(SiC) 場效應(yīng)晶體管 (FET) 系列，該系列具有出色的導(dǎo)通電阻特性。全新 UF4C/SC 系列 1200V 第四代 SiC FET 非常適用于主流的 800V 總線架構(gòu)，這種架構(gòu)常見于電動汽車
2022-05-17 11:55:24
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?收購）的UF4C和UF4SC?1200V碳化硅 (SiC) FET。作為廣泛的高性能SiC FET系列產(chǎn)品，此第四代器件具有出色的導(dǎo)通電阻特性，適用于主流800V總線架構(gòu)中的電源解決方案，如電動汽車
2022-06-09 16:44:432393 
美國SemiSouth Laboratories公司發(fā)布了耐壓為650V和耐壓為1700V的SiC制JFET產(chǎn)品，均為常開型功率元件。耐壓為650V的產(chǎn)品名稱為“SJDA065R055”，導(dǎo)通電阻為55mΩ，漏電流在室溫時（25℃）為30A，在
2012-05-21 10:31:012900 瑞薩電新發(fā)表13款具備高效能之第7代絕緣閘雙極性電晶體（IGBT）系列新產(chǎn)品。新款I(lǐng)GBT包括650V的RJH/RJP65S系列與1250V的RJP1CS系列。新款I(lǐng)GBT是將系統(tǒng)中的直流電轉(zhuǎn)換為交流電的功率半導(dǎo)體裝
2012-07-31 11:34:282027 為滿足電動汽車市場的需求，英飛凌推出了全新的650V CoolMOS? SJ功率 MOSFET CFD7A系列。這一產(chǎn)品經(jīng)過專門優(yōu)化，可以滿足電動汽車應(yīng)用 （如車載充電器、HV-LV DC-DC 轉(zhuǎn)換器和輔助電源）的要求。
2020-05-31 09:15:361998 LMG3612 是一款 650V 120mΩ GaN 功率 FET，適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。該 LMG3612 通過將 GaN FET 和柵極驅(qū)動器集成到 8mm x 5.3mm QFN 封裝中，簡化了設(shè)計并減少了元件數(shù)量。
2025-02-24 10:21:011090 
LMG3616 是一款 650V 270mΩ GaN 功率 FET，適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。該 LMG3616 通過將 GaN FET 和柵極驅(qū)動器集成到 8mm x 5.3mm QFN 封裝中，簡化了設(shè)計并減少了元件數(shù)量。
2025-02-24 10:43:28987 
瞻芯電子(IVCT)基于經(jīng)典壽命模型，對大樣本量的第二代(G2)650V SiC MOSFET 進(jìn)行了魯棒性驗證試驗(Robustness-Validation)。該試驗嚴(yán)格遵循AEC-Q101
2025-12-18 16:35:545790 
美國新澤西州普林斯頓 --- 新型功率半導(dǎo)體企業(yè)美商聯(lián)合碳化硅股份有限公司（UnitedSiC）宣布，在公司快速發(fā)展的650V SiC FET硬開關(guān)UF3C FAST產(chǎn)品系列中新增兩種TO220-3L封裝選項。
2019-07-25 11:44:322164 Nexperia今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA，宣布其進(jìn)入氮化鎵場效應(yīng)管（GaN）市場。
2019-11-22 15:16:322459 UnitedSiC布將推出四種新型SiC FET，其RDS（ON）值可低至7mΩ，并可提供前所未有的性能和高效率，適用于電動汽車（EV）逆變器、高功率DC/DC轉(zhuǎn)換器、大電流電池充電器和固態(tài)斷路器等高功率應(yīng)用。
2019-12-10 13:45:242491 隨著新產(chǎn)品的發(fā)布，英飛凌完善了其600V/650V細(xì)分領(lǐng)域的硅基、碳化硅以及氮化鎵功率半導(dǎo)體產(chǎn)品組合
2020-02-26 08:26:001692 英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管（TO247-3pin和TO-247-4pin）。用最新的650V/SiC/G6/SBD續(xù)流二極管，取代了傳統(tǒng)Si的Rapid1快速續(xù)流二極管，配合650V/TS5的IGBT芯片（S5/H5），進(jìn)一步優(yōu)化了系統(tǒng)效率、性能與成本之間的微妙平衡。
2021-08-31 10:38:422572 
UnitedSiC的第4代SiC FET采用了“共源共柵”拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，其內(nèi)部集成了一個SiC JFET并將之與一個硅MOSFET封裝在一起。
2021-09-14 14:47:191074 
BASiC基本半導(dǎo)體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET，替代30mR 超結(jié)MOSFET或者20-30mR的GaN!
