?收購）的UF3N170400B7S?JFET。UF3N170400B7S是一款高性能的第三代碳化硅 (SiC) 常開JFET，為過流保護(hù)電路、DC-AC逆變器、開關(guān)電源?、功率因數(shù)校正模塊、電機(jī)驅(qū)動(dòng)
2022-04-29 16:36:30
3753 
(SiC) 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 系列，該系列具有出色的導(dǎo)通電阻特性。全新 UF4C/SC 系列 1200V 第四代 SiC FET 非常適用于主流的 800V 總線架構(gòu)，這種架構(gòu)常見于電動(dòng)汽車
2022-05-17 11:55:242852 
?收購）的UF4C和UF4SC?1200V碳化硅 (SiC) FET。作為廣泛的高性能SiC FET系列產(chǎn)品，此第四代器件具有出色的導(dǎo)通電阻特性，適用于主流800V總線架構(gòu)中的電源解決方案，如電動(dòng)汽車
2022-06-09 16:44:432393 
SiC FET由UnitedSiC率先制造，現(xiàn)已推出第四代產(chǎn)品。第四代產(chǎn)品改進(jìn)了單元密度以降低單位面積的導(dǎo)通電阻（RDS.A），運(yùn)用銀燒結(jié)粘接和晶圓減薄技術(shù)改進(jìn)了熱設(shè)計(jì)，從而盡量減小了到基片的熱阻。
2021-05-19 07:06:004489 
美國新澤西州普林斯頓 --- 新型功率半導(dǎo)體企業(yè)美商聯(lián)合碳化硅股份有限公司（UnitedSiC）宣布，在公司快速發(fā)展的650V SiC FET硬開關(guān)UF3C FAST產(chǎn)品系列中新增兩種TO220-3L封裝選項(xiàng)。
2019-07-25 11:44:322164 UnitedSiC的UF3SC065030D8S和UF3SC065040D8S具有超低的柵極電荷和出色的反向恢復(fù)特性，因而非常適合于在任何采用標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)器的應(yīng)用中開關(guān)電感負(fù)載。新產(chǎn)品在高達(dá)
2020-02-05 11:45:163525 UnitedSiC的第4代SiC FET采用了“共源共柵”拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，其內(nèi)部集成了一個(gè)SiC JFET并將之與一個(gè)硅MOSFET封裝在一起。
2021-09-14 14:47:191074 
D2PAK-7L 封裝中實(shí)現(xiàn)業(yè)界卓越的 9mΩ 導(dǎo)通電阻 RDS(on)。此款 750V SiC FET 作為 Qorvo 全新引腳兼容 SiC FET 系列的首款產(chǎn)品，導(dǎo)通電阻值最高可達(dá) 60m
2024-01-31 15:19:343083 
采用IGBT這種雙極型器件結(jié)構(gòu)（導(dǎo)通電阻變低，則開關(guān)速度變慢），就可以實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻、高耐壓、快速開關(guān)等各優(yōu)點(diǎn)兼?zhèn)涞?b class="flag-6" style="color: red">器件。3. VD - ID特性SiC-MOSFET與IGBT不同，不存在開啟電壓，所以
2019-05-07 06:21:55
1. SiC材料的物性和特征SiC（碳化硅）是一種由Si（硅）和C（碳）構(gòu)成的化合物半導(dǎo)體材料。不僅絕緣擊穿場(chǎng)強(qiáng)是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，而且在器件制作時(shí)可以在較寬范圍內(nèi)控制必要的p型、n型
2019-07-23 04:20:21
本帖最后由 AmbiqMicro 于 2015-2-25 11:03 編輯
Ambiq Micro公司發(fā)布4款Apollo系列32位ARMCortex-M4F微控制器產(chǎn)品，在真實(shí)世界應(yīng)用中，其
2015-02-25 11:02:35
CAB450M12XM3工業(yè)級(jí)SiC半橋功率模塊CREE
CAB450M12XM3是Wolfspeed（原CREE）精心打造的一款工業(yè)級(jí)全碳化硅（SiC）半橋功率模塊，專為高功率密度、極端高溫環(huán)境
2025-03-17 09:59:21
