSMC-SoIC?系列中添加基于微凸點的 SoIC-P，以支持更多對成本敏感的應用。

2.5D?CoWoS?平臺可為人工智能、機器學習和數據中心等 HPC 應用集成高級邏輯和高帶寬內存。InFO PoP 和 InFO-3D 支持移動應用，InFO-2.5D 支持 HPC chiplet 集成。

SoIC 堆疊芯片可以集成到 InFO 或 CoWoS 封裝中，以實現最終系統集成。

CoWoS家族

主要針對需要集成高級邏輯和 HBM 的 HPC 應用程序。

TSMC 已支持?來自超過25 個領域的140 多種CoWoS 產品?

所有 CoWoS 解決方案的中介層尺寸都在增加，因此它們可以集成更先進的硅芯片和 HBM 堆棧，以滿足更高的性能要求。

臺積電正在開發一種 CoWoS 解決方案，該解決方案具有高達 6 倍光罩尺寸（約 5,000 平方毫米）的 RDL 中介層，能夠容納 12 個 HBM 存儲器堆棧。

InFO技術

對于移動應用，自 2016 年以來，InFO PoP 一直在為高端移動設備量產，并且可以在更小的封裝尺寸中容納更大、更厚的 SoC 芯片。

對于 HPC 應用，無基板 InFO_M 支持高達 500 平方毫米的小芯片集成，適用于對外形尺寸敏感的應用。

3D硅堆疊技術

SoIC-P 基于 18-25μm 間距 μbump 堆疊，適用于對成本更敏感的應用，如移動、物聯網、客戶端等。

SoIC-X 基于無擾動堆疊，主要針對 HPC 應用。其晶圓上芯片堆疊方案具有 4.5 至 9μm 鍵距，并已在 TSMC 用于 HPC 應用的 N7 技術上量產。

SoIC 堆疊芯片可以進一步集成到 CoWoS、InFo 或傳統的倒裝芯片封裝中，用于客戶的最終產品。

臺積電表示：“小芯片堆疊是提高芯片性能和成本效益的關鍵技術。為響應市場對 3D IC 的強勁需求，臺積電已完成先進封裝和硅堆疊技術產能的早期部署，并通過 3DFabricTM 平臺提供技術領先地位服務、質量和可靠性。憑借滿足客戶需求的產能，臺積電將共同釋放創新，成為客戶長期信賴的重要合作伙伴。”

臺積電以客戶為中心的文化將成為小芯片封裝革命的重要組成部分。通過與數百家客戶合作，可以肯定臺積電將為全球無晶圓廠和系統公司提供最全面的 IC 封裝解決方案。

編輯：黃飛

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