BASiC基本半導(dǎo)體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET
2025-01-22 10:43:28
逆變器等中高功率領(lǐng)域，可顯著的減少電路的損耗，提高電路的工作頻率。 關(guān)斷波形圖（650V/10A產(chǎn)品） 650V/1200V碳化硅肖特基二極管選型
2020-09-24 16:22:14
0前言家用逆變焊機(jī)因其體較小，操作方便，市場接受度逐步提高。因市電220V輸入的特點，一般采用600V/650V規(guī)格的IGBT作為逆變主功率器件。IGBT (Insulated Gate
2014-08-13 09:25:59
在內(nèi)的各種應(yīng)用中的采用。當(dāng)前的SiC-SBD產(chǎn)品結(jié)構(gòu)分為耐壓為650V與1200V、額定電流為5A～40A的產(chǎn)品，具體因封裝而異。其概要如下表所示。另外，ROHM正在開發(fā)650V產(chǎn)品可支持達(dá)100A
2018-12-04 10:09:17
；TSD5N60MTruesemi 其它相關(guān)產(chǎn)品請 點擊此處 了解特性：3.0A，650V，最大RDS（on）= 3.0Ω@ VGS = 10V低柵極電荷（典型值為16nC）快速切換經(jīng)過100％雪崩測試改進(jìn)的dv/dt功能主要參數(shù)：應(yīng)用：高效開關(guān)模式電源，基于半橋拓?fù)涞挠性垂β室驍?shù)校正`
2020-04-30 15:13:55
650V耐壓的buck電路夠不夠用
2023-08-01 14:38:42
用于AC/DC變換器應(yīng)用的新型650V GaNFast半橋IC(氮化鎵)
2023-06-19 07:57:31
更進(jìn)一步。其中UF系列的最新產(chǎn)品在1200V和650V器件上的導(dǎo)通電阻達(dá)到了同類產(chǎn)品最低，分別小于9毫歐和7毫歐。這些器件具有低損耗體二極管效應(yīng)以及固有的抗過電壓和短路的能力，與Si-MOSFET或
2023-02-27 14:28:47
母線電路需設(shè)計極小寄生電感。因此，可選用具備軟開關(guān)特性的專用IGBT，例如全新的650V IGBT4。如圖2所示， 600V IGBT3（快速）和650V IGBT4（軟度）在開關(guān)性能方面差別明顯，采用
2018-12-07 10:16:11
Qorvo / UnitedSiC UJ4C/SC 750V Gen 4 SiC FETUnitedSiC/Qorvo UJ4C/SC 750V Gen 4 SiC是一款高性能系列產(chǎn)品，提供業(yè)界最佳
2024-02-26 19:40:31
UnitedSiC / Qorvo D2-PAK封裝中的UF3C SiC FET采用D2-PAK-3L和D2-PAK-7L表面貼裝封裝的UnitedSiC / Qorvo UF3C SiC FET
2024-02-26 19:57:09
英飛凌科技股份公司近日推出全新的650V CoolMOS C6/E6高性能功率MOSFET系列。該產(chǎn)品系列將現(xiàn)代超級結(jié)（SJ）器件的優(yōu)勢（如低導(dǎo)通電阻和低容性開關(guān)損耗）與輕松控制的開關(guān)行為、及
2010-07-05 08:48:262309 致力于提供幫助功率管理、安全、可靠與高性能半導(dǎo)體技術(shù)產(chǎn)品的領(lǐng)先供應(yīng)商美高森美公司（Microsemi Corporation，紐約納斯達(dá)克交易所代號：MSCC） 擴(kuò)展碳化硅（SiC）肖特基產(chǎn)品系列，推出全新的650V解決方案產(chǎn)品系列，新型二極管產(chǎn)品瞄準(zhǔn)包括太陽能逆變器的大功率工業(yè)應(yīng)用。
2013-10-30 16:09:571171 東芝公司旗下的半導(dǎo)體&存儲產(chǎn)品公司今天宣布，該公司將通過添加TO-220F-2L絕緣封裝產(chǎn)品擴(kuò)大其650V碳化硅（SiC）肖特基勢壘二極管（SBD）系列產(chǎn)品。四款新產(chǎn)品將擴(kuò)大現(xiàn)有TO-220-2L封裝產(chǎn)品的6A、8A、10A和12A陣容。量產(chǎn)出貨即日啟動。
2014-06-09 10:33:26975 
意法半導(dǎo)體推出新款M系列650V IGBT，為電源設(shè)計人員提供一個更快捷經(jīng)濟(jì)的能效解決方案,新款M系列650V IGBT，為電源設(shè)計人員提供一個更快捷經(jīng)濟(jì)的能效解決方案，適用于暖通空調(diào)系統(tǒng)（HVAC