IGBT一樣易于驅(qū)動(dòng)。事實(shí)上，其TO-247封裝可以替代許多這類器件，實(shí)現(xiàn)即時(shí)的性能提升。對(duì)于新的設(shè)計(jì)，還有一種低電感、熱增強(qiáng)型DFN8x8封裝，充分利用了SiC-FET的高頻性能。 SiC-FET
2023-02-27 14:28:47
Qorvo 的 UF3C065030B3 650 V、27 mohm SiC FET 產(chǎn)品將其高性能第 3 代 SiC JFET 與 FET 優(yōu)化 MOSFET 共同封裝，以生產(chǎn)當(dāng)今
2023-05-11 14:17:51
Qorvo 的 UF3C065030K3S 650 V、27 mohm RDS(on) 共源共柵 SiC FET 產(chǎn)品將其高性能第 3 代 SiC JFET 與 FET 優(yōu)化 MOSFET 共同封裝
2023-05-11 14:21:51
Qorvo 的 UF3C065030T3S 650 V、27 mohm SiC FET 產(chǎn)品將其高性能第 3 代 SiC JFET 與 FET 優(yōu)化 MOSFET 共同封裝，以生產(chǎn)當(dāng)今市場(chǎng)上唯一
2023-05-11 14:27:22
Qorvo 的 UF3C065040K3S 650 V、42 mohm RDS(on) 共源共柵 SiC FET 產(chǎn)品將其高性能第 3 代 SiC JFET 與 FET 優(yōu)化 MOSFET 共同封裝
2023-05-11 14:32:56
Qorvo 的 UF3C065040K4S 650 V、42 mohm RDS(on) 共源共柵 SiC FET 產(chǎn)品將其高性能第 3 代 SiC 快速 JFET 與 FET 優(yōu)化 MOSFET
2023-05-11 14:35:10
Qorvo 的 UF3C065040T3S 650 V、42 mohm RDS(on) 共源共柵 SiC FET 產(chǎn)品將其高性能第 3 代 SiC JFET 與 FET 優(yōu)化 MOSFET 共同封裝
2023-05-11 14:37:31
Qorvo 的 UF3C065080B3 650 V、80 mohm RDS(on) SiC FET 器件基于獨(dú)特的共源共柵電路配置，其中常開 SiC JFET 與 Si MOSFET 共同封裝以
2023-05-11 14:40:33
Qorvo 的 UF3C065080B7S 650 V、85 mohm RDS(on) SiC FET 器件基于獨(dú)特的級(jí)聯(lián)電路配置，其中常開 SiC JFET 與 Si MOSFET 共同封裝以產(chǎn)生
2023-05-11 14:42:55
Qorvo 的 UF3C065080K3S 650 V、80 mohm RDS(on) SiC FET 器件基于獨(dú)特的級(jí)聯(lián)電路配置，其中常開 SiC JFET 與 Si MOSFET 共同封裝以產(chǎn)生
2023-05-11 14:48:05
Qorvo 的 UF3C065080T3S 650 V、80 mohm RDS(on) 共源共柵 SiC FET 產(chǎn)品將其高性能第 3 代 SiC JFET 與 FET 優(yōu)化 MOSFET 共同封裝
2023-05-11 14:52:46
Qorvo 的 UF3C120040K3S 1200 V、35 mohm RDS(on) 共源共柵 SiC FET 產(chǎn)品將其高性能第 3 代 SiC JFET 與 FET 優(yōu)化
2023-05-11 14:54:50
Qorvo 的 UF3C120040K4S 是一款 1200 V、35 mohm RDS(on) 共源共柵 SiC FET 產(chǎn)品，將其高性能第 3 代 SiC 快速 JFET 與 FET 優(yōu)化
2023-05-11 14:57:06
Qorvo 的 UF3C120080B7S 1200 V、85 mohm SiC FET 器件基于獨(dú)特的級(jí)聯(lián)電路配置，其中常開 SiC JFET 與 Si MOSFET 共同封裝以產(chǎn)生常
2023-05-11 15:00:22
Qorvo 的 UF3C120150B7S 1200 V、150 mohm SiC FET 器件基于獨(dú)特的共源共柵電路配置，其中常開 SiC JFET 與 Si MOSFET 共同封裝以
2023-05-11 15:18:22
Qorvo 的 UF3C120400B7S SiC FET 器件基于獨(dú)特的共源共柵電路配置，其中常開 SiC JFET 與 Si MOSFET 共同封裝以產(chǎn)生常關(guān) SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)