2016-11-02 17:19:432436 碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體制造商UnitedSiC宣布擴(kuò)展UF3C FAST產(chǎn)品系列，并推出采用TO-247-4L 4引腳Kelvin Sense封裝的全新系列650 V和1200 V高性能碳化硅
2019-01-01 10:33:004371 英飛凌宣布推出650V SiC MOSFET，標(biāo)志著公司進(jìn)一步增強(qiáng)了在低壓SiC領(lǐng)域的布局，650V CoolSiC MOSFET系列。
2020-05-09 15:07:505544 2020年7月4日 華潤微電子（CR MICRO）正式向市場投入1200V 和650V 工業(yè)級SiC肖特基二極管功率器件產(chǎn)品系列，與此同時宣布國內(nèi)首條6英寸商用SiC晶圓生產(chǎn)線正式量產(chǎn)。 華潤微電子
2020-07-04 22:28:508397 ，配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5)，進(jìn)一步優(yōu)化了系統(tǒng)效率、性能與成本之間的微妙平衡。 IGBT混搭SiC SBD續(xù)流二極管，在硬換流的場合，至少有兩個主要優(yōu)勢： 沒有Si二極管的反向恢復(fù)
2021-03-26 16:40:203459 
UnitedSiC SiC FET用戶手冊
2021-09-07 18:00:13
18 TP650H070L系列650V，72m? 氮化鎵（GaN）FET是常關(guān)器件。它們結(jié)合了最先進(jìn)的技術(shù)高壓GaN HEMT和低壓硅MOSFET提供卓越可靠性和性能的技術(shù)。
2022-03-31 15:03:3510 2020年 750V第四代SiC FET 誕生時，它與650V第三代器件的比較結(jié)果令人吃驚，以 6毫歐 器件為例，品質(zhì)因數(shù)RDS?A降了近一半，由于體二極管反向恢復(fù)能量，動態(tài)損耗也降了近一半。關(guān)閉
2022-05-23 17:31:291802 UnitedSiC（現(xiàn)名Qorvo）擴(kuò)充了其1200V產(chǎn)品系列，將其突破性的第四代SiC FET技術(shù)推廣到電壓更高的應(yīng)用中。
2022-06-06 09:33:575969 
650V 60mΩ SiC MOSFET主要應(yīng)用市場包括光伏和儲能、驅(qū)動、電動汽車及充電樁、UPS、電源等。據(jù)HIS報告，電動汽車充電市場的增長將非常強(qiáng)勁，高達(dá)59%。
2022-08-02 15:06:551515 
英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD續(xù)流二極管，取代了傳統(tǒng)Si的Rapid1快速續(xù)流二極管，配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5)，進(jìn)一步優(yōu)化了系統(tǒng)效率、性能與成本之間的微妙平衡。
2022-08-01 10:11:291160 
UnitedSiC（現(xiàn)為Qorvo）擴(kuò)展了其突破性的第4代 SiC FET產(chǎn)品組合, 通過采用TO-247-4引腳封裝的750V/6mOhm SiC FET和采用D2PAK-7L表面貼裝封裝
2022-08-01 12:14:082356 L表面貼裝封裝的UnitedSiC（現(xiàn)已被?Qorvo?收購）UJ4C/SC FET。UJ4C/SC系列器件是750 V碳化硅場效應(yīng)晶體管 (SiC FET)，借助D2PAK-7L封裝選項提供低開關(guān)損耗
2022-09-23 16:44:351200 
UnitedSiC FET-Jet計算器讓為功率設(shè)計選擇SiC FET和SiC肖特基二極管變得輕而易舉。設(shè)計工程師只需：
2022-10-11 09:03:281322 被Qorvo收購）750V UJ4C/SC SiC FET，采用D2PAK-7L封裝。UJ4C/SC系列器件是750V碳化硅場效應(yīng)晶體管（SiC FET），借助D2PAK-7L封裝選項提供低開關(guān)損耗、在更高
2022-10-27 16:33:291632 Wolfspeed 新款車規(guī)級 E-系列（E3M）650V、60 mΩ MOSFET 系列幫助設(shè)計人員滿足 EV 車載充電機(jī)應(yīng)用。采用 Wolfspeed 第三代 SiC MOSFET 技術(shù)
2022-11-07 09:59:211907 650V 快速恢復(fù) SuperFET? II MOSFET 在諧振拓?fù)渲袑崿F(xiàn)高系統(tǒng)效率和可靠性