2023-05-11 15:28:08
Qorvo 的 UF3C170400B7S SiC FET 器件基于獨(dú)特的共源共柵電路配置，其中常開 SiC JFET 與 Si MOSFET 共同封裝以產(chǎn)生常關(guān) SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)
2023-05-11 15:41:16
Qorvo 的 UF3SC065040B7S 650 V、42 mohm RDS(on) SiC FET 器件基于獨(dú)特的級(jí)聯(lián)電路配置，其中常開 SiC JFET 與 Si MOSFET 共同封裝以
2023-05-11 16:01:07
Qorvo 的 UF3SC120040B7S 是一款 1200 V、35 mohm RDS(on) SiC FET 器件，基于獨(dú)特的級(jí)聯(lián)電路配置，其中常開 SiC JFET 與 Si MOSFET
2023-05-11 16:25:45
UF3C065030B3產(chǎn)品簡(jiǎn)介Qorvo 的 UF3C065030B3 650 V、27 mohm SiC FET 產(chǎn)品將其高性能第 3 代 SiC JFET 與 FET 優(yōu)化 MOSFET 共同
2023-05-11 18:01:04
UF3C065030K3S產(chǎn)品簡(jiǎn)介Qorvo 的 UF3C065030K3S 650 V、27 mohm RDS(on) 共源共柵 SiC FET 產(chǎn)品將其高性能第 3 代 SiC JFET
2023-05-11 18:13:21
F3C065030K4S產(chǎn)品簡(jiǎn)介Qorvo 的 UF3C065030K4S 650 V、27 mohm SiC FET 產(chǎn)品將其高性能第 3 代 SiC 快速 JFET 與 FET 優(yōu)化
2023-05-11 18:22:33
UF3C065030T3S產(chǎn)品簡(jiǎn)介Qorvo 的 UF3C065030T3S 650 V、27 mohm SiC FET 產(chǎn)品將其高性能第 3 代 SiC JFET 與 FET 優(yōu)化 MOSFET
2023-05-11 18:30:12
UF3C065040B3 產(chǎn)品簡(jiǎn)介Qorvo 的 UF3C065040B3 650 V、42 mohm SiC FET 產(chǎn)品將其高性能第 3 代 SiC JFET 與 FET 優(yōu)化
2023-05-11 18:42:02
UF3C065040K3S 產(chǎn)品簡(jiǎn)介Qorvo 的 UF3C065040K3S 650 V、42 mohm RDS(on) 共源共柵 SiC FET 產(chǎn)品將其高性能第 3 代 SiC
2023-05-11 19:01:57
UF3C065040K4S產(chǎn)品簡(jiǎn)介Qorvo 的 UF3C065040K4S 650 V、42 mohm RDS(on) 共源共柵 SiC FET 產(chǎn)品將其高性能第 3 代 SiC 快速 JFET
2023-05-11 20:00:05
UF3C065040T3S產(chǎn)品簡(jiǎn)介Qorvo 的 UF3C065040T3S 650 V、42 mohm RDS(on) 共源共柵 SiC FET 產(chǎn)品將其高性能第 3 代 SiC JFET
2023-05-11 20:11:52
UF3C065080B3產(chǎn)品簡(jiǎn)介Qorvo 的 UF3C065080B3 650 V、80 mohm RDS(on) SiC FET 器件基于獨(dú)特的級(jí)聯(lián)電路配置，其中常開 SiC JFET 與 Si
2023-05-11 20:28:32
UF3C065080B7S 產(chǎn)品簡(jiǎn)介Qorvo 的 UF3C065080B7S 650 V、85 mohm RDS(on) SiC FET 器件基于獨(dú)特的級(jí)聯(lián)電路配置，其中常開 SiC
2023-05-11 20:38:23
UF3C065080K3S產(chǎn)品簡(jiǎn)介Qorvo 的 UF3C065080K3S 650 V、80 mohm RDS(on) SiC FET 器件基于獨(dú)特的級(jí)聯(lián)電路配置，其中常開 SiC JFET
2023-05-11 20:45:39
UF3C065080K4S 產(chǎn)品簡(jiǎn)介Qorvo 的 UF3C065080K4S 650 V、80 mohm SiC FET 產(chǎn)品將其高性能 F3 SiC 快速 JFET 與 FET 優(yōu)化
2023-05-11 20:53:23
UF3C065080T3S產(chǎn)品簡(jiǎn)介Qorvo 的 UF3C065080T3S 650 V、80 mohm RDS(on) 共源共柵 SiC FET 產(chǎn)品將其高性能第 3 代 SiC JFET
2023-05-12 09:35:19
UF3C120040K3S 產(chǎn)品簡(jiǎn)介Qorvo 的 UF3C120040K3S 1200 V、35 mohm RDS(on) 共源共柵 SiC FET 產(chǎn)品將其高性能第 3 代 SiC
2023-05-12 09:42:48
UF3C120040K4S產(chǎn)品簡(jiǎn)介Qorvo 的 UF3C120040K4S 是一款 1200 V、35 mohm RDS(on) 共源共柵 SiC FET 產(chǎn)品，將其高性能第 3 代 SiC 快速
2023-05-12 09:51:56
UF3C120080B7S產(chǎn)品簡(jiǎn)介Qorvo 的 UF3C120080B7S 1200 V、85 mohm SiC FET 器件基于獨(dú)特的級(jí)聯(lián)電路配置，其中常開 SiC JFET 與 Si
2023-05-12 11:54:23
UF3C120080K3S 產(chǎn)品簡(jiǎn)介Qorvo 的 UF3C120080K3S 1200 V、80 mohm SiC FET 器件基于獨(dú)特的共源共柵電路配置，其中常開 SiC JFET
2023-05-12 12:26:54
UF3C120080K4S產(chǎn)品簡(jiǎn)介Qorvo 的 UF3C120080K4S 1200 V、80 mohm FET 產(chǎn)品將其高性能第 3 代 SiC 快速 JFET 與 FET 優(yōu)化 MOSFET
2023-05-12 12:35:06
UF3C120150B7S 產(chǎn)品簡(jiǎn)介Qorvo 的 UF3C120150B7S 1200 V、150 mohm SiC FET 器件基于獨(dú)特的共源共柵電路配置，其中常開 SiC JFET
2023-05-12 12:44:42
UF3C120150K4S產(chǎn)品簡(jiǎn)介Qorvo 的 UF3C120150K4S 1200 V、150 mohm SiC FET 產(chǎn)品將其高性能 F3 SiC 快速 JFET 與 FET 優(yōu)化
2023-05-12 12:52:17
UF3C120400K3S 產(chǎn)品簡(jiǎn)介Qorvo 的 UF3C120400K3S 1200 V、410 mohm SiC FET 器件基于獨(dú)特的共源共柵電路配置，其中常開 SiC JFET
2023-05-12 14:11:46
UF3C170400K3S產(chǎn)品簡(jiǎn)介Qorvo 的 UF3C170400K3S 1700 V、410 mohm SiC FET 器件基于獨(dú)特的級(jí)聯(lián)電路配置，其中常開 SiC JFET 與 Si
2023-05-12 14:20:38
UF3SC065007K4S產(chǎn)品簡(jiǎn)介Qorvo 的 UF3SC065007K4S 650 V、6.7 mohm RDS(on) SiC FET 器件基于獨(dú)特的級(jí)聯(lián)電路配置，其中常開 SiC JFET
2023-05-12 14:29:40
UF3SC065030B7S產(chǎn)品簡(jiǎn)介Qorvo 的 UF3SC065030B7S 650 V、27 mohm RDS(on) SiC FET 器件基于獨(dú)特的級(jí)聯(lián)電路配置，其中常開 SiC JFET
2023-05-12 14:35:49
UF3SC065040B7S產(chǎn)品簡(jiǎn)介Qorvo 的 UF3SC065040B7S 650 V、42 mohm RDS(on) SiC FET 器件基于獨(dú)特的級(jí)聯(lián)電路配置，其中常開 SiC JFET
2023-05-12 14:41:53
UF3SC120009K4S產(chǎn)品簡(jiǎn)介Qorvo 的 UF3SC120009K4S 1200 V、8.6 mohm SiC FET 器件基于獨(dú)特的級(jí)聯(lián)電路配置，其中常開 SiC JFET 與 Si
2023-05-12 14:47:58