2022-11-14 21:08:360 CleanWave200采用UnitedSiC共源共柵FET，能夠在100kHz的頻率下實現(xiàn)99.3%的系統(tǒng)能效，且每個開關(guān)位置并聯(lián)三個器件。
2022-12-12 09:25:091279 在電源轉(zhuǎn)換這一語境下，性能主要歸結(jié)為兩個互為相關(guān)的值：效率和成本。仿真結(jié)果和應(yīng)用實例表明，SiC FET 可以顯著提升電源轉(zhuǎn)換器的性能。了解更多。 這篇博客文章最初由 United Silicon
2023-02-08 11:20:011045 ROHM最近新推出650V耐壓IGBT“RGTV系列（短路耐受能力保持型）”和“RGW系列（高速開關(guān)型）”共21種機(jī)型，該系列產(chǎn)品同時實現(xiàn)了業(yè)界頂級的低傳導(dǎo)損耗和高速開關(guān)特性，并大大減少了開關(guān)時的過沖。
2023-02-09 10:19:251901 
ROHM一直專注于功率元器件的開發(fā)。最近推出并已投入量產(chǎn)的“SCT2H12NZ”，是實現(xiàn)1700V高耐壓的SiC-MOSFET。是在現(xiàn)有650V與1200V的產(chǎn)品陣容中新增的更高耐壓版本。
2023-02-13 09:30:051223 
采用 CCPAK1212 封裝的 650 V、33 mOhm 氮化鎵 (GaN) FET-GAN039-650NBA
2023-02-16 20:47:212 采用 CCPAK1212i 封裝的 650 V、33 mOhm 氮化鎵 (GaN) FET-GAN039-650NTBA
2023-02-16 20:47:323 采用 CCPAK1212i 封裝的 650 V、33 mOhm 氮化鎵 (GaN) FET-GAN039-650NTB
2023-02-16 20:47:450 采用 CCPAK1212 封裝的 650 V、33 mOhm 氮化鎵 (GaN) FET-GAN039-650NBB
2023-02-16 20:48:020 采用 TO-247 封裝的 650 V、35 mΩ 氮化鎵 (GaN) FET-GAN041-650WSB
2023-02-17 18:46:496 650 V、50 mOhm 氮化鎵 (GaN) FET-GAN063-650WSA
2023-02-17 19:47:245 比較SiC開關(guān)的數(shù)據(jù)手冊可能很困難。SiC MOSFET在導(dǎo)通電阻溫度系數(shù)較低的情況下似乎具有優(yōu)勢，但與UnitedSiC FET相比，這表明潛在的損耗更高，整體效率低下。
2023-02-21 09:24:561877 
仿真器可以提供許多信息，但無法告知哪些功率晶體管可以優(yōu)化您的設(shè)計，也無法確定晶體管在特定應(yīng)力水平下是否會損壞。這就是在線 FET-Jet 計算器的優(yōu)勢所在。閱讀本博客，了解該軟件如何簡化器件選擇以及
2023-05-17 12:05:021039 
潤新微電子（Runxin Microelectronics）榮幸推出了最新一代的650V GaN功率晶體管（FET），該產(chǎn)品具備卓越的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域。 產(chǎn)品特點： 易于使用：650V GaN
2023-06-12 16:38:342033 ROHMSemiconductor GNP1 EcoGaN?650V E模式氮化鎵(GaN)FET采用低導(dǎo)通電阻和高速開關(guān)來提高電源轉(zhuǎn)換效率和減小尺寸。該款高度可靠的GNP1 FET具有內(nèi)置ESD
2023-06-19 15:09:181078 
圳市森國科科技股份有限公司日前發(fā)布了第五代Thinned MPS SiC二極管KS04065（650V/4A）、KS06065（650V/6A）
2023-07-12 17:06:272048 
繼先后推出成熟化的全系列碳化硅二極管、碳化硅MOSFET以及碳化硅模塊產(chǎn)品后，2023年7月 森國科正式對外推出650V超結(jié)MOSFET系列新品 ，相較于傳統(tǒng)的功率MOSFET，SJMOSFET具有
2023-07-20 11:09:162413 
Ω? ? 650V? ?? ? SOP7? ?? ?? ?? ?? ? SIC9773? ?? ?0.9? ?? ?? ?4.5Ω? ? 650V? ?? ? SOP7/DIP7
2023-08-24 09:53:371369 產(chǎn)品在650和1200伏的電壓下工作。Bourns?SiC SBD產(chǎn)品系列已經(jīng)擴(kuò)展到包括十個額外的型號，所有這些型號都是為了滿足最近的交通、可再生能源和工業(yè)應(yīng)用對功率密度日益增長的需求而設(shè)計的。 在當(dāng)今的高頻和高電流應(yīng)用中，諸如峰值正向浪涌、低正向壓降、降低的熱阻和低功率損耗
2023-10-13 17:06:381891 供應(yīng)40A、650V新能源絕緣柵雙極型晶體管SGTP40V65SDB1P7，提供SGTP40V65SDB1P7關(guān)鍵參數(shù)，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向士蘭微mos代理驪微電子申請。>>
2022-08-01 16:18:473 供應(yīng)SGTP75V65SDS1P775A、650V光伏逆變器igbt-三相igbt逆變電源，提供SGTP75V65SDS1P7關(guān)鍵參數(shù)，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向士蘭微mos代理驪微電子申請。>>
2022-08-02 17:12:198 UnitedSiC SiC FET用戶指南
2023-12-06 15:32:241153 
近日，瞻芯電子采用TO263-7封裝的第二代SiC MOSFET中650V 40mΩ產(chǎn)品IV2Q06040D7Z通過了嚴(yán)苛的車規(guī)級可靠性認(rèn)證，該產(chǎn)品采用TO263-7貼片封裝，具有體積較小，安裝簡便，損耗更低的特點。
2024-01-16 10:16:243320 
3月8日，瞻芯電子開發(fā)的3款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品通過了嚴(yán)格的車規(guī)級可靠性認(rèn)證（AEC-Q101 Qualified）。
2024-03-11 09:24:381469 
近日，瞻芯電子宣布其研發(fā)的三款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品成功通過了嚴(yán)格的AEC-Q101車規(guī)級可靠性認(rèn)證，這一里程碑式的成就標(biāo)志著瞻芯電子在功率電子領(lǐng)域的持續(xù)創(chuàng)新與技術(shù)突破。
2024-03-12 11:04:241748 瞻芯電子近日宣布成功推出三款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品，這些產(chǎn)品不僅通過了嚴(yán)格的車規(guī)級可靠性認(rèn)證（AEC-Q101 Qualified），還具備業(yè)界領(lǐng)先的低損耗水平。這些新型MOSFET的推出，標(biāo)志著瞻芯電子在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的又一重要突破。
2024-03-13 09:24:131664 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有集成驅(qū)動器的 650V 120m? GaN FET LMG3612數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-21 10:20:580 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有集成驅(qū)動器和電流檢測功能的650V 270m? GaN FET LMG3626數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-21 10:40:130 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《650V 50m?具有集成驅(qū)動器、保護(hù)和溫度報告功能的GaN FET LMG3522R050數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-22 10:41:300 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《650V 50m? 具有集成驅(qū)動器、保護(hù)和溫度報告功能的GaN FET LMG3526R050數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-22 10:40:050 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有集成驅(qū)動器和電流檢測功能的650V 170m? GaN FET LMG3624數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-25 09:50:390 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《650V 30m?