UF3SC120016K3S產(chǎn)品簡(jiǎn)介Qorvo 的 UF3SC120016K3S 1200 V、16 mohm SiC FET 器件基于獨(dú)特的級(jí)聯(lián)電路配置，其中常開 SiC JFET 與 Si
2023-05-12 14:53:49
UF3SC120016K4S產(chǎn)品簡(jiǎn)介Qorvo 的 UF3SC120016K4S 1200 V、16 mohm SiC FET 器件基于獨(dú)特的級(jí)聯(lián)電路配置，其中常開 SiC JFET 與 Si
2023-05-12 14:59:16
UF3SC120040B7S產(chǎn)品簡(jiǎn)介Qorvo 的 UF3SC120040B7S 是一款 1200 V、35 mohm RDS(on) SiC FET 器件，基于獨(dú)特的級(jí)聯(lián)電路配置，其中常開 SiC
2023-05-12 15:05:36
UF4C120053K3S 產(chǎn)品簡(jiǎn)介Qorvo 的 UF4C120053K3S 是一款 1200 V、53 mohm RDS(on) Gen 4 SiC FET。它基于獨(dú)特的共源共柵電路
2023-05-12 15:16:27
UF4C120053K4S產(chǎn)品簡(jiǎn)介Qorvo 的 UF4C120053K4S 是一款 1200 V、53 mohm RDS(on) Gen 4 SiC FET。它基于獨(dú)特的共源共柵電路配置，其中
2023-05-12 15:22:37
UF4C120070K3S產(chǎn)品簡(jiǎn)介Qorvo 的 UF4C120070K3S 是一款 1200 V、72 mohm RDS(on) Gen 4 SiC FET。它基于獨(dú)特的共源共柵電路配置，其中
2023-05-12 15:29:06
UF4C120070K4S 產(chǎn)品簡(jiǎn)介Qorvo 的 UF4C120070K4S 是一款 1200 V、72 mohm RDS(on) Gen 4 SiC FET。它基于獨(dú)特的共源共柵電路
2023-05-12 15:34:44
UF4SC120023K4S 產(chǎn)品簡(jiǎn)介Qorvo 的 UF4SC120023K4S 是一款 1200 V、23 mohm RDS(on) Gen 4 SiC FET。它基于獨(dú)特的共源共柵
2023-05-12 15:40:44
UF4SC120030K4S產(chǎn)品簡(jiǎn)介Qorvo 的 UF4SC120030K4S 是一款 1200 V、30 mohm RDS(on) Gen 4 SiC FET。它基于獨(dú)特的共源共柵電路配置，其中
2023-05-12 15:46:12
UJ3C065030B3產(chǎn)品簡(jiǎn)介Qorvo 的 UJ3C065030B3 650 V、27 mohm RDS(on) SiC FET 產(chǎn)品將其高性能第 3 代 SiC JFET 與 FET 優(yōu)化
2023-05-12 15:54:18
UJ3C065030T3S產(chǎn)品簡(jiǎn)介Qorvo 的 UJ3C065030T3S 是一款 650 V、27 mohm RDS(on) SiC FET 產(chǎn)品，將其高性能第 3 代 SiC JFET
2023-05-12 16:02:53
Qorvo / UnitedSiC UJ4C/SC 750V Gen 4 SiC FETUnitedSiC/Qorvo UJ4C/SC 750V Gen 4 SiC是一款高性能系列產(chǎn)品，提供業(yè)界最佳
2024-02-26 19:40:31
UnitedSiC / Qorvo D2-PAK封裝中的UF3C SiC FET采用D2-PAK-3L和D2-PAK-7L表面貼裝封裝的UnitedSiC / Qorvo UF3C SiC FET
2024-02-26 19:57:09
UnitedSiC / Qorvo UF3N170400B7S 1700V-400mW SiC常開JFETUnitedSiC/Qorvo UF3N170400B7S 1700V-400mW SiC
2024-02-26 23:19:55
UF4C120070B7S：高效能的SiC FET解決方案隨著電動(dòng)汽車（EV）和可再生能源系統(tǒng)的快速發(fā)展，對(duì)高效能功率器件的需求日益增加。UF4C120070B7S是一款1200 V、70 m
2024-11-10 08:39:44
，UF4C120053B7S作為一款高性能的1200 V、53 mΩ的SiC FET（硅碳化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管），憑借其優(yōu)越的電氣特性和廣泛的應(yīng)用前景，成為了市場(chǎng)上的熱門產(chǎn)品。產(chǎn)品詳情UF4