具有集成驅(qū)動器、保護(hù)和溫度報告功能的GaN FET LMG3526R030數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-25 11:31:110 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有集成驅(qū)動器、保護(hù)和溫度報告功能的LMG3522R030-Q1 650V 30m? GaN FET數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-28 10:40:570 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有集成驅(qū)動器和電流檢測功能的650V 120m? GaN FET LMG3622數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-29 09:18:530 氮化鎵和GeneSiC碳化硅功率半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼：NVTS）正式發(fā)布第三代快速（G3F）650V和1200V碳化硅MOSFETs產(chǎn)品系列，為實現(xiàn)最快的開關(guān)速度、最高的效率和功率密度的增進(jìn)進(jìn)行優(yōu)化，將應(yīng)用于AI數(shù)據(jù)中心電源、車載充電器（OBCs）、電動汽車超級充電樁以
2024-06-11 15:46:171561 Navitas半導(dǎo)體公司日前宣布擴(kuò)展其第三代“快速”系列(G3F)650V碳化硅(SiC)MOSFET，新增一款耐用且高效的表面貼裝TOLL(無引腳晶體管外形)封裝。這種新型封裝專門針對高功率
2024-08-05 11:25:201265 
新潔能650V Gen.7系列IGBT產(chǎn)品，基于微溝槽場截止技術(shù)，可大幅提高器件的元胞結(jié)構(gòu)密度。采用載流子存儲設(shè)計、多梯度緩沖層設(shè)計、超薄漂移區(qū)設(shè)計，大幅度提升器件的電流密度。同時優(yōu)化了器件的開關(guān)特性，為系統(tǒng)設(shè)計提供更大的余量。
2024-08-15 16:34:221808 
650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET和高壓GaN氮化鎵器件
2025-01-23 16:27:431780 
LMG3624 是一款 650V 170m? GaN 功率 FET，適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。LMG3624 通過在 8mm × 5.3mm QFN 封裝中集成 GaN FET 和柵極驅(qū)動器，簡化了設(shè)計并減少了元件數(shù)量。
2025-02-20 16:35:36831 
LMG3624 是一款 650V 170m? GaN 功率 FET，適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。LMG3624 通過在 8mm × 5.3mm QFN 封裝中集成 GaN FET 和柵極驅(qū)動器，簡化了設(shè)計并減少了元件數(shù)量。
2025-02-20 16:54:57883 LMG3614 是一款 650V 170mΩ GaN 功率 FET，適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。該LMG3614通過將 GaN FET 和柵極驅(qū)動器集成到 8mm x 5.3mm QFN 封裝中，簡化了設(shè)計并減少了元件數(shù)量。
2025-02-21 14:37:23728 
系數(shù)、高浪涌電流、100% UIS測試等特性，可提高系統(tǒng)效率，減少散熱需求，在并聯(lián)使用時無熱失控風(fēng)險。 *附件：SiC SBD-P3D06002E2 650V SiC 肖特基二極管.pdf 電氣特性
2025-02-25 14:18:58844 
隨著BASiC基本半導(dǎo)體等企業(yè)的650V碳化硅MOSFET技術(shù)升級疊加價格低于進(jìn)口超結(jié)MOSFET，不少客戶已經(jīng)開始動手用國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET,電源客戶從超結(jié)MOSFET升級至650V碳化硅MOSFET的根本驅(qū)動力分析。
2025-03-01 08:53:441053 
GNP1070TC-Z是一款650V GaN HEMT，實現(xiàn)了業(yè)內(nèi)出色的FOM 。該產(chǎn)品屬于EcoGaN?系列產(chǎn)品，利用該系列產(chǎn)品低導(dǎo)通電阻和高速開關(guān)的特性，有助于提高功率轉(zhuǎn)換效率并減小產(chǎn)品尺寸
2025-03-07 15:46:54909 
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）宣布，推出四款最新650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和“TW123V
2025-05-22 14:51:22901 
Texas Instruments LMG3614 650V 170m? GaN功率FET設(shè)計用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。LMG3614在8mm x 5.3mm QFN封裝中集成了GaN FET和柵極驅(qū)動器，從而減少了元器件數(shù)量并簡化了設(shè)計。可編程的導(dǎo)通轉(zhuǎn)換率提供EMI和振鈴控制。
2025-07-04 15:50:44658 
Texas Instruments LMG3616 650V GaN功率FET提供270m Ω 的電阻以及集成式驅(qū)動器和保護(hù)，適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。 通過將GaN FET和柵極驅(qū)動器集成在
2025-08-13 14:56:51759 
Texas Instruments LMG3612單通道GaN FET提供650V漏源電壓和120mΩ漏源電阻，以及專為開關(guān)模式電源應(yīng)用設(shè)計的集成驅(qū)動器。該 IC 將 GaN FET、柵極驅(qū)動器
2025-08-13 15:13:49777 
CoolGaN BDS 650V G5雙向開關(guān)。這款基于氮化鎵（GaN）技術(shù)的單片雙向開關(guān)，憑借其卓越的性能和創(chuàng)新的設(shè)計，正在成為高效電力轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的明星產(chǎn)品。
2025-08-28 13:52:113434 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出三款650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW027U65C”、“TW048U65C”和“TW083U65C”。這三款產(chǎn)品配備其最新[1
2025-09-01 16:33:492082 
在工業(yè)電源、電機(jī)驅(qū)動及照明系統(tǒng)等高壓應(yīng)用場景中，功率MOS管的可靠性、能效與成本控制直接決定了終端產(chǎn)品的市場競爭力。合科泰電子推出的高壓MOS管 HKTD7N65，憑借650V耐壓、7A電流與低至1.08Ω的導(dǎo)通電阻，為工程師提供了一款兼具高性能與高可靠性的國產(chǎn)功率器件新選擇。
2025-11-07 17:46:101414 深挖1ED21x7x系列：650V高端柵極驅(qū)動器的卓越性能與應(yīng)用解析 在電力電子領(lǐng)域，柵極驅(qū)動器的性能對于功率器件的高效、穩(wěn)定運行起著關(guān)鍵作用。今天我們就來深入探討英飛凌（Infineon
2025-12-18 16:10:12227 探索TP65H050G4YS 650V SuperGaN? FET的卓越性能與設(shè)計要點 在電子設(shè)備不斷追求高效、小型化的今天，功率半導(dǎo)體器件的性能起著至關(guān)重要的作用。今天我們就來詳細(xì)探討一下
2025-12-29 10:05:1576 探索TP65H070G4RS 650V SuperGaN? GaN FET：高效能與可靠性的完美結(jié)合 引言 在當(dāng)今電子技術(shù)飛速發(fā)展的時代，功率半導(dǎo)體器件的性能和可靠性對于各種電子設(shè)備的運行
2025-12-29 10:05:2292 TP65H070G4PS 650V SuperGaN? GaN FET：高效開關(guān)的理想之選 在電子工程師的日常工作中，不斷尋找高性能、高可靠性的電子元件是提升設(shè)計水平的關(guān)鍵。今天，我們就來深入
2025-12-29 14:45:1077
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