2024-11-10 08:46:11
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《Visual C++ 6.0 二級(jí)C語言專用版（7M）英文.txt》資料免費(fèi)下載
2012-10-14 21:42:14
0 功率因數(shù)校正（PFC）、主動(dòng)前端整流器、LLC轉(zhuǎn)換器和相移全橋轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)人員現(xiàn)在可以通過使用來自UnitedSiC的新型UJ3C1200系列碳化硅（SiC ）結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（JFET）共源共柵
2018-05-25 16:42:001767 碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體制造商UnitedSiC宣布擴(kuò)展UF3C FAST產(chǎn)品系列，并推出采用TO-247-4L 4引腳Kelvin Sense封裝的全新系列650 V和1200 V高性能碳化硅
2019-01-01 10:33:004371 碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體制造商UnitedSiC/美商聯(lián)合碳化硅股份有限公司 宣布，已經(jīng)為UJ3C（通用型）和UF3C（硬開關(guān)型）系列650V SiC FET新增加了7種新的TO220-3L和D2PAK-3L器件/封裝組合產(chǎn)品。
2019-05-08 09:04:022246 UF3C120150K4S是一款1200伏碳化硅（SiC）FET，其典型導(dǎo)通電阻（RDS（on））為150mΩ，最高工作溫度為175°C。
2019-09-29 14:21:104119 為電源設(shè)計(jì)選擇初始半導(dǎo)體開關(guān)可能是一件繁雜的工作。UnitedSiC的新FET-Jet CalculatorTM可以簡(jiǎn)化這項(xiàng)工作并準(zhǔn)確預(yù)測(cè)系統(tǒng)性能。
2021-03-19 09:42:402533 UnitedSiC SiC FET用戶手冊(cè)
2021-09-07 18:00:1318 2020年 750V第四代SiC FET 誕生時(shí)，它與650V第三代器件的比較結(jié)果令人吃驚，以 6毫歐 器件為例，品質(zhì)因數(shù)RDS?A降了近一半，由于體二極管反向恢復(fù)能量，動(dòng)態(tài)損耗也降了近一半。關(guān)閉
2022-05-23 17:31:291802 UnitedSiC（現(xiàn)名Qorvo）擴(kuò)充了其1200V產(chǎn)品系列，將其突破性的第四代SiC FET技術(shù)推廣到電壓更高的應(yīng)用中。
2022-06-06 09:33:575970 
第一款 UJ4SC075006K4S 器件功能非常強(qiáng)大，導(dǎo)通電阻 (R DS(on) ) 僅為 6 mΩ 和 750 V，是 UnitedSiC 九件套 SiC FET MOSFET 系列的一部分
2022-07-29 09:14:201232 
UnitedSiC（現(xiàn)為Qorvo）擴(kuò)展了其突破性的第4代 SiC FET產(chǎn)品組合, 通過采用TO-247-4引腳封裝的750V/6mOhm SiC FET和采用D2PAK-7L表面貼裝封裝
2022-08-01 12:14:082356 為了滿足設(shè)計(jì)人員對(duì)更高性能、更高效系統(tǒng)的需求，UnitedSiC 宣布了新的 SiC FET，可實(shí)現(xiàn)更高水平的設(shè)計(jì)靈活性，最顯著的是 750 V、6 mΩ 的解決方案，其穩(wěn)健的短路耐受時(shí)間額定值為 5微秒。
2022-08-03 08:04:481708 
L表面貼裝封裝的UnitedSiC（現(xiàn)已被?Qorvo?收購）UJ4C/SC FET。UJ4C/SC系列器件是750 V碳化硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (SiC FET)，借助D2PAK-7L封裝選項(xiàng)提供低開關(guān)損耗
2022-09-23 16:44:351200 
UnitedSiC FET-Jet計(jì)算器讓為功率設(shè)計(jì)選擇SiC FET和SiC肖特基二極管變得輕而易舉。設(shè)計(jì)工程師只需：
2022-10-11 09:03:281322 被Qorvo收購）750V UJ4C/SC SiC FET，采用D2PAK-7L封裝。UJ4C/SC系列器件是750V碳化硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管（SiC FET），借助D2PAK-7L封裝選項(xiàng)提供低開關(guān)損耗、在更高
2022-10-27 16:33:291632 寬帶隙半導(dǎo)體是高效功率轉(zhuǎn)換的助力。有多種器件可供人們選用，包括混合了硅和SiC技術(shù)的SiC FET。本文探討了這種器件的特征，并將它與其他方法進(jìn)行了對(duì)比。
2022-10-31 09:03:231598 CleanWave200采用UnitedSiC共源共柵FET，能夠在100kHz的頻率下實(shí)現(xiàn)99.3%的系統(tǒng)能效，且每個(gè)開關(guān)位置并聯(lián)三個(gè)器件。
2022-12-12 09:25:091279 在電源轉(zhuǎn)換這一語境下，性能主要?dú)w結(jié)為兩個(gè)互為相關(guān)的值：效率和成本。仿真結(jié)果和應(yīng)用實(shí)例表明，SiC FET 可以顯著提升電源轉(zhuǎn)換器的性能。了解更多。 這篇博客文章最初由 United Silicon
2023-02-08 11:20:011045 比較SiC開關(guān)的數(shù)據(jù)手冊(cè)可能很困難。SiC MOSFET在導(dǎo)通電阻溫度系數(shù)較低的情況下似乎具有優(yōu)勢(shì)，但與UnitedSiC FET相比，這表明潛在的損耗更高，整體效率低下。
2023-02-21 09:24:561877 
仿真器可以提供許多信息，但無法告知哪些功率晶體管可以優(yōu)化您的設(shè)計(jì)，也無法確定晶體管在特定應(yīng)力水平下是否會(huì)損壞。這就是在線 FET-Jet 計(jì)算器的優(yōu)勢(shì)所在。閱讀本博客，了解該軟件如何簡(jiǎn)化器件選擇以及
2023-05-17 12:05:021039 
，深入了解這款靈活便捷的工具，幫助您選擇器件并查看其性能，快速準(zhǔn)確地一次敲定設(shè)計(jì)。 這篇博客文章最初由 United Silicon Carbide (UnitedSiC) 發(fā)布，該公司于 2021 年
2023-05-19 13:45:021006 
UnitedSiC SiC FET用戶指南
2023-12-06 15:32:241153 
基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并發(fā)布兩款采用 3 引腳 TO-247 封裝的 1200 V 分立器件，RDS(on) 分別為 40 mΩ 和 80 mΩ。
2023-12-04 10:39:501725 深圳市至信微電子有限公司（簡(jiǎn)稱：至信微）在深圳威尼斯英迪格酒店成功舉辦了2024新品發(fā)布暨代理商大會(huì)。此次大會(huì)上，至信微發(fā)布了一系列行業(yè)領(lǐng)先的SiC芯片，其中包括1200V/7mΩ和750V/5mΩ兩款產(chǎn)品。
2024-01-16 15:45:171702 Qorvo，全球領(lǐng)先的綜合連接和電源解決方案供應(yīng)商，近日發(fā)布了其全新車規(guī)級(jí)碳化硅（SiC）場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）產(chǎn)品。這款產(chǎn)品擁有緊湊的 D2PAK-7L 封裝，實(shí)現(xiàn)了業(yè)界領(lǐng)先的9mΩ導(dǎo)通電阻RDS
2024-02-01 10:18:061404 近日，派恩杰半導(dǎo)體正式發(fā)布基于第四代平面柵工藝的SiC MOSFET系列產(chǎn)品。該系列在750V電壓平臺(tái)下，5mm × 5mm芯片尺寸產(chǎn)品的導(dǎo)通電阻RDS(on)最低可達(dá)7mΩ，達(dá)到國際領(lǐng)先水平。相比
2025-08-05 15:19:011210 
在電子工程師的日常工作中，選擇合適的功率開關(guān)器件至關(guān)重要。今天，我們要深入探討一款名為UF4SC120023B7S的1200V、23mΩ G4 SiC FET，看看它能為我們的設(shè)計(jì)帶來哪些驚喜。
2025-12-02 11:19:40431 
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